Цоколевки полевых транзисторов 1 – 15

Краткий курс: как проверить полевой транзистор мультиметром на исправность

В технике и радиолюбительской практике часто применяются полевые транзисторы. Такие устройства отличаются от обычных, биполярных, транзисторов тем, что в них управление выходным сигналом осуществляется управляющим электрическим полем. Особенно часто используются полевые транзисторы с изолированным затвором.

Англоязычное обозначение таких транзисторов – MOSFET, что означает «управляемый полем металло-оксидный полупроводниковый транзистор». В отечественной литературе эти приборы часто называют МДП или МОП транзисторами. В зависимости от технологии изготовления такие транзисторы могут быть n- или p-канальными.

Особенности конструкции, хранения и монтажа

Транзистор n-канального типа состоит из кремниевой подложки с p-проводимостью, n-областей, получаемых путем добавления в подложку примесей, диэлектрика, изолирующего затвор от канала, расположенного между n-областями. К n-областям подсоединяются выводы (исток и сток). Под действием источника питания из истока в сток по транзистору может протекать ток. Величиной этого тока управляет изолированный затвор прибора.

При работе с полевыми транзисторами необходимо учитывать их чувствительность к воздействию электрического поля. Поэтому хранить их надо с закороченными фольгой выводами, а перед пайкой необходимо закоротить выводы проволочкой. Паять полевые транзисторы надо с использованием паяльной станции, которая обеспечивает защиту от статического электричества.

Прежде, чем начать проверку исправности полевого транзистора, необходимо определить его цоколевку. Часто на импортном приборе наносятся метки, определяющие соответствующие выводы транзистора.

Буквой G обозначается затвор прибора, буквой S – исток, а буквой D- сток.

При отсутствии цоколевки на приборе необходимо посмотреть ее в документации на данный прибор.

Схема проверки полевого транзистора n-канального типа мультиметром

Перед тем, как проверить исправность полевого транзистора, необходимо учитывать, что в современных радиодеталях типа MOSFET между стоком и истоком есть дополнительный диод. Этот элемент обычно присутствует на схеме прибора. Его полярность зависит от типа транзистора.

Работоспособность катушки зажигания определяют проверкой сопротивлений на первичной и вторичной обмотках с помощью мультиметра.

По проделанным измерениям можно сделать вывод, что если полевой транзистор открывается и закрывается с помощью постоянного напряжения с мультиметра, то он исправен.

Полевой транзистор имеет большую входную емкость, которая разряжается довольно долго.

Проверка исправности р-канального полевого транзистора производится таким же образом, что и n-канального. Отличие состоит в том, что в п. 3 к минусу мультиметра надо подключить красный провод, а к плюсу мультиметра – черный провод.

Источник: http://elektrik24.net/instrumentyi/izmeritelnyie/multimetr/kak-proverit-polevoj-tranzistor.html

Как проверить полевой МОП (Mosfet)

В этой статье я расскажу вам, как проверить полевой транзистор с изолированным затвором, то есть МОП-транзистор. Это вторая часть статьи по проверки полевых транзисторов. В первой части я рассказывал, как проверить транзистор с управляющим p-n переходом.

Да, полевые транзисторы с управляющим p-n переходом уходят в прошлое, а сейчас в современных схемах применяются более совершенные полевые транзисторы с изолированным затвором. Тогда предлагаю научиться их проверять.

Но для того, что бы понять, как проверить полевой транзистор, давайте я вам в двух словах расскажу, как он устроен.

Полевой транзистор с изолированным затвором мы знаем под более привычным названием МОП -транзистор (метал -окисел-полупроводник), МДП -транзистор(метал -диэлектрик-полупроводник), либо в английском варианте MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor)

Эти аббревиатуры вытекают из структуры построения транзистора. А именно.

Структура полевого MOSFET транзистора

Для создания МОП-транзистора берется подложка, выполненная из p-полупроводника, где основными носителями заряда являются положительные заряды, так называемые дырки. На рисунке вы видите, что вокруг ядра атома кремния вращаются электроны, обозначенные белыми шариками.

Когда электрон покидает атом, в этом месте образуется «дырка» и атом приобретает положительный заряд, то есть становиться положительным ионом. Дырки на модели обозначены, как зеленые шарики.

На p-подложке создаются две высоколегированные n-области, то есть области с большим количеством свободных электронов. На рисунке эти свободные электроны обозначены красными шариками.

Свободные электроны свободно перемещаются по n-области. Именно они впоследствии и будут участвовать в создании тока через МДП-тназистор.

Пространство между двумя n-областями, называемое каналом покрывается диэлектриком, обычно это диоксид кремния.

Над диэлектрическим слоем располагают металлический слой. N-области и металлический слой соединяют с выводами будущего транзистора.

Выводы транзистора называются исток, затвор и сток.

Ток в МОП-транзисторе течет от истока через канал к стоку. Для управления этим током служит изолированный затвор.

Однако если подключить напряжение между истоком и стоком, при отсутствии напряжения на затворе ток через транзистор не потечет, потому что на его пути будет барьер из p-полупроводника.

Если подать на затвор положительное напряжение, относительно истока, то возникающее электрическое поле будет к области под затвором притягивать электроны и выталкивать дырки.

По достижению определенной концентрации электронов под затвором, между истоком и стоком создается тонкий n-канал, по которому потечет ток от истока к стоку.

Следует сказать, что ток через транзистор можно увеличить, если подать больший потенциал напряжения на затвор. При этом канал становиться шире, что приводит к увеличению тока между истоком и стоком.

МДП-транзистор с каналом p-типа имеет аналогичную структуру, однако подложка в таком транзисторе выполнена из полупроводника n-типа, а области истока и стока из высоколегированного полупроводника p-типа.

В таком полевом транзисторе основными носителями заряда являются положительные ионы (дырки). Для того, что бы открыть канал в полевом транзисторе с каналом p-типа необходимо на затвор подать отрицательный потенциал.

Проверка полевого MOSFET транзистора цифровым мультиметром

Для примера возьмем полевой МОП-транзистор с каналом n-типа IRF 640. Условно-графическое обозначение такого транзистора и его цоколевку вы видите на следующем рисунке.

Перед началом проверки транзистора замкните все его выводы между собой, что бы снять возможный заряд с транзистора.

Проверка встроенного диода

Для начал следует подготовить мультимер и перевести его в режим проверки диодов. Для этого переключатель режимов/пределов установите в положение с изображением диода.

В этом режиме мультиметр при подключении диода в прямом направлении (плюс прибора на анод, минус прибора на катод) показывает падение напряжения на p-n переходе диода. При включении диода в обратном направлении мультиметр показывает «1».

Читайте также:  Вольтметр и амперметр с жк дисплеем

Итак, подключаем щупы мультиметра, как было сказано выше, в прямом включении диода. Таким образом, красный шум (+) подключаем на исток, а черный (-) на сток.

Мультиметр должен показать падение напряжение на переходе порядка 0,5-0,7.

Меняем полярность подключения встроенного диода, при этом мультиметр, при исправности диода покажет «1».

Проверка работы полевого МОП транзистора

Проверяемый нами МОП-транзистор имеет канал n-типа, поэтому, что бы канал стал электропроводен необходимо на затвор транзистора относительно истока либо стока подать положительный потенциал. При этом электроны из подложки переместятся в канал, а дырки будут вытолкнуты из канала. В результате канал между истоком и стоком станет электропроводен и через транзистор потечет ток.

Для открытия транзистора будет достаточно напряжения на щупах мультиметра в режиме прозвонки диодов.

Поэтому черный (отрицательный) щуп мультиметра подключаем на исток (или сток), а красным касаемся затвора.

Если транзистор исправен, то канал исток-сток станет электропроводным, то есть транзистор откроется.

Теперь если прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет какое-то значение падение напряжения на канале, в виду того, что через транзистор потечет ток.

Таким образом черный щуп транзистора ставим на исток, а красный на сток и мультиметр покажет падение напряжение на канале.

Если поменять полярность щупов, то показания мультиметра будут примерно одинаковыми.

Что бы закрыть транзистор достаточно относительно истока на затвор подать отрицательный потенциал.

Следовательно, подключаем положительный (красный) щуп мультиметра на исток, а черным касаемся затвор.

При этом исправный транзистор закроется. И если после этого прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет лишь падение напряжения на встроенном диоде.

Если транзистор управляется напряжением с мультиметра (то есть открывается и закрывается), значит можно сделать вывод, что транзистор исправен.

Проверка полевого МОП – транзистора с каналом p-типа осуществляется подобным образом. За тем исключением, что во всех пунктах проверки полярность подключения щупов меняется на противоположную.

Более подробно и просто всю методику проверки полевого транзистора я изложил в следующем видеоуроке:

Источник: http://www.sxemotehnika.ru/zhurnal/kak-proverit-polevoi-mop-mosfet-tranzistor-tcifrovym-multimetrom.html

Как проверить работоспособность МДП полевого транзистора

Проверяем на работоспособность полевой транзистор структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МДП, МОП, MOSFET, GIFET, MISFET).

Необходимое оборудование: мультиметр, цифровой или аналоговый, с возможностью проверки диодов.

N-канальный МДП полевой транзистор с индуцированным переходом:

  • Gate = Затвор
  • Drain = Сток
  • Source = Исток

P-канальный МДП полевой транзистор с индуцированным переходом:

  • Затвор = Gate
  • Исток = Source
  • Сток = Drain

Внимание: проверка полевых транзисторов с p-n переходом (J-FET, JFET, JUGFET)  будет  описана в другой статье.

Наиболее распространённая цоколёвка МДП транзисторов:

Описываемая здесь последовательность действий лучше всего подходит для проверки МДП транзисторов средней и большой мощности, или – всех, что предназначены для крепления на радиатор.

Ограничения

  • При работе с малосигнальными МДП транзисторами требуется быть предельно осторожным относительно статического электричества, чтобы не поубивать их во время такой проверки.
  • МДП транзисторы, работающие в режиме обеднения (со встроенным каналом), надо проверять несколько иначе. Полезность данной статьи сей факт никак не уменьшает, и вот почему: вероятность того, что у вас окажется такой девайс, стремится к бесконечно малой величине. Если же вы справились-таки раздобыть Depletion Mode MOSFET – вам эта статья уж и подавно не нужна Источник: http://MyElectrons.ru/test-mosfet-using-multimeter/

    Как проверить полевой транзистор мультиметром

    Содержание:

    1. Устройство и принцип действия
    2. Проверка мультиметром
    3. Видео

    В радиоэлектронике и электротехнике транзисторы относятся к одним из основных элементов, без которых не будет работать ни одна схема. Среди них, наиболее широкое распространение получили полевые транзисторы, управляемые электрическим полем. Само электрическое поле возникает под действием напряжения, следовательно, каждый полевой транзистор является полупроводниковым прибором, управляемым напряжением. Наиболее часто применяются элементы с изолированным затвором. В процессе эксплуатации радиоэлектронных устройств и оборудования довольно часто возникает необходимость проверить полевой транзистор мультиметром, не нарушая общей схемы и не выпаивая его. Кроме того, на результаты проверки оказывает влияние модификация этих устройств, которые технологически разделяются на п- или р-канальные.

    Устройство и принцип действия полевых транзисторов

    Полевые транзисторы относятся к категории полупроводниковых приборов. Их усиливающие свойства создаются потоком основных носителей, который протекает через проводящий канал и управляется электрическим полем. Полевые транзисторы, в отличие от биполярных, для своей работы используют основные носители заряда, расположенные в полупроводнике. По своим конструктивным особенностям и технологии производства полевые транзисторы разделяются на две группы: элементы с управляющим р-п-переходом и устройства с изолированным затвором.К первому варианту относятся элементы, затвор которых отделяется от канала р-п-переходом, смещенным в обратном направлении. Носители заряда входят в канал через электрод, называемый истоком. Выходной электрод, через который носители заряда уходят, называется стоком. Третий электрод – затвор выполняет функцию регулировки поперечного сечения канала.Когда к истоку подключается отрицательное, а к стоку положительное напряжение, в самом канале появляется электрический ток. Он создается за счет движения от истока к стоку основных носителей заряда, то есть электронов. Еще одной характерной особенностью полевых транзисторов является движение электронов вдоль всего электронно-дырочного перехода.Между затвором и каналом создается электрическое поле, способствующее изменению плотности носителей заряда в канале. То есть, изменяется величина протекающего тока. Поскольку управление происходит с помощью обратно смещенного р-п-перехода, сопротивление между каналом и управляющим электродом будет велико, а мощность, потребляемая от источника сигнала в цепи затвора, очень мала. За счет этого обеспечивается усиление электромагнитных колебаний не только по току и напряжению, но и по мощности.Существуют полевые транзисторы, у которых затвор отделяется от канала слоем диэлектрика. В состав элемента с изолированным затвором входит подложка – полупроводниковая пластина, имеющая относительно высокое удельное сопротивление. В свою очередь, она состоит из двух областей с противоположными типами электропроводности. На каждую из них нанесен металлический электрод – исток и сток. Поверхность между ними покрывает тонкий слой диэлектрика. Таким образом, в полученную структуру входят металл, диэлектрик и полупроводник. Данное свойство позволяет проверить полевой транзистор мультиметром не выпаивая. Поэтому данный вид транзисторов сокращенно называют МДП. Они различаются наличием индуцированных или встроенных каналов.

    Проверка мультиметром

    Перед началом проверки на исправность полевого транзистора мультиметром, рекомендуется принять определенные меры безопасности, с целью предотвращения выхода транзистора из строя. Полевые транзисторы обладают высокой чувствительностью к статическому электричеству, поэтому перед их проверкой необходимо организовать заземление. Для снятия с себя накопленных статических зарядов, следует воспользоваться антистатическим заземляющим браслетом, надеваемым на руку. В случае отсутствия такого браслета можно просто коснуться рукой батареи отопления или других заземленных предметов.Хранение полевых транзисторов, особенно с малой мощностью, должно осуществляться с соблюдением определенных правил. Одно из них заключается в том, что выводы транзисторов в этот период, находятся в замкнутом состоянии между собой. Конфигурация цоколей, то есть расположение выводов в различных моделях транзисторов может отличаться. Однако их маркировка остается неизменной, в соответствии с общепринятыми стандартами. Затвор по-английски означает Gate, сток – Drain, исток – Source, а для маркировки используются соответствующие буквы G, D и S. Если маркировка отсутствует необходимо воспользоваться специальным справочником или официальным документом от производителя электронных компонентов.Проверку можно выполнить с помощью стрелочного омметра, но более удобной и эффективной будет прозвонка цифровым мультиметром, настроенным на тестирование p-n-переходов. Полученное значение сопротивления, отображаемое на дисплее, на пределе х100 численно будет соответствовать напряжению на р-п-переходе в милливольтах. После подготовки можно переходить к непосредственной проверке. Прежде всего нужно знать, что исправный транзистор обладает бесконечным сопротивлением между всеми его выводами. Прибор должен показывать такое сопротивление независимо от полярности щупов, то есть прикладываемого напряжения.Современные мощные полевые транзисторы имеют встроенный диод, расположенный между стоком и истоком. В результате, при решении задачи, как прозвонить полевой транзистор мультиметром, канал сток-исток, ведет себя аналогично обычному диоду. Отрицательным щупом черного цвета необходимо коснуться подложки – стоку D, а положительным красным щупом – вывода истока S. Мультиметр покажет наличие прямого падения напряжения на внутреннем диоде до 500-800 милливольт. В обратном смещении, когда транзистор закрыт, прибор будет показывать бесконечно высокое сопротивление.Далее, черный щуп остается на месте, а красный щуп касается вывода затвора G и вновь возвращается к выводу истока S. В этом случае мультиметр покажет значение, близкое к нулю, независимо от полярности приложенного напряжения. Транзистор откроется в результате прикосновения. Некоторые цифровые устройства могут показывать не нулевое значение, а 150-170 милливольт.Если после этого, не отпуская красного щупа, коснуться черным щупом вывода затвора G, а затем возвратить его к выводу подложки стока D, то в этом случае произойдет закрытие транзистора, и мультиметр вновь отобразит падение напряжения на диоде. Такие показания характерны для большинства п-канальных устройств, используемых в видеокартах и материнских платах. Проверка р-канальных транзисторов осуществляется таким же образом, только со сменой полярности щупов мультиметра.

    Источник: https://electric-220.ru/news/kak_proverit_polevoj_tranzistor_multimetrom/2017-03-15-1200

    Полевой транзистор MOSFET

    Транзистор является полупроводниковым электронным компонентом. Мы относим его к активным элементам схемы, поскольку он  позволяет преобразовывать  электрические сигналы (нелинейно).Полевой транзистор или MOSFET ( Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) — полевый транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник. Поэтому его часто еще называют просто МОП транзистор.Производимые по этой технологий транзисторы состоят из трех слоев:

    • Первый слой  — это пластина, вырезанная из однородного кристалла кремния  или из кремния с примесью германия.
    • Второй по порядку слой — напыление очень тонкой прослойки диэлектрика (изолятора) из диоксида кремния или оксида металла (оксиды алюминия или циркония). Толщина этого слоя составляет, в зависимости от технологии исполнения, около 10 нм, а  в лучшем варианте толщина этого слоя может иметь около 1,2 нм. Для сравнения: 5 атомов кремния, расположенных друг над другом вплотную как раз составляют толщину, близкую к 1,2 нм.
    • Третий слой – это слой состоит из хорошо проводящего металла. Чаще всего для этой цели используют золото.

    Конструкция такого транзистора схематично представлена ниже:

    Следует отметить, что полевые транзисторы бывают двух типов: N-типа и  P-типа, почти так же, как и в случае с биполярными транзисторами, которые производятся в вариантах PNP и NPN.

    Среди полевых транзисторов  гораздо чаще встречается N-тип. Кроме того, существуют полевые транзисторы:

    • с обедненным каналом, то есть такие, которые пропускают через себя слабый ток   при отсутствии напряжении на  затворе, и чтобы полностью его запереть необходимо подать на затвор обратное смещение  в пару вольт;
    • с обогащенным каналом – это такой вид полевых транзисторов, которые  при  отсутствии напряжения на затворе  не проводят ток, а проводят его лишь тогда, когда напряжение, приложенное к затвору, превышает напряжение истока.

    Большим преимуществом полевых транзисторов   является то, что они управляются напряжением, в отличие от биполярных транзисторов, которые управляются током.

    Легче понять принцип их действия полевого транзистора на примере гидравлического крана.

    Чтобы управлять потоком жидкости под высоким давлением в большой трубе, требуется мало усилий, чтобы открыть или закрыть кран. Другими словами, при небольшом объеме работы, мы получаем большой эффект. Небольшая сила, которую мы прикладываем к ручке крана управляет намного большей силой воды, которая давит на клапан.

    Благодаря этому свойству полевых транзисторов, мы можем управлять токами и напряжениями, которые намного выше, чем те, которые выдает нам, например, микроконтроллер.

     Как уже было отмечено ранее, обычный MOSFET, как правило, не проводит ток на пути источник – сток. Чтобы перевести такой транзистор состояние проводимости необходимо подать напряжение между истоком и затвором так, как указано на рисунке ниже.

    На следующем рисунке приведена вольт-амперная характеристика транзистора IRF540.

    На графике видно, что транзистор начинает проводить тогда, когда напряжение между затвором и истоком приближается к 4В. Однако для полного открытия нужно почти 7 вольт. Это гораздо больше, чем может выдать   микроконтроллер на выходе.

    В некоторых случаях может быть достаточным ток  на уровне 15 мА и напряжением 5В. Но что делать, если это слишком мало? Есть два выхода.

    1. Можно применить специальные МОП-транзисторы с пониженным напряжением затвор – исток, например, BUZ10L.
    2. Как вариант можно использовать дополнительный усилитель для повышения управляющего напряжения.

    Независимо от сферы применения, каждый полевой транзистор имеет несколько ключевых параметров, а именно:

    • Допустимое напряжение сток-исток: UDSmax
    • Максимальный ток стока: IDmax
    • Пороговое напряжение открытия: UGSth
    • Сопротивление канала в открытом состоянии: RDSon 

    Во многих случаях ключевым параметром является RDSon, поскольку косвенно указывает нам на потерю мощности, которая крайне нежелательна.

    Для примера возьмем транзистор в корпусе ТО-220 с сопротивлением RDSon = 0,05 Ом и протекающий через этот транзистор ток в  4А.

    Давайте посчитаем потери мощности:

    • UDS=0,05Ом х 4A=0,2В
    • P=0,2В х 4A=0,8Вт

    Мощность потерь, которую способен рассеивать транзистор в корпусе ТО-220 составляет чуть более 1 Вт, так что в этом случае можно обойтись без радиатора. Однако, уже для тока 10А потери составят 5Вт, так что без радиатора никак не обойтись.

    Следовательно, чем меньше RDSon, тем лучше. Поэтому при выборе MOSFET транзистора для конкретного применения следует всегда принимать во внимание этот параметр.

    На практике с увеличением допустимого напряжения UDSmax растет сопротивление исток-сток. По этой причине не следует выбирать транзисторы с большим, чем это требуется UDSmax.

    Источник: http://fornk.ru/2019-polevoj-tranzistor-mosfet/

    Цоколевки Отечественных Транзисторов

    При подборе аналогов деталей по схемам, всегда возникает вопрос правильного их монтажа на печатной плате. Цоколевка (распиновка) транзисторов. Вот сейчас хочу описать и выложить на одной странице цоколевки (распиновки) всех отечественных  транзисторов, чтобы Вас вопрос расположения ножек транзисторов не вводило в заблуждение.

    2Т709А2, 2Т709Б2, 2Т709В2, 2Т716А1, 2Т716Б1, 2Т716В1, КТ812А, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ, КТ805ИМ, КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТ835А, КТ835Б, КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П, КТ837Р, КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф

    КТ858А, КТ859А, КТ812А, КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г, КТ850А, КТ850Б, КТ850В, КТ851А, КТ851Б, КТ851В, КТ852А, КТ852Б, КТ852В, КТ852Г, КТ853А, КТ853Б, КТ853В, КТ853Г, КТ854А, КТ854Б, КТ855А, КТ855Б, КТ855В, КТ857А, КТ863А, КТ899А, КТ8108А, КТ8108Б, КТ8109А, КТ8109Б, КТ8110А, КТ8110Б, КТ8110В, КТ8140А, КТ8116А, КТ8116Б, КТ8116В, КТ8118А, КТ8120А, КТ8121А, КТ8121Б, КТ8123А, КТ8124А, КТ8124Б, КТ8124В КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ203А, КТ203Б, КТ203В, КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е, КТ3102Ж, КТ3102И, КТ3102К, КТ3108А, КТ3108Б, КТ3108В, КТ3117А, КТ3117Б, КТ3127А, КТ3128А, КТ313А, КТ313Б, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д, КТ342А, КТ342Б, КТ342В, КТ347А, КТ347Б, КТ347В, КТ349А(исполнение1), КТ349Б(исполнение1), КТ349В(исполнение1), КТ363А, КТ363Б КТ208А, КТ208Б , КТ208В , КТ208Г , КТ208Д , КТ208Е , КТ208Ж , КТ208И , КТ208К , КТ208Л , КТ208М , КТ339А , КТ339Б , КТ339В , КТ339Г , КТ339Д , КТ501А , КТ501Б , КТ501В , КТ501Г , КТ501Д , КТ501Е , КТ501Ж , КТ501И , КТ501К , КТ501Л , КТ501М КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ, КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ, КТ208А1, КТ208Б1, КТ208В1, КТ208Г1, КТ208Д1, КТ208Е1, КТ208Ж1, КТ208И1, КТ208К1, КТ208Л1, КТ208М1, КТ209А, КТ209Б, КТ209Б1, КТ209В, КТ209В1, КТ209В2, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М, КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е, КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е, КТ306АМ, КТ306БМ, КТ306ВМ, КТ306ГМ, КТ306ДМ, КТ3102АМ, КТ3102БМ, КТ3102ВМ, КТ3102ГМ, КТ3102ДМ, КТ3102ЕМ, КТ3102ЖМ, КТ3102ИМ, КТ3102КМ, КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д, КТ3107Е, КТ3107Ж, КТ3107И, КТ3107К, КТ3107Л, КТ3117А1, КТ3126А, КТ3126Б, КТ3128А1, КТ313АМ, КТ313БМ, КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ГМ, КТ316ДМ, КТ349А(исполнение2), КТ349Б(исполнение2), КТ349В(исполнение2), КТ342АМ, КТ342БМ, КТ342ВМ, КТ342ГМ, КТ342ДМ, КТ345А, КТ345Б, КТ345В, КТ350А, КТ351А, КТ351Б, КТ352А, КТ352Б, КТ355АМ, КТ363АМ, КТ363БМ, КТ368АМ, КТ368БМ КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д КТ601АМ, КТ601АМ, КТ602АМ, КТ602БМ, КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г, КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г, КТ816А, КТ816А2, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г, КТ817А, КТ817Б, КТ817Б2, КТ817В, КТ817Г, КТ817Г2, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ8130А, КТ8130Б, КТ8130В, КТ8131А, КТ8131Б, КТ8131В, КТ940А, КТ940Б, КТ940В, КТ961А, КТ961Б, КТ961В, КТ969А, КТ972А, КТ972Б, КТ973А, КТ973Б, КТ997А, КТ997Б, КТ9115А КТ3101А-2, КТ3115А-2, КТ3115В-2, КТ3115Г-2, КТ3123А-2, КТ3123Б-2, КТ3123В-2, КТ372А, КТ372Б, КТ372В, КТ391А-2, КТ391Б-2, КТ391В-2 КТ3109А, КТ3109Б, КТ3109В КТ312А, КТ312Б, КТ312В, КТ325А, КТ325Б, КТ325В КТ3120А, КТ371А, КТ382А, КТ382АМ, КТ382Б, КТ382БМ КТ3129А-9, КТ3129Б-9, КТ3129В-9, КТ3129Г-9, КТ3129Д-9, КТ3130А-9, КТ3130Б-9, КТ3130В-9, КТ3130Г-9, КТ3130Д-9, КТ3130Е-9, КТ3130Ж-9, КТ3168А-9 КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Г1, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И, КТ315Н, КТ315Р, КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Г1, КТ361Д, КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К КТ3157А, КТ325АМ, КТ325БМ, КТ325ВМ, КТ339АМ КТ368А, КТ368Б, КТ399А, КТ399АМ КТ504А, КТ504Б, КТ504В, КТ505А, КТ505Б, КТ506А, КТ506Б КТ601А КТ602А, КТ602Б, КТ602В, КТ602Г, КТ801А, КТ801Б КТ807А, КТ807Б КТ872А, КТ872Б, КТ872В, КТ8111А, КТ8111Б, КТ8111В, КТ8114А, КТ8114Б, КТ8114В КТ879А, КТ879Б КТ886А1, КТ886Б1, КТ8127А1, КТ8127Б1, КТ8127В1 КТ890А, КТ890Б, КТ890В, КТ896А, КТ896Б, КТ896В, КТ898А, КТ898Б, КТ8101А, КТ8101Б, КТ8102А, КТ8102Б, КТ8106А, КТ8106Б, КТ8117А КТ898А1, КТ898Б1 КТ999А ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В ГТ328А, ГТ328Б, ГТ328В, ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В ГТ906А ГТ905А, ГТ905Б, ГТ906АМ 2Т713А, КТ812Б, КТ812В, 2Т812А, 2Т812Б, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ, 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, КТ710А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ, КТ812Б, КТ812В, 2Т812А, 2Т812Б, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, КТ826А, КТ826Б, КТ826В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В, КТ828А, КТ828Б, КТ834А, КТ834Б, КТ834В, КТ838А, КТ839А, КТ840А, КТ840Б, КТ841А, КТ841Б, КТ841В, КТ846А, КТ846Б, КТ846В, КТ847А, КТ848А, КТ8127А, КТ8127Б, КТ8127В, КТ878А, КТ878Б, КТ878В, КТ892А, КТ892Б, КТ892В, КТ897А, КТ897Б, КТ8104А, КТ8105А, КТ8107А, КТ8107Б, КТ8107В, КТ8129А, КТ945А

    Если все же у меня получился не полный список цоколевки (распиновки) транзисторов, то прошу это указать в комментариях к данному посту, или если вы заметите какие-либо ошибки, отклонения описания цоколевки (распиновки) транзисторов.

    Страницы:

    Необходимо авторизоваться, чтобы комментировать.

    Большая бутылка шампанского 3 литра купить, виски смотрите на http://www.cognac-whisky.ru.

    Источник: http://best-chart.ru/markirovka-kodirovka-uslovnye-oboznacheniya-radiodetalej/cokolevki-raspinovki-vsex-otechestvennyx-tranzistorov.html

Ссылка на основную публикацию
Adblock
detector