Новые ИС процессоров обработки видеосигнала компании ON Semiconductor
Энергосберегающие ИС хорошо подходят для применения в разработках, использующих жидкокристаллические экраны с небольшой диагональю, таких как камеры заднего вида автомобилей
10 января 2013.
Компания ON Semiconductor представила две новых высокоинтегрированных ИС процессора обработки видеосигнала, предназначенных для использования в таких разработках как: камеры заднего вида автомобилей, навигационные системы автомобилей и различных потребительских видеосистемах безопасности, в которых применены ЖКИ дисплеи небольших размеров.
ИС LC749000PT, предназначенная для автомобильных применений и ИС LC749000AT созданная для применения в бытовых товарах, поддерживают различные режимы энергосбережения и используют усовершенствованную технологию обработки сигналов, с целью повышения качества изображений, созданных с применением алгоритмов компрессии данных.
Поддерживающие работу с разрешениями экрана до стандарта WVGA, процессоры LC749000PT и LC749000AT интегрируют АЦП, имеющего возможность быть подключенным напрямую к выходу аналоговой видеокамеры. Встроенная схема декодирования изображения поддерживает декодирование видеосигналов как NTSC, так и PAL стандартов.
Размер декодированного изображения корректируется в соответствии с разрешением подключенного ЖКИ дисплея схемой прореживания/масштабирования, также повышающего качество изображения.
Далее 24- или 18- битный RGB выход с функцией размывания передаётся на ЖКИ панель дисплея встроенным программируемым контроллером синхронизации.
Новые ИС процессоров обработки изображений компании ON Semiconductor обладают специальными свойствами, предназначенными для оптимизации выводимых на экран изображений.
Некоторые из них: модуль масштабирования – схема, автоматически масштабирующая выходные видеоданные к корректному разрешению дисплея, схема калибровки – схема, предназначенная для сглаживания грубых градиентов изображения.
Тем временем, встроенная схема динамической гамма-коррекции помогает улучшить видимость слабосвещённых изображений и повысить контраст дисплея в видео- и камера- приложениях, при различных уровнях освещённости. Программируемая функция гамма-коррекции позволяет быстро, легко и удобно калибровать ЖКИ панели.
Оба новых компонента содержат блоки экранного меню (OSD), позволяющие налагать текстовые символы на изображение. Компоненты также содержат интегрированный переключатель экранного меню, позволяющий получать более совершенное наложение графики, путём подключения дополнительной графической ИС.
Тем временем, применение широтно-импульсной модуляции в блоке управления светодиодной подсветкой помогает снизить энергопотребление приблизительно на 35 процентов. ИС LC749000PT и LC749000AT управляются внешним микроконтроллером, посредством последовательного информационного интерфейса стандартов I2C или SPI.
Управляемая аппаратными средствами обработка изображения минимизирует усилия программного обеспечения микроконтроллера и в видеоустройствах автомобиля.
Внешняя начальная загрузка ИС с EEPROM-источника данных гарантирует, что ЖКИ дисплей становится работоспособным сразу при включении двигателя машины – это является важной особенностью для камер заднего вида, а также для многих неавтомобильных применений.
“Камеры заднего вида и множество других разработок, применяющих небольшой ЖКИ экран – как для автомобильных, так и других устройств становятся все более и более популярными,” сказал Хидея Охэши, генеральный директор подразделения устройств SANYO компании ON Semiconductor.
” С такими требованиями появляется всё больше разработок, предъявляющих все более и более строгие требования к характеристикам чёткости изображения для повышения привлекательности разработок, включая устройства безопасности.
Кроме того, существует проблема сокращения потребляемой устройствами электрической мощности, в особенности в автомобильных системах, для минимизации электропотребления от батарей.
Новые ИС процессоров обработки изображений компании ON Semiconductor удовлетворяют оба набора требований и предназначены для более быстрой адаптации данной, важной, технологии.”
Корпусирование и цены
ИС LC749000PT и LC749000AT предлагаются в не содержащем свинца 120-контактном корпусе формфактора TQFP не содержащего галогены, по цене 8,00$/шт., при объёмах поставки 1000 штук.
Источник новости
Источник: http://cxem.net/electronic_news/electronic_news39.php
Новое поступление компонентов производства ON Semiconductor – Лента новостей
08.08.2017
На склад “Промэлектроники” поступили компоненты фирмы ON Semiconductor.
Среди новых поступлений – IGBT-транзисторы FGH40N60SMD, которые являются аналогом SGH80N60UFD (снятых с производства), ранее используемых различными производителями при производстве сварочных инверторов, систем управления двигателями и приводов роботизированных устройств.
Основные технические характеристики SGH80N60UFD (сняты с производства):
- Тип управляющего канала: N-канал
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Максимальный постоянный ток коллектора: 40 А
- Максимальная мощность рассеивания: 195 Вт
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.1 В
- Время нарастания: 50 нс
- Корпус: TO3P
Основные технические характеристики FGH40N60SMD (подтвержденная замена, согласно документации производителя):
- Тип управляющего канала: N-канал
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Максимальный постоянный ток коллектора: 40 А
- Максимальная мощность рассеивания: 349 Вт
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.9 В
- Время нарастания: 20 нс
- Корпус: TO247
Компания ON Semiconductor была основана в 1999 году путем отделения от Motorola Semiconductor. На сегодняшний день ONS предлагает широкий спектр продуктов, используемых для управления питанием, работы с аналоговыми сигналами, систем цифровой и смешанной обработки сигналов, формирования тактовых сигналов и их распределения.
Номенклатура компании также существенно пополняется в результате присоединения перспективных компаний, таких как: AMIS Holdings (цифровые микросхемы и микросхемы для смешанной обработки сигналов) в 2008 г.
, Sanyo Semiconductor (системы управления питанием, аудио/видео решения) в 2011 г., Cypres (матрицы для видеокамер) в 2011 г., Truesense Imaging и Aptina Imaging (датчики изображения) в 2014 г., Axsem (радиочастотные решения) в 2015 г.
, Fairchild (управление электропитанием) в 2016 г.
После приобретения компании Fairchild, ON Semiconductor стал крупнейшим поставщиком дискретных компонентов и микросхем управления электропитанием для широкого применения.
Штаб-квартира расположена в г.Phoenix (США).
Компоненты On Semiconductor используются в устройствах мировых производителей автомобильной электроники, систем вычислительной техники, военного, аэрокосмического, промышленного и медицинского применения (а также в широком круге “общих применений”).
On Semiconductor выпускает на глобальный рынок следующие полупроводниковые приборы:
- компоненты для систем управления питанием и мониторинга тепловых режимов
- микросхемы для формирования и распределения тактовых сигналов
- драйверы дисплеев и силовые драйверы
- микросхемы для защиты цепей от перегрузок
- аналоговые компоненты и цифровые сигнальные процессоры
- микросхемы для смешанной обработки сигналов
- датчики изображения (ПЗС и КМОП сенсоры)
- усилители и компараторы
- аналоговые ключи
- тиристоры
- диоды
- выпрямители
- оптопары
- полевые и биполярные транзисторы (FET/MOSFET и IGBT)
- микросхемы дифференциальной (ECL/ЭСЛ) логики
- микросхемы стандартной логики
Производственные мощности ON Semiconductor расположены в США, Канаде, Бельгии, Чешской республике, Вьетнаме, Китае, Малайзии, Филиппинах, Японии.
Новое поступление:
Продукцию компании Вы можете заказать, сделав заявку:
Источник: https://www.promelec.ru/company/news/2409/
ON Semiconductor покупает легендарного производителя чипов Fairchild за $2,4 млрд
Компания ON Semiconductor объявила о поглощении одного из старейших американских производителей чипов Fairchild Semiconductor International. Из заявления ON Semiconductor следует, что компания заплатит за Fairchild около $2,4 миллиарда.
Цена за акцию составила $20, что на 12% больше биржевой стоимости одной ценной бумаги Fairchild на момент закрытия биржи во вторник, 17 ноября. В среду до начала торгов акции Fairchild стоили $19,4 за штуку (по состоянию на 15:00 по Москве). Сделку планируется закрыть во втором квартале 2016 года.
Финансовыми консультантами ON Semiconductor по ней выступают Deutsche Bank и BofA Merrill Lynch, а юридическим советником — Morrison & Foerster. Компанию Fairchild консультируют Goldman Sachs и Wachtell, Lipton и Rosen & Katz.
ON Semiconductor рассчитывает профинансировать сделку за счет собственных средств и нового займа. В 2014 году выручка компании составила $3,6 миллиарда.
В результате сделки отрасль получит нового лидера в сегменте силовых полупроводниковых решений с годовой выручкой около $5 миллиардов.
В диверсифицированном предложении компании будет выделено три стратегических направления: автомобильная электроника, промышленная электроника и смартфоны.
Сильным конкурентом ON Semiconductor является китайская компания Tsinghua, которая входит в тройку крупнейших производителей отрасли. В ближайшие пять лет она инвестирует в эту сферу 300 миллиардов юаней ($47 млрд).
В августе Tsinghua Unigroup делала неофициальное предложение о покупке американской Micron Technology Inc. Однако оно было отклонено.
В целом за последние два года китайская организация потратила более $9,4 миллиарда на инвестиции и поглощения, в том числе покупку долей в американской Western Digital Corp и тайваньской Powertech Technology Inc. Недавно было объявлено о вложении $3,775 миллиарда в Western Digital.
Fairchild разрабатывает полупроводниковые решения для управления питанием в электронных устройствах, чипы для автомобилей и электронные преобразователи сигналов. Основанная в 1957 году компания считается одним из старейших производителей микросхем в США. В 1959 году американская компания впервые в мире создала интегральную схему, пригодную для массового производства, и была одной из ключевых фирм Кремниевой долины в 1960-х годах.
В 1979 году нефтесервисная компания Schlumberger поглотила Fairchild Semiconductor. В 1987 году National Semiconductor выкупила Fairchild Semiconductor у Schlumberger. Fairchild Semiconductor снова стала независимой компанией в 1997. С 1999 компания торгуется на Нью-Йоркской бирже.
По данным Thomson Reuters, в этом году общая сумма сделок M&A (слияния и поглощения) в сфере производства полупроводников достигла $80 миллиардов. Эксперты полагают, что в отрасли будет происходить дальнейшая консолидация.
Источник: https://habr.com/post/296506/
Вопросы теории / все номера
Стр. 68
Нил Расмуссен, APC by Schneider Electric
В настоящей статье разъясняются отличия между ваттами и вольт-амперами, а также приводятся примеры правильного и неправильного использования терминов в отношении оборудования резервного электропитания.
Стр. 72
Брайан Барр, Дэн Буркхард, M/A-COM Technology Solutions RF Power Products Group
Поскольку технология мощных GaN-приборов развивается и получает признание на мировом рынке, поставщики изделий просто обязаны подтвердить её надёжность.
Эта статья посвящена подходам к испытаниям, используемым для установления частоты отказов в условиях высоких температур (HTOL) на постоянном токе (DC HTOL) и в режиме усиления СВЧ-сигнала (RF HTOL).
Основное внимание уделено методу испытаний RF HTOL, который использует компания M/A-COM Technology Solutions для аттестации своей новой линейки MAGX дискретных мощных GaN-транзисторов на карбиде кремния. Обсуждаются результаты сравнения надёжности GaN и кремниевых полупроводниковых технологий.
Стр. 62
Александр Мингазин
Статья посвящена проблеме выбора исходных параметров АЧХ классических цифровых БИХфильтров Баттерворта, Чебышева (I и II) и Золотарёва-Кауэра с целью получения минимальной неравномерности ХГВЗ и/или минимальной нелинейности ФЧХ в полосе пропускания.
Рассмотрен ряд вопросов, а именно: как найти оптимальные параметры, какая аппроксимация является наилучшей, насколько хороши решения с квантованными коэффициентами, можно ли улучшить результаты, найденные ранее оригинальными методами аппроксимации, и как сильно влияет выбор исходных параметров на выравнивание ХГВЗ с помощью фазовых корректоров.
Стр. 68
Наталья Гудкова
В статье рассматривается способ управления динамическими объектами с неизвестными математическими моделями, основанный на принципах прямого и обратного адаптивного моделирования объекта.
При этом адаптивные модели в системе управления реализуются в виде трансверсальных фильтров с весовыми коэффициентами, перестраиваемыми по алгоритму наименьших квадратов в режиме реального времени.
Результаты имитационного моделирования системы свидетельствуют об эффективности использования предложенных алгоритмов для адаптивного управления объектами с параметрической и структурной неопределённостью.
Стр. 74
Наталья Гудкова
Рассматривается метод цифровой линеаризации датчиков, основанный на адаптивном обратном моделировании неопределённых динамических объектов.
Модель датчика представляет собой весовой коэффициент, перестраиваемый по методу наименьших квадратов в режиме реального времени. Показано, что предлагаемая адаптивная структура проста в реализации и обеспечивает высокую точность линеаризации.
Приведены результаты компьютерного моделирования, подтверждающие эффективность предложенных алгоритмов.
Стр. 66
Александр Мингазин
В статье рассматривается цифровой БИХ-фильтр второго порядка прямой формы, работающий с фиксированной точкой и единственным округлением после суммирования. Сравниваются существующие верхние границы амплитуды предельных циклов при нулевом входе фильтра и их фактическая максимальная амплитуда, найденная прямым моделированием с помощью алгоритма исчерпывающего поиска.
Иллюстрируются зависимости максимальной амплитуды от значений коэффициентов фильтра. На основе анализа зависимостей установлены области коэффициентов, где фактическая максимальная амплитуда предельных циклов определяется аналитически.
Полученные результаты могут быть использованы при проектировании более сложных структур фильтров, состоящих из звеньев не выше второго порядка, например, каскадных или параллельных.
Стр. 74
Александр Гончаров, Владимир Савенков
Статья посвящена практическим вопросам создания помехоустойчивых систем электропитания. Рассматриваются способы повышения качества электрического питания в распределённых системах на основе модульных унифицированных преобразователей.
Стр. 62
Дмитрий Гаманюк
Автор предлагает способ определения объёма выборки изделий в рамках периодических испытаний для оценки их качества и надёжности на основе теории вероятностей и теоремы Байеса.
Стр. 72
Наталья Гудкова, Владимир Чуйков
Рассматривается метод синтеза упругомассовой системы управления по желаемой переходной характеристике. Показано, что параметры регулятора определяются из соотношений, полученных путём минимизации отклонения переходного процесса в синтезируемой системе от желаемого. Описана методика синтеза, выполнено компьютерное моделирование системы и представлены его результаты.
Стр. 70
Владимир Бартенев
В статье рассмотрены квазиоптимальные адаптивные алгоритмы обнаружения сигналов в условиях априорной помеховой неопределённости, основанные на Марковской и авторегрессионной моделях коррелированных помех.
Оба подхода позволяют приблизиться к оптимальной обработке, не прибегая к обращению оцениваемой ковариационной матрицы помехи.
Несомненным преимуществом обладает авторегрессионный подход, обеспечивающий обнаружение сигналов на фоне многокомпонентных коррелированных помех.
Стр. 68
Георгий Волович
В статье рассмотрены многодатчиковые измерительные схемы, приведены основные соотношения, устанавливающие связь между входными и выходными сигналами, представлена схема на ОУ, устраняющая взаимное влияние датчиков.
Стр. 70
Александр Мингазин
В статье рассматриваются каскадные цифровые БИХ-фильтры на базе звеньев 2-го порядка прямой формы, оперирующие с фиксированной точкой. Округление в фильтрах выполняется как внутри звеньев, так и между ними, что даёт возможность выбрать неидентичными длины слов переменных в цепях прямой и обратной связи.
Представлены варианты определения длины слова, основанные на вероятностной, детерминированной и фактической оценке ошибки, обусловленной округлениями.
Для этих вариантов на конкретных примерах показано, как сильно отличаются длины слов в цепях прямой и обратной связи, какое упрощение даёт введение округления между звеньями и на сколько необходимо увеличить длину слова в цепях обратной связи, если требуется устранить предельные циклы на выходе фильтра при нулевом входе.
Стр. 66
Мария Беляева
Необходимость в распознавании синхронизации псевдослучайных последовательностей возникает, если входящая последовательность содержит ошибки. Предлагается способ решения этой задачи. Исследуются условия его применимости, приводятся результаты моделирования.
Стр. 72
Михаил Григорян
В статье рассмотрена проблема гибкого и эффективного использования умножителей при организации прореживания высокоскоростного цифрового потока в цифровых фильтрах-дециматорах. Описаны способы, позволяющие организовать параллельные вычисления на скоростях, превышающих скорость следования отсчётов.
Стр. 76
Наталья Гудкова
В статье рассматривается задача цифровой узкополосной фильтрации, базирующейся на принципах адаптивного подавления помех. Выполнен анализ схемы одночастотного адаптивного фильтра. Получены дискретные передаточные функции и соответствующие им алгоритмы функционирования узкополосных фильтров с заданной частотой настройки.
Разработана простая методика синтеза, обеспечивающая требуемые значения добротности и быстродействия фильтров. Показано, что динамические характеристики предлагаемых алгоритмов полностью соответствуют динамическим характеристикам алгоритмов адаптивного фильтра второго порядка с перестраиваемыми весовыми коэффициентами.
Приведены результаты компьютерного моделирования, подтверждающие эффективность предложенных решений.
Стр. 74
Сергей Гончаров, Анатолий Силаев, Геннадий Шишкин
В статье представлен способ помехоустойчивого кодирования с формированием состояний контрольных разрядов путём попарного сложения по модулю 2 состояний всех информационных разрядов.
Стр. 54
Олег Дворников, Виталий Гришков, Ольга Громыко
В статье проанализировано влияние проникающей радиации на параметры основных интегральных элементов. Рассмотрены конструктивнотехнологические особенности транзисторов, предназначенных для реализации аналого-цифровых компонентов радиационно-стойких микроэлектронных устройств типа «система в корпусе».
Стр. 72
Владимир Бартенев
В статье описан новый способ формирования оценки доплеровской разности фазы коррелированной помехи, который представляет собой попытку улучшения геометрического способа без существенных аппаратурных затрат. Представлены результаты расчёта нескольких способов формирования оценки, выполненные в программе MATLAB.
Стр. 74
Александр Мингазин
В статье рассматривается задача синтеза цифровых фильтров на основе параллельного соединения двух фазовых цепей с конечной длиной слова коэффициентов. Для её решения предлагается использовать модифицированный алгоритм вариации исходных параметров, который может значительно улучшить результаты синтеза.
Суть модификации – использование ещё одного варьируемого параметра, а именно порядка фильтра, который изменяется в алгоритме непрерывно, принимая нецелочисленные значения в соотношениях для расчёта коэффициентов. При этом собственно порядок фильтра остаётся неизменным и равным целому числу.
Эффективность алгоритма подтверждена примерами синтеза.
Стр. 72
Наталия Гудкова
В статье рассматривается задача линеаризации амплитудной характеристики усилителя мощности (УМ ) на основе адаптивного обратного моделирования объектов типа «чёрный ящик».
Выполнен анализ цифрового метода предыскажения сигналов в тракте усиления, основанного на табличном представлении алгоритмической модели УМ. Предложен алгоритм цифровой адаптивной линеаризации коэффициента передачи усилителя, который не требует предварительного составления таблиц.
Приведены результаты компьютерного моделирования системы, подтверждающие эффективность предложенных решений.
Стр. 72
Александр Майстренко
О скинэффекте и методах борьбы с ним знает каждый специалист, работающий с относительно высокочастотными приложениями. Принято считать, что он проявляется на частотах, начинающихся с сотен килогерц, а в звуковом диапазоне им можно пренебречь. Но оказывается, поверхностный эффект создаёт проблемы в межблочных и акустических кабелях именно на низких частотах!
Стр. 70
Виктор Джиган
Настоящая статья является введением в теорию и практику адаптивной фильтрации.
В ней рассмотрены основные понятия и термины, используемые в адаптивной обработке сигналов, структуры адаптивных фильтров, целевые функции, лежащие в основе функционирования адаптивных фильтров, а также ряд наиболее известных приложений адаптивных фильтров, таких как подавление эхо-сигналов, выравнивание электрических характеристик каналов связи, адаптивные антенные решётки, шумоочистка и линейное предсказание.
Стр. 78
Владимир Бартенев
Рассмотрены несколько алгоритмов построения обнаружителя сигналов с квадратурной обработкой, включая упрощённые, когда на порог подаётся квадрат огибающей, или сумма модулей сигналов квадратурных каналов, или максимальное значение модуля одной из квадратур. Данные алгоритмы распространены на многоканальное построение обнаружителей сигналов. Сопоставление алгоритмов по характеристикам обнаружения показало, что более простые в реализации алгоритмы по эффективности незначительно уступают оптимальному.
Стр. 72
Виктор Джиган
Настоящая статья является введением в теорию и практику адаптивной фильтрации.
В ней рассмотрены основные понятия и термины, используемые в адаптивной обработке сигналов, структуры адаптивных фильтров, целевые функции, лежащие в основе функционирования адаптивных фильтров, а также ряд наиболее известных приложений адаптивных фильтров, таких как подавление эхо-сигналов, выравнивание электрических характеристик каналов связи, адаптивные антенные решётки, шумоочистка и линейное предсказание.
Стр. 56
Виктор Джиган
Настоящая статья является введением в теорию и практику адаптивной фильтрации.
В ней рассмотрены основные понятия и термины, используемые в адаптивной обработке сигналов, структуры адаптивных фильтров, целевые функции, лежащие в основе функционирования адаптивных фильтров, а также ряд наиболее известных приложений адаптивных фильтров, таких как подавление эхо-сигналов, выравнивание электрических характеристик каналов связи, адаптивные антенные решётки, шумоочистка и линейное предсказание.
Стр. 64
Сергей Зайцев
https://www.youtube.com/watch?v=zm0SfFi9ce4
В статье приведён краткий обзор основных параметров, используемых при различных методах измерения интервалов времени и частоты сигналов.
Стр. 66
Натан Фельдман
Рассмотрены волноводные СВЧ-камеры, реализующие различные процессы обработки материалов в СВЧ-электромагнитном поле, когда материал проходит через серию камер непрерывным потоком, пересекая каждую из них в плоскости, параллельной узкой стенке волновода. Определено взаимное расположение проходных щелей в волноводе, их длина, ширина, а также методы защиты входа и выхода камеры от паразитных электромагнитных излучений. Проанализированы методы измерения текущих диэлектрических характеристик материала.
Стр. 70
Евгений Силкин
Схемы автономных одноключевых параллельных инверторов напряжения являются перспективными для применения в устройствах силовой электроники больших мощностей и частот.
Стр. 70
Евгений Силкин
Схемы автономных одноключевых параллельных инверторов напряжения являются перспективными для применения в устройствах силовой электроники больших мощностей и частот.
Стр. 64
Натан Фельдман
На примере волноводной СВЧ-камеры рассматриваются особенности прохождения термических процессов в СВЧ-электромагнитном поле.
Показано, что основными преимуществами сушки в СВЧ-электромагнитном поле являются увеличение КПД и управляемости процессом за счёт измерения меняющихся диэлектрических характеристик материала.
Предложена методика, позволяющая определить целесообразность проведения термической обработки материала в СВЧ-электромагнитном поле и оптимизировать параметры этого процесса.
Стр. 70
Григорий Зеленов
В статье показано, что для обработки сигналов с матриц, а также измерения их параметров можно использовать эргодическую гипотезу. Описывается проект экспериментальной установки для измерения параметров матриц в ИК-диапазоне.
Источник: https://www.soel.ru/rubrikator/elementy-i-komponenty/
Беспроводные однокристальные микроконтроллеры
Специализирующаяся на компонентах для беспроводной передачи данных, компания Nordic Semiconductor наряду с беспроводными контроллерами общего назначения предлагает ряд систем, которых условно можно назвать сетевыми процессорами, ориентированные на популярные беспроводные персональные сети ANT, Bluetooth.
Технология Bluetooth® Low Energy (BLE) является дополнением к спецификации Bluetooth – Bluetooth Core Specification позволяющий существенно снизить общее потребление устройств Bluetooth.
Это открывает новый спектр приложений Bluetooth, включая часы, датчики приближения, датчики состояния организма в фитнесе или спорте, устройства удаленного управления, системы мониторинга состояния здоровья.
nRF51822 является сетевым процессором Bluetooth из линейки µBlue™ работающим в стандарте BLE – BLE-процессор [71].
nRF51822 построена на базе управляющего 32-разрядного контроллера с ядром 32-bit ARM® Cortex™ M0 с 256 Кбайтами флеш-памяти и 16 Кбайтами оперативной. Встроенный трансивер поддерживает стандарт BLE и при этом совместим с трансиверами серий nRF24L от Nordic Semiconductor.
BLE-процессор обладает богатым набором аналоговых и цифровых периферийных устройств, способных взаимодействовать с памятью и между собой посредством программируемого периферийного интерфейса (Programmable Peripheral Interface – PPI) не задействуя процессорное ядро. Схема отображения выводов внутренних периферийных устройств (ШИМ, последовательные интерфейсы, квадратурный демодулятор) на внешние выводы легко назначать им требуемые позиции в зависимости от разводки печатной платы.
nRF51822 (Рис. 5.15) работает от однополярного источника питания и позволяет пользователю выбирать между работой от внутреннего линейного стабилизатора (при работте от источника в диапазоне напряжений 1.8 – 3.6 В), работы напрямую от источника питания 1.8 В или работы от импульсного понижающего DC/DC преобразователя с выходным напряжением в диапазоне 2.1 – 3.6 В.
Чувствительность приемника порядка -96 дБм, выходная мощность передатчика настраивается в пределах от -10 до +4 дБм.
Рис. 5.15. Структура BLE-процессора nRF51822 и фирменного стека протоколов
Аналогичный сетевой процессор предлагается Nordic Semiconductor и для сетей ANT. ANT предлагается как простое недорогое энергоэффективное решение для организации простых сетей типа точка-точка, звезда [72].
Подходя для многих приложений, ANT является достаточно распространенной в западных странах технологией для сбора, автоматической передачи и отслеживания данных датчиков при занятиях спортом, оздоровительных процедурах, мониторинга состояния здоровья в домашних условиях.
Микросхема nRF51422, со встроенным стеком протоколов ANT, также как и предыдущая система, построена на базе контроллера с ядром 32-bit ARM® Cortex™ M0 (256 Кбайт флеш-памяти и 16 Кбайт ОЗУ). Трансивер ANT-процессора также является совместимым с трансиверами серии nRF24L.
nRF51422 (Рис. 5.16) поддерживает стек протоколов ANT, предоставляемый Dynastream Innovations, и стек протоколов Gazell, свободно доступных в рамках среды разработки nRF514 Software Development Kit.
Рис. 5.16. Структурная схема ANT-процессора nRF51422
Архитектура программного обеспечения для Bluetooth LE и ANT решений систем-на-кристалле снижает сложность разработки приложений для соответствующих стеков протоколов, открывая возможности популярных интегрированных сред разработки для микроконтроллеров ARM Cortex.
Основное преимущество достигается за счет использования новой программной архитектуры, при которой разделяются стек протокола и код пользовательского приложения, что существенно снижает стоимость разработки, включая снижением рисков, связанных с интеграцией приложения и стека.
https://www.youtube.com/watch?v=RWx1OtF7R88
Основные технические параметры сетевых процессоров Nordic Semiconductor:
- ток потребления менее 10 мА (при напряжении питания 3.3В);
- полная совместимость с существующими решениями компании серии nRF24L;
- поддержка конкурентной и неконкурентной работы в диапазоне протоколов, включая Bluetooth low energy, ANT, и проприетарных протоколов 2.4 ГГц;
- поддержка RSSI (индикатор мощности принимаемого сигнала) во всем диапазоне.
Отдельные системные блоки могут включаться или выключаться независимо, а также управлять своими тактовыми сигналами автономно на основании уровня активности. Эффективный интерфейс EasyDMA для радиочастотной части с гибкими буферами FIFO в области ОЗУ. Наличие блока защиты памяти, позволяющего защитить память программы и предварительно скомпилированные выполняющиеся стеки протоколов.
Работа стеков протоколов полностью асинхронна и управляется системой событий с предоставлением программного интерфейса приложения (API) на основе поточно-ориентированного вызова операционной системы на уровне приложения.
Для сетевых приложений диапазона 2.4 ГГц общего плана Nordic Semiconductor предлагает семейство систему-на-кристалле nRF24Lх (nRF24LE1, nRF24LU1+, nRF24LE1 OTP), построенных на базе контроллера архитектуры х51 с трансивером диапазона 2.4 ГГц nRF24L01+ [73].
nRF24LU1+ (Рис. 5.17) включает в себя трансивер nRF24L01+, контроллер с ядром х51, работающий на частотах до 16 МГц 16 или 32 Кбайтами флеш-памяти, 2Кбайта + 256 байт оперативной памяти, USB 2.0 контроллером, криптографическим сопроцессором (AES), встроенным стабилизатором напряжения.
Рис. 5.17. Структурная схема системы-на-кристалле nRF24LU+
nRF24LE1 (Рис. 5.18) обладает практически аналогичной архитектурой за исключением USB контроллера и предназначена в первую очередь для создания автономных устройств. Система обладает достаточно богатым набором периферийных устройств, включая интерфейсы I2C, SPI, UART, 12-битный АЦП, аналоговый компаратор, таймеры с ШИМ выходами.
Трансивер поддерживает передачу данных со скоростями 250 Кбит/с, 1 и 2 Мбит/с при GFSK модуляции. Возможная выходная мощность передатчика 0, -6, -12 или -18 дБм, чувствительность приемника -94 дБм (250 Кбит/с), -82 дБм (2 Мбит/с).
Кроме полнофункциональных СнК Nordic Semiconductor выпускает микросхемы, содержащие только передающую часть, в частности – nRF24E2 – СнК с передатчиком и контроллером х51 (Рис. 5.19).
Рис. 5.19. Структурная схема nRF24E2 – СнК с передатчиком и контроллером х51
В середине декабря компания NXP Semiconductors анонсировала семейство беспроводных микроконтроллеров JN516x с ультранизким энергопотреблением для сетей на базе стеков протоколов JenNet-IP, ZigBee и других, отвечающих спецификации IEEE 802.15.4 [74].
Микросхемы JN516x, содержат интегрированный радиомодуль 2,4 ГГц, 32-разрядный RISC микроконтроллер с периферийными устройствами (последовательные интерфейсы, набор многоканальных таймеров, ШИМ, 4-канальный 10-битный АЦП, программируемый аналоговый компаратор, датчик температуры, генератор случайных чисел). JN516x ориентированы на работу в беспроводных сетях на основе протоколов JenNet-IP, ZigBee Light Link, ZigBee Smart Energy, ZigBee Home Automation и RF4CE.
СнК семейства JN516x (Рис. 5.20) содержат до 256 КБ встроенной флэш-памяти, 4 КБ памяти EEPROM, 32 КБ ОЗУ в микроконтроллере JN5168 для поддержки стеков новейших сетевых протоколов. Еще одна важнейшая характеристика – разнесение антенн по пакетам, позволяющая системе выбирать оптимальную антенну для каждого принимаемого пакета.
В настоящее время для крупных заказчиков доступны опытные образцы, оценочные наборы и микросхемы JN516x. Начало массовых поставок намечено на начало первого квартала 2013 года.
Семейство беспроводных микроконтроллеров JN516x будет включать в себя:
- серию JN5161 для приложений RF4CE и IEEE 802.15.4, объем памяти – 64 КБ флэш, 8 КБ ОЗУ и 4 КБ EEPROM;
- серию JN5164 для приложений JenNet-IP, ZigBee Home Automation и ZigBee Light Link, объем памяти – 160 КБ флэш, 32 КБ ОЗУ и 4 КБ EEPROM;
- JN5168 для приложений ZigBee Smart Energy и шлюзов JenNet-IP, объем памяти – 256 КБ флэш, 32 КБ ОЗУ и 4 КБ EEPROM.
Источник: http://www.intuit.ru/studies/courses/12175/1168/lecture/19594?page=4
ON Semiconductor
Компания ON Semiconductor Corporation (штаб-квартира находится в городе Феникс (Phoenix), шт. Аризона, США) относится к тем производителям электронных компонентов, продукция которых может быть использована в широком круге «общих применений».
В доходах ON Semiconductor специализированные микросхемы и стандартные компоненты составляют приблизительно равные доли.
Список оборудования, в котором можно найти компоненты ON Semiconductor, включает встроенные системы промышленного оборудования и автомобилей, компьютеры, игровые системы, серверы, маршрутизаторы, коммутаторы, системы хранения данных в сети, автоматизированное контрольно-измерительное оборудование. Компания стала надёжным поставщиком фильтров защиты от электромагнитных помех, аналоговых коммутаторов, аудиоусилителей, DC-DC регуляторов, драйверов светодиодов. В сотовых телефонах 4 из 5 ведущих их производителей стоят компоненты ON Semiconductor.
Производственные мощности ON Semiconductor расположены в США (штаты Аризона и Орегон), в Китае, Чешской республике, в Японии, Малайзии, на Филиппинах.
В начале 2008 года ON Semiconductor завершила приобретение AMIS Holdings.
С этим приобретением компания связывает возможность своего присутствия на рынке медицинского оборудования и других ответственных приложений: c разработчиками систем для ответственных применений AMIS Holdings сотрудничал более 30 лет, cпециализированные цифровые микросхемы и микросхемы для смешанной обработки сигналов AMIS Holdings используются в «интеллектуальных» системах управления повышенной надёжности.
На сегодняшний день компания предлагает широкий спектр продуктов, используемых для управления питанием, работы с аналоговыми сигналами, в системах цифровой и смешанной обработки сигналов, формирования тактовых сигналов и их распределения.
Компоненты, предлагаемые компанией для систем управления питанием, позволяют реализовать все необходимые для создания полнофункциональной системы возможности – мониторинг и управление, преобразование напряжений и защиту электрических цепей.
Специализированные интегральные микросхемы ON Semiconductor для аналоговой, цифровой и смешанной обработки сигналов и реализации логических функций лежат в основе «интеллекта» многих автомобильных, медицинских и военных систем, изделий для потребительского и промышленного рынка.
На НИОКР компания направляет около 8% доходов, в 2007 году в продуктовой линейке ON Semiconductor появилось 171 новое семейство продуктов, в первом квартале 2008 года – 36.
Источник: http://www.chipset-spb.com/index.php/brend/141-on-semiconductor
Российский рынок интегральных микросхем (ИМС), дизайна ИМС и контрактного производства. Часть 1. Анализ предложения продукции на российском рынке
Дата выхода первой части исследования: январь 2012 г. Отчет содержит 182 страницы, 34 таблицы, 27 рисунков, 45 диаграмм
Стоимость первой части исследования: предоставляется бесплатно
Смотрите так же:
Российский рынок интегральных микросхем (ИМС), дизайна ИМС и контрактного производства. Часть 2. Анализ потребления продукции на российском рынке __________________________________________________ Отчет представляет собой подробное исследование российского рынка микрочипов со стороны предложения.
В рамках исследования проведен сплошной опрос всех российских производителей микрочипов на предмет: технологического уровня производимой продукции, типов производимых микросхем, объемов и динамики производства, сегментов потребления; проведен сплошной опрос российских дизайнерских компаний на предмет: технологии, типов и проектных норм разрабатываемых микросхем, использование САПРа(свой/чужой), мест размещения производства ИС (Россия/зарубежье), области применения разрабатываемых ИС, скорости проектирования и внедрения в производство новых типов микросхем ; проанализированы данные ФТС; проанализированы общие данные по потребительским сегментам (специфика сегмента, объем потребления чипов по типам, крупнейшие потребители). В исследовании также использованы данные Росстата, финансовые отчетности предприятий-участников отрасли и широкий спектр открытой вторичной информации.
На основании изученной информации представлены следующие данные:
В рамках первой главы представлено описание базовых технологических процессов, используемых в производстве интегральных микросхем, таких как: молекулярно-лучевая эпитаксия; термическое и магнетронное напыление тонких пленок; ионно-лучевая имплантация; химического и ионно-плазменного травления; фото-, электронно-лучевая литография и литография жесткого ультрафиолетового излучения. Кроме этого, приведена классификация технологических поколений изготовления ИС и дано описание современных технологий микроэлектроники, которые необходимо освоить для достижения того или иного технологического уровня производства: технология медных межсоединений, оптическая коррекция близости, технология фазовых масок и иммерсионная литография, технология напряженного кремния и high-k-диэлектриков с металлическим затвором. Кроме того, дана краткая характеристика развития наноэлектроники, описаны методы создания и диагноститки наноразмерных объектов
В рамках второй главы представлены динамика объемов производства ИМС (в шт.) по компаниям-производителям и по стране в целом, структура выпускаемой в стране продукции по типам ИС, структура производства по технологическим уровням ИС (в том числе динамика изменения данных структур), по потребительским сегментам. Типовая структура также дана в стоимостном выражении.
Приведены подробные описания всех компаний-производителей в отрасли: дата основания, собственник/управляющая структура, основное направление деятельности, характеристика используемой технологии, ассортимент выпускаемых ИС, средства проектирования САПР, Производственные мощности, объем продаж (в шт. и руб.
), кол-во (2010г) и скорость внедрения в производство новых типов микросхем, производственные площадки (название, месторасположение), основные сегменты сбыта, планы развития предприятия. Подробные данные также представлены по белорусским предприятиям.
Достаточно подробная информация дана и по российским дизайн-центрам: краткое описание дизайн-центров (дата основания, основное направление деятельности, характеристика используемой технологии, ассортимент заказываемых ИС, средства проектирования САПР, компании-партнеры и их производственные площадки, основные сегменты сбыта, планы развития предприятия).
Кроме того, продемонстрирована структура продукции по типам заказных ИС (в шт. и дол.) и структура их распределения по потребительским сегментам (2010г), а также данные о скорости разработки новых типов микросхем.
В рамках третьей главы глубоко проанализированы импортные поставки ИС в РФ.
Представлены динамика и объемы ввоза интегральных микросхем на внутренний рынок за 2008 – 2010гг, 2011(1-е полугодие), выделены основные поставщики ИС, обозначены географическая сегментация поставщиков, региональное распределение импорта ИС в Россию (Азия, Центральная и Южная Америка, Северная Америка, Европа, Африка).
Показана структура распределения поставляемых в 2010 году ИС по типам (процессоры, контроллеры, обработка сигналов, микросхемы питания, микросхемы памяти, ПЛИС, ID- и RFID- чипы) и по назначению (автоэлектроника, бытовая электроника, НИР и мед.
техника, идентификация, ВПК и авиакосмос, транспорт и логистика, компьютерная техника, промышленная электроника, телекоммуникация и связь). Предоставлены сведения о крупнейших поставщиках ИС в 2010 году в разбивке по типам микросхем, а также крупнейших покупателях ИС в России. Все данные показаны в количественном и в стоимостном выражении.
В разделе экспорта продемонстрированы динамика и объемы поставок российских производителей на внешний рынок за 2008 – 2010гг, 2011(1-е полугодие). Представлены данные российских производителей по экспорту ИС за 2010 год. Показано распределение экспортируемой продукции по типам и назначению. Кроме того, дана география экспорта российских компаний. Данные представлены в количественном и стоимостном выражении.
В рамках четвертой главы оценена динамика «видимого» потребления ИС в России (производство минус экспорт плюс импорт), определена структура потребления в зависимости от источника предложения (российское производство, поставки из Белоруссии, импорт), структура потребления по типам микросхем, по сегментам потребления. В разделе потребление по типам дано подробное описание типов микросхем с распределением по сегментам потребления, указаны крупнейшие поставщики ИС на российский рынок (с учетом российских производителей, поставок из Белоруссии и стран дальнего и ближнего зарубежья), их объем и доля в потреблении на российском рынке. Представлен обзор потребителей ИС различного типа в каждом сегменте потребления. В разделе потребление по сегментам подробно проанализированы потребительские сегменты с точки зрения необходимости применения микросхем в том или ином сегменте. Представлено распределение ИС по типам. В каждом сегменте рынка указаны типичные компании-потребители.
Помимо того, представлено краткое описание контрактного производства ИМС в России. Обосновано появление контрактного производства как услуги, обозначен перечень компаний, наиболее активно выступающих на данном рынке.
Компании, упомянутые в отчете:
ОАО “Ситроникс”, ОАО «НИИМЭ и Микрон», ЗАО «ВЗПП-Микрон», ОАО «Ангстрем», ЗАО «Группа Кремний Эл», ОАО «Восход» – КРЛЗ», ОАО «Орбита», ОАО «ВЗПП-С» («Воронежский Завод Полупроводниковых Приборов-Сборка»), ОАО «Протон», ОАО «Экситон» (завод), ЗАО «Светлана ПП», ФГУП «НЗПП с ОКБ», ОАО «Болховский завод полупроводниковых приборов» (БЗПП), ФГУП «НПП «Восток», ОАО «Саранский завод точных приборов», ООО «НПП ТЭЗ» (Томилинский Электронный Завод), ОАО НПП «Сапфир», ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова» (Росатом), ОАО «НПП «ЭлТом» (Электроника Томилино), ФГУП НПП «Пульсар», ФГУП «НИИЭТ», ФГУП «НПП «ИСТОК», ОАО «НПО «Физика», ОАО «Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов» (ОАО «НИИПП), НПК «Технологический центр» МИЭТ», НПФ «Микран», «НИИСИ РАН» (Научно-исследовательский Институт системных исследований), ОАО «Завод «Реконд», ОАО «ОКБ-Планета», ЗАО НПК Далекс, ЗАО «ОКБ микроэлектроники» (ЗАО «ОКБ МЭЛ»), ЗАО НПП «РЕФ-Оптоэлектроника», ГУП НПЦ «Элвис», ЗАО «ПКК Миландр», ЗАО «МЦСТ», НПК «Технологический центр» МИЭТ», ОАО «Интеграл», УП «Завод полупроводниковых приборов» (г.Минск), «Транзистор» (г.Минск), ГП «Камертон» (г.Пинск), НТЦ «Белмикросистемы» (г.Минск) «Actel Corporation», «Advanced Micro Devices, Inc.», «Alpha & Omega Semiconductors Co.,Ltd», «Altera Corporation», «Analog Devices, Inc.», «Arrow Electronics», «Atmel Corporation», «Avnet company», «Axelite Technology», «China Resources Semiconductor International Ltd», Dynacard Co., Ltd», «EBV Elektronik», «Fujitsu Ltd», «Fulan», «Gemalto», «Hong Kong Fitmax International Trading Limited», «Infineon Technologies AG», «Intel Corporation ltd.», «International Rectifier Corp.», «KEC CO., Ltd», «Logos Smart Card (ASIA) PTE Ltd», «Microchip Technology Inc.», «National Semiconductor», «Neo Fidelity Inc», «Numonyx B.V.», «NXP Semiconductors», «Oberthur Technologies», «ON Semiconductor», «Philips», «PKC Electronics OY», «Ramtron International Corp.», «Rohm Corporation», «Sagem Sécurité», «Samsung Electronics Co.Ltd», «STMicroelectronics», «Texas Instruments Inc.», «Toshiba», «Tyco Electronic Corporation», «Xilinx Corporation», «Zilog Inc.»
ЗАО «НТ-МДТ», ЗАО «Орга Зеленоград», ЗАО “Ситроникс”, ОАО «Гонец Спутниковая Система», ОАО « НТЦ «Спецпроект», ООО «БЕЛИВ», ООО «Жемальто», ООО «Микроэл», ООО «Новокард», ООО «Оптекс Регион», ООО «Самсунг Электроникс Рус Калуга», ООО «Ситроникс Смарт Технологии», ООО «Фоксконн Рус», ООО «Электрокос», ООО «ЭФО», ООО «Янтарь-Электро»,ООО «НПФ Электропривод», OOO «FERRUM», OOO «ТИСком», ГК «Аквариус», ГК «Формоза», ЗАО «ЗХ Стинол», ЗАО «Борисоглебские системы связи», ЗАО «Группа ЕВГО», ЗАО «ЕВРОМИКС», ЗАО «Инкотекс», ЗАО «Конфин-Логика». ЗАО «КРОНТ-М». ЗАО «МАССА-К», ЗАО «Уральский завод вычислительной техники», ЗАО «Эр-Стайл Компьютерс», компания «КБ Связь», компания «DEPO Computers», компания «DESTEN», компания «Etegro Technologies». компания «iRU». компания «Parabel», компания «QTECH», компания «STSS», компания «Zelax», компания «Агат-РТ», компания «АСКОД», компания «К-Систем/Irbis», компания «ОСАТЕК», компания «РОН-Телеком», компания «Хризалис», корпорация «Аэрокосмическое оборудование», НПО «Тензор», НПО «Техника-сервис», НПП «Орион», НПП «Промышленная электроника», ОАО «Веста», ОАО «Калужский завод автомобильного электрооборудования» («КЗАЭ»), ОАО «НПО «Марс», ОАО «Юрьев-Польский завод «Промсвязь», ОАО «Автоэлектроника», ОАО «Газмаш», ОАО «Досчатинский завод медоборудования», ОАО «Елатомский приборный завод», ОАО «Загорский оптико-механический завод», ОАО «Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф. Решетнёва», ОАО «Концерн ПВО «Алмаз-Антей», ОАО «Малоярославецкий приборный завод», ОАО «Марийский машиностроительный завод», ОАО »Медоборудование», ОАО «НИИ Точного Машиностроения» (ОАО «НИИТМ»), ОАО «Новоаннинский завод «ЭМА», ОАО «НПП «Геофизика-Космос», ОАО «Российские космические системы», ОАО «Элара», ОАО Пермская Научно-Производственная Приборостроительная Компания (ПНППК), ООО «Аналитик-ТС», ООО «Блеск-НВФ», ООО «Телесистемы», ООО «ШТАТ» (НИЛ-15), ООО «Альтоника», ООО «Компания Промышленная Электроника», ООО «ЛВС Электроникс», ООО «ЛГ Электроникс Рус», ООО «Микротэк», ООО «МУЛЬТИТРОНИКС», ООО «НПО «Пуск», ООО «Палиха», ООО «СЭПО-ЗЭМ», ООО «УралАвтоКомплект», ООО «Фаствел», ООО «ЭЛСИТ», ФГУП ГРПЗ филиал «Касимовский приборный завод», ФГУП «Государственный Рязанский приборный завод» (ФГУП «ГРПЗ»), Компания «Розан Файнэнс», ЗАО «Новакард», ОАО «Тюменская транспортная система», ООО «Терион-Имидж», Компания «A1CARD», Компания «РуссКом-Кард Плюс»
__________________________________________________
Источник: http://www.centripap.ru/report/microelectronics/microchipone/
Загрузка...