Мощные СВЧ-транзисторы Philips Semiconductors
СВЧ-транзисторы применяются во многих областях человеческой деятельности: телевизионные и радиовещательные передатчики, ретрансляторы, радары гражданского и военного назначения, базовые станции сотовой системы связи, авионика и т. д.
В последние годы заметна тенденция перехода с биполярной технологии производства СВЧ-транзисторов на технологии VDMOS (Vertical Diffusion Metal Oxide Semiconductors) и LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors).
Самая передовая технология LDMOS обладает наилучшими характеристиками, такими, как линейность, усиление, тепловые режимы, устойчивость к рассогласованию, высокий КПД, запас по рассеиваемой мощности, надежность.
Производимые Philips транзисторы имеют исключительно высокую повторяемость характеристик от партии к партии, и компания Philips этим гордится.
При замене вышедших из строя транзисторов можно не беспокоиться о процессе настройки оборудования заново, так как все параметры транзисторов абсолютно идентичны. Этим не может похвастаться ни один из конкурентов Philips.
Все новые разработки Philips базируются на новой современной LDMOS-технологии.
Транзисторы для базовых станций сотовой связи
Кроме транзисторов упакованных в корпуса, Philips выпускает интегрированные модули.
| BLF1043 | 10 | SOT538 |
| BLF1046 | 45 | SOT467 |
| BLF1049 | 125 | SOT502A |
| BLF0810-90 | 16 | SOT502A |
| BLF0810-180 | 32 | SOT502A |
| BLF900-110 | 25 | SOT502A |
| BLF2043 | 10 | SOT538 |
| BLF1822-10 | 10 | SOT467C |
| BLF1822-30 | 30 | SOT467C |
| BLF1820-70 | 65 | SOT502A |
| BLF1820-90 | 90 | SOT502A |
| BLF1822-10 | 1 | SOT467C |
| BLF1822-30 | 4 | SOT467C |
| BLF202230 | 4 | SOT608A |
| BLF2022-70 | 7,5 | SOT502A |
| BLF2022-120 | 20 | SOT539A |
| BLF2022-125 | 20 | SOT634A |
| BLF2022-150 | 25 | SOT634A |
| BLF2022-180 | 35 | SOT539A |
| BGY916 | 19 | BIPOLAR | 900 МГц | GSM |
| BGY916/5 | 19 | BIPOLAR | 900 МГц | GSM |
| BGY925 | 23 | BIPOLAR | 900 МГц | GSM |
| BGY925/5 | 23 | BIPOLAR | 900 МГц | GSM |
| BGY2016 | 19 | BIPOLAR | 1800-2000 МГц | GSM |
| BGF802-20 | 4 | LDMOS | 900-900 МГц | CDMA |
| BGF 844 | 20 | LDMOS | 800-900 МГц | GSM/EDGE (USA) |
| BGF944 | 20 | LDMOS | 900-1000 МГц | GSM/EDGE (EUROPE) |
| BGF1801-10 | 10 | LDMOS | 1800-1900 МГц | GSM/EDGE (EUROPE) |
| BGF1901-10 | 10 | LDMOS | 1900-2000 МГц | GSM/EDGE (USA) |
Отличительные особенности интегрированных модулей:
- LDMOS-технология (пайка прямо на радиатор, линейность, большее усиление), o пониженное искажение,
- меньший нагрев полупроводника за счет использования медного фланца, o интегрированная компенсация температурного смещения,
- 50-омные входы/выходы,
- линейное усиление,
- поддержка многих стандартов (EDGE, CDMA).
Рекомендуемые решения для стандарта GSM: на 800 МГц: BGF844 + BLF1049 на 900 МГц: BGF944 + BLF1049 на 1800 МГц: BGF1801-10 + BLF1820-10 на 1900 МГц: BGF1901-10 + BLF1820-10
Рекомендуемые решения для стандарта CDMA: на 800 МГц: BGF802-20 + BLF0810-180 на 1900 МГц: BGF1901-10 + BLF1820-90
Рекомендуемые решения для стандарта EDGE:
BGF0810-90
- выходная мощность: 40 Вт,
- усиление: 16 дБ,
- КПД: 37%,
- ослабление мощности по соседнему каналу ACPR: -60 дБ,
- амплитуда вектора ошибок EVM: 2%.
BLF1820-90
- выходная мощность: 40 Вт,
- усиление: 12 дБ,
- КПД: 32%,
- ослабление мощности по соседнему каналу ACPR: -60 дБ,
- амплитуда вектора ошибок EVM: 2%.
Транзисторы для вещательных станций
На протяжении последних 25 лет компания Philips сохраняет лидерство в данной области. Использование последних достижений в технологии LDMOS (серии BLF1xx, BLF2xx, BLF3xx, BLF4xx, BLF5xx,) позволяет постоянно укреплять позиции на рынке. В качестве примера можно привести огромный успех транзистора BLF861 для ТВ-передатчиков.
В отличие от транзисторов конкурентов, BLF861 зарекомендовал себя высоконадежным и высокостабильным элементом, защищенным от выхода из строя при отключении антенны. Никто из конкурентов не смог приблизиться к характеристикам BLF861 по стабильности работы.
Можно назвать основные сферы применения таких транзисторов: передатчики на частоты от HF до 800 МГц, частные радиостанции PMR (TETRA), передатчики VHF гражданского и военного назначения.
Таблица 5. L- и S-полосные транзисторы для радаровТипF, ГГцVcc,BTp, мксКоэфф. заполнения, %Мощность, ВтКПД,%Усиление, дБ| L-полоса | RZ1214B35Y | 1,2-1,4 | 50 | 150 | 5 | >35 | >30 | >7 |
| RZ1214B65Y | 1,2-1,4 | 50 | 150 | 5 | >70 | >35 | >7 | |
| RX1214B130Y | 1,2-1,4 | 50 | 150 | 5 | >130 | >35 | >7 | |
| RX1214B170W | 1,2-1,4 | 42 | 500 | 10 | >170 | >40 | >6 | |
| RX1214B300Y | 1,2-1,4 | 50 | 150 | 5 | >250 | >35 | >7 | |
| RX1214B350Y | 1,2-1,4 | 50 | 130 | 6 | >280 | >40 | >7 | |
| Bill 21435 | 1,2-1,4 | 36 | 100 | 10 | >35 | 45 | >13 | |
| BLL1214-250 | 1,2-1,4 | 36 | 100 | 10 | >250 | 45 | >13 | |
| S-полоса | BLS2731-10 | 2,7-3,1 | 40 | 100 | 10 | >10 | 45 | 9 |
| BLS2731-20 | 2,7-3,1 | 40 | 100 | 10 | >20 | 40 | 8 | |
| BLS2731-50 | 2,7-3,1 | 40 | 100 | 10 | >50 | 40 | 9 | |
| BLS2731-110 | 2,7-3,1 | 40 | 100 | 10 | >110 | 40 | 7,5 | |
| Верхняя S-полоса | BLS3135-10 | 3,1-3,5 | 40 | 100 | 10 | >10 | 40 | 9 |
| BLS3135-20 | 3,1-3,5 | 40 | 100 | 10 | >20 | 40 | 8 | |
| BLS3135-50 | 3,1-3,5 | 40 | 100 | 10 | >50 | 40 | 8 | |
| BLS3135-65 | 3,1-3,5 | 40 | 100 | 10 | >65 | 40 | >7 |
| BIPOLAR | MZ0912B50Y | 0,96-1,215 | 50 | 10 | 10 | >50 | >42 | >7 |
| MX0912B100Y | 0,96-1,215 | 50 | 10 | 10 | >100 | >42 | >7 | |
| MX0912B251Y | 0,96-1,215 | 50 | 10 | 10 | >235 | >42 | >7 | |
| MX0912B351Y | 0,96-1,215 | 42 | 10 | 10 | >325 | >40 | >7 | |
| LDMOS | Vds | |||||||
| BLA1011-200 | 1,03-1,09 | 36 | 50 | 1 | >200 | 50 | 15 | |
| BLA1011-10 | 1,03-1,09 | 36 | 50 | 1 | >10 | 40 | 16 | |
| BLA1011-2 | 1,03-1,09 | 36 | 50 | 1 | >2 | – | 18 |
Основные характеристики транзистора BLF861A
- Push-pull-транзистор (двухтактный усилитель),
- выходная мощность более 150 Вт,
- усиление более 13 дБ,
- КПД более 50%,
- закрывает полосу от 470 до 860 МГц (полосы IV и V),
- надежный, устойчивый к рассогласованию,
- устойчив к отключению антенны,
- является индустриальным стандартом в ТВ-передатчиках на сегодняшний день.
Новая модель транзистора BLF647
- разработан на основе BLF861A,
- большой коэффициент усиления 16 дБ на 600 МГц,
- выходная мощность до 150 Вт,
- закрывает полосу от 1,5 до 800 МГц,
- надежный, устойчивый к рассогласованию,
- устойчив к отключению антенны,
- имеет встроенный резистор, позволяющий работать на частотах HF и VHF,
- Push-pull-транзистор (двухтактный усилитель).
Транзистор BLF872
- разрабатывается как более мощная замена BLF861A,
- начало производства 1 квартал 2004 года,
- выходная мощность до 250 Вт,
- самый надежный транзистор по устойчивости к рассогласованию,
- сохраняет линейность,
- сохраняет надежность,
- смещение тока Idq менее 10% на 20 лет,
- коэффициент усиления более 14 дБ,
- закрывает полосу от 470 до 860 МГц.
Транзисторы для радаров и авионики
Новые транзисторы Philips для радаров и авионики также производятся по современной LDMOS-технологии.
Кристаллы, выполненные по технологии LDMOS, меньше нагреваются, являются более надежными, имеют большее усиление, не требуют изолятора между подложкой и радиатором.
Соответственно, для достижения тех же характеристик требуется меньшее число транзисторов, что дополнительно повышает надежность и снижает стоимость изделия.
Новые разработки:
BLA0912-250
- полоса от 960 до 1250 МГц (все главные частоты авионики),
- высокое усиление до 13 дБ,
- надежность, устойчивость к рассогласованию фаз 5:1,
- линейность,
- образцы будут доступны с июня 2003 года.
BLS2934-100
- полоса от 2,9 до 3,4 ГГц (все главные частоты авионики),
- использование стандартного негерметичного корпуса,
- образцы будут доступны к концу 2003 года.
Подводя итоги, можно с уверенностью сказать, что компания Philips идет в ногу со временем и предлагает транзисторы, позволяющие создавать новые устройства, которые обладают более совершенными характеристиками: меньший размер, большая выходная мощность, меньшее число компонентов обвязки и меньшая цена конечного изделия.
Источник: http://cxem.net/sprav/sprav73.php
Производители
По алфавиту A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z Остальные
Вы также можете найти производителей по Группе компонентов (слева от списка фирм)
|
Страницы: 1 2 3 4 5 … 76 следующая
Источник: http://catalog.gaw.ru/index.php?page=producers_list&cgroup_id=108
У радаров возросла острота зрения в воронеже сделали уникальный транзистор для рлс
Воронеж является крупнейшим центром страны, где создается радиоэлектроника военного назначения. Так, именно в Воронеже расположен ЦНИИ РЭБ, где рождаются и испытываются средства радиоэлектронной борьбы, не имеющие в мире аналогов. И не случайно новейшую РЛС наблюдения за пусками МБР, разработанную в Москве, назвали «Воронежем».
В этом городе находится концерн «Созвездие», входящий в Объединенную приборостроительную корпорацию, которая, в свою очередь, принадлежит госкорпорации Ростех.
«Созвездие» объединяет 20 предприятий из 11 регионов России. Среди них отличившийся на прошлой неделе воронежский Научно-исследовательский институт электронной техники (НИИЭТ), который создал мощный СВЧ-транзистор, не имеющий аналогов в стране.
Этот транзистор по своим характеристикам стал равноценен продуктам европейской компании STMicroelectronics (STM), штаб-квартира которой расположена в Женеве. А STM является одним из мировых лидеров в данном сегменте электронных компонентов.
К мировым лидерам, производящим мощные СВЧ-транзисторы относится и калифорнийская компания Integra Technologies, работающая исключительно на военных. В своей новой разработке НИИЭТ «дотянулся» и до нее.
Значение мощных СВЧ-транзисторов в качестве компонентов для военной радиоэлектроники сложно переоценить.
Они являются «кровеносной системой» РЛС, как бортовых, так и стационарных, средств РЭБ, аппаратуры связи и передачи данных.
Чем более мощный сигнал будет формировать транзистор, тем дальше и отчетливее сможет «видеть» РЛС, тем надежнее будет связь с максимально удаленными объектами приема/передачи данных.
Работы по созданию мощного импульсного СВЧ-транзистора проводилась по теме «Дискрет-29». Транзистор получил наименование 2П9120ВС. Частотный диапазон, на который он рассчитан, — до 500 МГц. Обеспечивает получение на выходе мощности в 1200 Вт. Минимальный коэффициент усиления мощности — 16 дБ. КПД — 45% min. Напряжение питания — 50 В.
Читайте также
Новый ручной пулемет для спецопераций
Российские оружейники наверстывают упущенное в 70-х годах
Транзистор имеет значительный запас «прочности». Предельно допустимое импульсное значение рассеиваемой мощности — 2 кВт, импульсного тока — 41А. Максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком — 100 В. Диапазон рабочих температур — от минус 60 до плюс 125 градусов. При этом сам транзистор может нагреваться до 180 градусов.
Однако это не предел того, на что способен НИИЭТ. Генеральный директор института Дмитрий Кожанов утверждает, что в обозримом будущем в линейке мощных кремниевых СВЧ-транзисторов должны появиться изделия с мощностью в 2000 Вт и усилением в 20 дБ.
В рамках ОКР «Дискрет-29» созданы еще два транзистора. Один при выходной мощности в 1000 Вт обеспечивает усиление в 18 дБ, второй — на 500 Вт дает усиление в 21 дБ. Эти изделия также работают в диапазоне частот до 500 МГц.
Новая серия транзисторов выполнена по LDMOS-технологии (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors), которая стала внедряться в радиоэлектронной промышленности в начале 90-х годов, вытесняя широко распространенную в то время биполярную технологию, бурно развивавшуюся в 70-е годы. Главное ее отличие заключается в использовании заземленного экрана для обеспечения изоляции стока от затвора и уменьшения емкости обратной связи.
LDMOS-транзисторы обладают более высоким усилением и КПД и значительно более высокой линейностью. Еще одно крайне полезное качество — меньшая температура нагрева транзистора. Это очень ценно в военной аппаратуре, где приходится очень плотно компоновать радиоэлектронные элементы.
Благодаря более щадящему, по сравнению с биполярными кремниевыми транзисторами, режиму работы выросла и надежность. Для LDMOS-транзисторов средней мощности среднее время наработки на отказ составляет 3 тыс. лет.
Для РЛС с активной фазированной антенной решеткой это качество крайне актуально, поскольку каждый из нескольких сотен излучателей обслуживает свой усилитель.
С момента появления LDMOS-технологии уже много воды утекло. Ведущие производители постоянно улучшали ее. И к настоящему моменту повсеместно используется LDMOS-технология седьмого поколения. В ней размер транзистора снижен с 0,4 мкм до 0,3 мкм. Благодаря этому удалось повысить плотность мощности на 20% и снизить тепловое сопротивление на 25%.
Однако технологический лидер — нидерландская компания NXP Semiconductors, 10 лет назад отпочковавшаяся от Philips, — уже освоила восьмое поколение LDMOS, где размеры транзистора снизились до 0,14 мкм.
Ее транзистор BLF578XR, работающий в диапазоне до 500 МГц, имеет очень солидный коэффициент усиления, равный 24 дБ. При этом в импульсном режиме он выдает мощность в 1400 Вт.
Поколение LDMOS-технологии, которое используется воронежскими конструкторами, не сообщается. Было сказано лишь, что оно новое, впервые примененное на территории России. Можно предположить, что это если не «восьмерка», то наверняка «семерка».
При создании мощных СВЧ-транзисторов значительную роль играет не только технология выращивания переходов в чипе, но и конструкция корпуса, в который помещается чип.
Воронежцы используют герметичный металлокерамический корпус КТ-103А-2. Это предопределено недоверием военных заказчиков к пластмассовым корпусам, которые, как им кажется, менее надежны.
Особенно, когда идет речь о большом тепловом рассеивании.
В то же время на Западе производители при изготовлении мощной СВЧ-электроники перешли на пластмассовые корпуса. Компании неоднократно проводили сравнительные испытания двух типов корпусов, которые продемонстрировали соответствие пластмассовых корпусов жестким требованиям, предъявляемым к военной продукции, работающей в экстремальных условиям.
Более того — пластмасса при определенных условиях способна давать прирост технических параметров изделий. Вышеупомянутая европейская компания STM запатентовала технологию сборки корпуса с воздушной полостью STAC (ST Air Cavity Packaging).
В сравнении с традиционным керамическим корпусом он не требует высокой температуры сборки. Тепловое сопротивление переход-корпус на 20% ниже, в связи с чем лучше отводится тепло. Также повышается коэффициент усиления, выходная мощность и надежность. Время наработки на отказ у корпусов STAC выше в 4 раза.
А вес снижается до 75%, что крайне важно для бортовой аппаратуры.
Читайте также
Экспериментальные вездеходы СССР
Выдающиеся машины, которые не стали серийными
И в заключение необходимо сказать об отставании России в области микроэлектроники и в частности — в области СВЧ-компонентов. Да, воронежский институт приблизился к ведущим зарубежным производителям. Но, как известно, один в поле не воин. В США работают 8 компаний, которые используют последние технологические достижения в области мощных СВЧ-транзисторов. В Европе — 4. В Японии — 3.
В России можно назвать лишь две такие компании: НИИЭТ и московское НПП «Пульсар». Остальные пять производителей застряли в прошлом веке, используя биполярную технологию. Однако достижения воронежцев позволяют надеяться на то, что отрасль начала двигаться в нужном направлении.
Источник: https://svpressa.ru/war21/article/149384/
Мощные высокочастотные транзисторы
Компания NXPSemiconductors одна из ведущих компаний в области производства высокочастотных полупроводниковых элементов.
Компания NXP выпускает ряд высокочастотных компонентов, такие как: РЧ-синхронизаторы, трансиверы (GSM/GPRS/EDGE), продукты промежуточной частоты (смесители, преобразователи, переключатели, усилители), микшеры/осцилляторы, высокочастотные диоды, высокочастотные операционные усилители, высокочастотные транзисторы высокой мощности, полевые транзисторы для слабых сигналов, передатчики, высокочастотные широкополосные транзисторы, микросхемы с низким уровнем шума, кремниевые ТВ-приемники, коммутаторы, и другие приемники, например для автомобильных стерео радиоприемников.
Транзисторы выпускаются по различным технологиям: биполярной, VDMOS и LDMOS.
Биполярная технология широко применялась в 70-х годах 20 века и на данный момент хорошо изучена и описана во многих литературных статьях.
Технология VDMOS так же широко распространена, транзисторы, изготовленные по этой технологии имеют ряд преимуществ над биполярными транзисторами, но бóльший интерес вызывает LDMOS технология нового поколения.
VDMOS (Vertical Diffusion Metal Oxide Semiconductors) – двухдиффузионная технология с вертикальной МОП-структурой. Эта технология обладает улучшенной термостабильностью и плотностью мощности транзисторов по сравнению с биполярными транзисторами.
LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors) – смещенно-диффузная МОП технология на основе кремния.
Технология LDMOS обладает наилучшими характеристиками по сравнению с биполярной и VDMOS технологией, такими, как линейность, усиление, тепловые режимы, устойчивость к рассогласованию, высокий КПД, запас по рассеиваемой мощности, надежность.
Это достаточно молодая технология, которая основное развитие получила в конце 80-х – начале 90-х годов 20 века и стала одной из ключевых технологий на рынке высокочастотных устройств.
На LDMOS технологии в настоящее время выпускается большинство мощных высокочастотных транзисторов. Существует два основных класса конструкции LDMOS-транзисторов. Первый основывается на использовании заземленного экрана (grounded Faraday shield) для обеспечения изоляции стока (drain) от затвора (gate) и уменьшения емкости обратной связи CDG.
Как правило, такая конструкция используется при длине затвора более 0,5 мкм.
Второй класс конструкции (использующийся преимущественно при длине затвора менее 0,5 мкм) основывается на применении заземленной металлизированной области (grounded field plate) и позволяет не только уменьшить емкость обратной связи CDG, но и понизить значение дрейфа тока между стоком и затвором IDG.
В портфолио продукции NXP мощных транзисторов насчитывается около 200 модификаций для четырех направлений применения, для базовых станций сотовой связи, широковещательные транзисторы, транзисторы СВЧ, микроволновые транзисторы. Транзисторы выпущены по технологиям: биполярной и LDMOS. Здесь приведены краткие характеристики транзисторов.
Источник: http://www.mt-system.ru/catalog/moshhnye-vysokochastotnye-tranzistory
Статьи
Мы не только представляем продукцию различных производителей электронных компонентов, – мы стараемся обеспечить наших клиентов максимальной информационной и технической поддержкой, подобрать для них оптимальное решение.
Во многих случаях мы используем заказные компоненты, разработанные специально для решения задач конкретного заказчика. Такой подход требует хороших инженерных знаний, тщательной проработки решения, а также активного взаимодействия с производителем и позволяет эффективно решать поставленные задачи.
Мы стараемся предоставить наиболее полную информацию о тех продуктах, которые предлагаем. Для этого мы разместили в данном разделе статьи, в которых освещаются различные аспекты использования представляемой нами продукции. Надеемся, Вы найдете их содержание полезным.
В статье рассматриваются преимущества и недостатки нескольких широко распространенных полупроводниковых технологий, используемых в транзисторах мощных СВЧ-усилителей. В статье разъясняются основные вопросы, определяющие выбор каждой из этих технологий, рассматриваются преимущества и недостатки каждой из них.
Представлено несколько примеров оптимальных решений для ряда приложений, работающих в разных частотных диапазонах и использующих разные типы сигналов.
СВЧ электроника №3 2017
alternative_to_mmic_in_par.pdf (1,31 Мб)
В статье рассматриваются экономические и технические преимущества использования полностью согласованного стандартного 50‑Ом транзистора по сравнению с использованием монолитных СВЧ интегральных схем в приемопередающих модулях, предназначенных для РЛС с фазированной антенной решеткой. Также в статье представлены значения импеданса относительно затвора и стока кристалла транзистора.
Было показано, что несмотря на малую резистивную часть входного импеданса, которая составляет всего около 1 Ом, имеется возможность создать транзистор, полностью согласованный на 50 Ом в полосе частот 400 МГц, с центральной рабочей частотой 3,3 ГГц и возвратными потерями по входу, не превышающими 12 дБ.
СВЧ электроника №1 2016
kw_level_gan_transistor_usage.
pdf (1,26 Мб)
В статье рассматриваются некоторые особенности работы мощных СВЧ GaN-транзисторов в режиме AB в составе систем авионики и радарных применениях. При использовании подобных транзисторов в режиме АВ усредненный КПД усилителя на 5–10% ниже, чем КПД во время прохождения импульса.
Более того, работа в этом режиме порождает существенный дробовой шум в отсутствие импульса, что в свою очередь может привести к десенсибилизации приемника.
Специально разработанные цепи подачи напряжения смещения и управления питанием усилительного каскада позволяют устранить эти недостатки и добиться снижения выходного шума усилителя в отсутствии импульса. В статье приводится реализация подобных цепей и сравниваются параметры работы усилителя при наличии и отсутствии данных цепей.
Также приводится практическая реализация мощного усилительного субмодуля (паллеты) S‑диапазона с интегрированными цепями управления питанием и напряжением смещения.
Компоненты и технологии №1 2014
1kw_integra_radar_sband_gan.pdf (380 Кб)
В статье рассматриваются особенности применения и конструкция нитрид – галлиевого (GaN) транзистора с выходной мощностью 1 кВт, предназначенного для использования в радарах S‑диапазона.
На данный момент это один из самых мощных приборов, работающих в этом частотном диапазоне.
Создание подобного транзистора является существенным шагом вперед, поскольку его рабочие характеристики значительно превосходят достигнутые ранее у других транзисторов сходного назначения.
Компоненты и технологии №7 2012
new_low_noise_vcxo_synergy.pdf (120 Кб)
В данном материале приводится обзорная информация о новом поколении кварцевых ГУН с ультранизким уровнем фазовых шумов, производства Synergy Microwave Research GmbH (Германия).
Данная статья освещает особенности использования золота и алюминия в структуре кристаллов и элементах конструкции мощных СВЧ транзисторов, работающих в импульсном режиме.
В статье рассматриваются различные аспекты надежности работы транзисторов в зависимости от используемых в их конструкции металлов.
Компоненты и технологии №12 2009
integra_sband_prod_evolution.pdf (404 Кб)
В данной статье рассмотрены различные подходы, позволяющие увеличить степень интеграции при построении современных радарных систем на примере отдельно взятого производителя СВЧ-компонентов.
При этом показана эволюция предлагаемых решений в зависимости от требований рынка. Освещаются особенности применения дискретных биполярных и LDMOS – транзисторов, паллет и миниатюризированных усилителей мощности.
Компоненты и технологии №10 2008
hi_eff_ka_x_band_amp.pdf (418 Кб)
В данной статье рассматриваются некоторые подходы и методики, используемые компанией Mimix Broadband при создании высокоэффективных СВЧ-ИМС для усилителей Ka и Х диапазонов.
Для иллюстрации оптимального подхода к созданию подобных усилителей приводятся ключевые факторы, влияющие на эффективность их работы, а также рассматриваются некоторые компромиссные решения, позволяющие достичь желаемых результатов.
Компоненты и технологии №4 2008
eff_use_cap_tuning_sticks.pdf (878 Кб)
В данной статье рассматриваются различные аспекты применения широко распространенных многослойных керамических конденсаторов, в частности, особенности применения конденсаторов с большими размерами контактных областей (обладающих значительной собственной индуктивностью).
Также в статье приводятся методы определения резонансных эффектов в рабочем диапазоне частот и способы устранения подобных нежелательных эффектов за счет применения более миниатюрных и дешевых конденсаторов с низкими потерями. Теоретические обоснования проиллюстрированы практическими примерами.
Компоненты и технологии №10 2007
l_band_airborne_radar_ldmos.pdf (119 Кб)
Постоянно улучшающиеся характеристики СВЧ LDMOS-транзисторов, разрабатываемых с учетом требований рынка устройств беспроводной связи, позволяют в настоящее время использовать их в авиационных и импульсных радарных применениях, где традиционно применяются мощные кремниевые биполярные транзисторы. В статье описывается СВЧ LDMOS-транзистор для импульсных применений с плотностью мощности более 1 Вт/мм и пиковым напряжением 85В.
Современная электроника №1 2007
class_c_amp_for_radar_app.pdf (155 Кб)
В статье описана методика создания полупроводникового усилителя для радарных применений. Особое внимание уделяется разработке активных цепей усилителя и определению характеристик всех его компонентов. Кратко освещены проблемы каскадирования и объединения мощности параллельных цепочек усиления.
В качестве примера в статье приводится гипотетический многокаскадный СВЧ – усилитель мощности S – диапазона.
Любой специалист, хотя бы немного знакомый со схемотехникой, знает, что проектирование схем, работающих в области высоких и сверхвысоких частот, сильно отличается от разработки обычных низкочастотных цепей.
При работе на высоких частотах приходится учитывать гораздо больше параметров элементов схемы, чем при работе на низких частотах. В связи с этим подбор и применение таких, в общем-то несложных, электронных компонентов, как резистор и конденсатор, имеет свою специфику.
Компоненты и технологии №4 2005
synergy_vco_synt_products.pdf (168 Кб)
Ни для кого не секрет, что на рынке ВЧ/СВЧ компонентов представлено великое множество сходных по функциональному назначению решений. Как правило, данные решения незначительно отличаются по своим характеристикам, поскольку каждый из производителей старается представить прибор, не уступающий аналогам конкурентов.
В связи с этим, выбор того или иного решения пределяется лишь его доступностью и предпочтениями разработчика. Однако у многих производителей существуют отдельные компоненты и серии, значительно отличающиеся от подобных им на рынке. Именно о таких компонентах и пойдет речь в данной статье.
Компоненты и технологии №6 2003
atc_passive_hf_components.pdf (126 Кб)
В настоящее время на рынке представлено большое количество различных пассивных ВЧ- и СВЧ-компонентов (конденсаторов, резисторов, индуктивностей и т. д.).
Однако немногие производители могут предложить компоненты, которые характеризуются высокой надежностью, стабильностью параметров и широким диапазоном рабочих температур.
Одним из таких производителей является компаня American Technical Ceramics (ATC), продукцию которой мы рассмотрим в данной статье.
Компоненты и технологии №2 2003
honeywell_ssec_wireless_prod.pdf (279 Кб)
Многие слышали о фирме Honeywell. Как правило, при упоминании этой компании сразу вспоминают, что она производит электронную продукцию для аэрокосмической промышленности, всевозможные датчики, а также интеллектуальные системы контроля и управления для умного дома.
но немногие знают, что Honeywell (точнее одно из ее подразделений – Honeywell Solid State Electronics Center) производит еще и высококачественные ВЧ/СВЧ-компоненты. Именно об этой продукции и пойдет речь в статье.
Данный материал освещает ряд проблем, с которыми может столкнуться рядовой разработчик при выборе DC-DC преобразователей. При этом особенное внимание обращается на особености указания характеристик конвертеров различными производителями.
Приводятся параметры различных DC-DC конвертеров и источников питания, производства C&D Technologies.
Компоненты и технологии №3 2002
philips_usb_otg_review.pdf (165 Кб)
В данном материале кратко описывается стандарт USB (Universal Serial Bus – Универсальная последовательная шина). Также рассматривается расширение данного стандарта т.н.
USB OTG (On-the-Go) позволяющее различным устройствам обмениваться данными без участия хост-контроллера. Помимо этого приводятся характеристики некоторых USB – решений от Philips Semiconductors.
Компоненты и технологии №2 2002
philips_ldmos_transistors.pdf (166 Кб)
В данной статье описываются преимущества использования LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors) усилителей на примере использования подобных приборов от Philips Semiconductor в мощных авиационных транспондерах.
Если сравнивать устройства, выполненные по технологии LDMOS, с устройствами, выполненными по биполярной технологии, по таким важным характеристикам, как усиление, линейность, тепловые режимы, переключающие свойства, число элементов схемы, сразу становится очевидным преимущество первых.
Компоненты и технологии №7 2001
philips_bluetooth_solutions.pdf (394 Кб)
В статье рассматривается технология Bluetooth, приводится ее описание и история развития. Также показывается ее реализация от компании Philips Semiconductor (на момент написания статьи). Основное внимание уделяется наборам микросхем данного производителя для построения различных Bluetooth – устройств, а также средствам разработки.
Источник: http://www.etsc.ru/articles
Загрузка...