Полевые транзисторы
В электронике полевым транзистором называется электронный компонент, в котором ток проходящий через канал регулируется электрическим полем, образующимся в результате подачи напряжения между его истоком и затвором. Основным отличием полевого транзистора от транзистора биполярного является то, что выходное и входное сопротивление у него существенно выше.
Плевые транзисторы нередко именуют униполярными, поскольку основным принципом их действия является перемещение при помощи поля носителей зарядов одного и того же типа.
Конструктивно эти приборы представляют собой изготовленные из полупроводниковых материалов пластинки одного типа проводимости, на противоположных сторонах которых способом диффузии создается область другого типа проводимости.
На их границах образуется обладающий большим сопротивлением p-n-переход.
В полевых транзисторах существуют области полупроводника которые называют каналами. Их поперечное сечение, а вместе с ним и ток носителей заряда изменяются под воздействием электрического поля.
Структура полевого транзистора
с управляющим p-n-переходом и каналом n-типа
В случае, если между p-областью и n-областью приложить некоторое напряжение Uзи., как показано на рисунке выше, то p-n-переход окажется включенным в обратном направлении, следовательно его толщина увеличится, а толщины канала уменьшается.
При этом принято p-область называть затвором полевого транзистора, или же его управляющим электродом. Если к этому каналу подключить еще один источник напряжения Ucи., то через него начнёт протекать ток в направлении от нижнего к верхнему участку n-области.
Часть этой области, от которой основные носители зарядов начинают свое движение, называется истоком, а та часть, по направлению к которой они перемещаются – стоком.
Что касается величины тока, который протекает через канал, то определяющим для нее является сопротивление. Оно, в свою очередь, напрямую зависит от толщины канала. Таким образом, если изменяется величина приложенного к каналу напряжения, то вслед за этим происходит изменение величины тока.
В тех случаях, когда для производства этого электронного компонента в качестве основы берут полупроводник p-типа, то получается полевой транзистор, имеющий канал р-типа и управляющий p-n-переход. Канал в нем образуется n-областью.
Структура и схема подключения МДП-транзистора
с индуцированным каналом
Полевые транзисторы с изолированным затвором
Помимо тех полевых транзисторов, которые имеют в своей конструкции управляющий затвор, имеются и такие, у которых он изолирован.
В электронике для обозначения таких транзисторов используют аббревиатуры МОП (металл-оксид-полупроводник) или МДП (металл-диэлектрик-полупроводник).
Соответственно, такие приборы называют МОП-транзисторами или МДП-транзисторами.
Для МДП-транзистора характерно то, что в нем между истоком и стоком располагается n-область, представляющая собой подложку. Поэтому образуется два p-n-перехода, которые включены навстречу друг другу. При этом вне зависимости от того, какую именно полярность имеет питающее напряжение, один из этих переходов всегда закрыт, так что в в направлении «исток-сток» ток равен нулю.
Если на затвор подается отрицательное напряжение, то ток в цепи начинает течь. Дело в том, что на расположенные в подложке электроны действует электрическое поле, и они начинают передвигаться вглубь нее.
Существует некоторое пороговое значение напряжения, при котором количество дырок, расположенных у самой поверхности подложки, становится существенно больше, чем электронов. В результате этого происходит так называемая инверсия типа электроповодности: она обретает p-тип.
В результате этого между стоком и истоком получается канал, связывающий их. Его толщина зависит от того, какое именно значение имеет приложенное напряжение.
Если изменять его, то можно регулировать и толщину канала, поскольку сопротивление участка, располагающегося между истоком и стоком, также будет изменяться.
Обозначения полевых транзисторов на схеме
- Полевой транзистор с управляющим переходом p-типа
- Полевой транзистор с управляющим переходом и каналом n-типа
- Полевой транзистор с индуцированным каналом p-типа
- Полевой транзистор с индуцированным каналом n-типа
- Полевой транзистор со встроенным каналом p-типа
- Полевой транзистор со встроенным каналом n-типа
Источник: http://selectelement.ru/electronic-element/field-transistors.php
Классификация,параметры,характеристики и принцип работы полевых транзисторов
89403
Классификация,параметры,характеристики и принцип работы полевых транзисторов
Доклад
Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы
Различают два вида полевых транзисторов: с управляющим переходом и с изолированным затвором. Принцип действия МДП транзисторов основан на эффекте изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Условное обозначения МДП транзисторов приведены на рис.
Русский
2015-05-12
101.01 KB
2 чел.
Классификация,параметры,характеристики и принцип работы полевых транзисторов.
Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля (в биполярных транзисторах выходной ток управляется входным током).
Полевые транзисторы называют также униполярными, так как в процессе протекания электрического тока участвуют только основные носители.
Различают два вида полевых транзисторов: с управляющим переходом и с изолированным затвором. Для определенности вначале обратимся к так называемому полевому транзистору с управляющим p-n-переходом с каналом p-типа.
Полевой транзистор с управляющим р-n- переходом – это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала р-n-переходом, смещенным в обратном направлении.
Рисунок 1 – Устройство полевого транзистора с управляющим р-n-переходом (каналом n- типа)
Рисунок 2 – Условное обозначение полевого транзистора
с р-n-переходом и каналом n- типа (а), каналом р- типа (б)
Полярность внешних напряжений, подводимых к транзистору, показана на рис. 1. Управляющее (входное) напряжение подается между затвором и истоком. Напряжение Uзи является обратным для обоих р-n- переходов.
Ширина р-n- переходов, а, следовательно, эффективная площадь поперечного сечения канала, его сопротивление и ток в канале зависят от этого напряжения.
С его ростом расширяются р-n- переходы, уменьшается площадь сечения токопроводящего канала, увеличивается его сопротивление, а, следовательно, уменьшается ток в канале.
Следовательно, если между истоком и стоком включить источник напряжения Uси, то силой тока стока Iс, протекающего через канал, можно управлять путем изменения сопротивления (сечения) канала с помощью напряжения, подаваемого на затвор. На этом принципе и основана работа полевого транзистора с управляющим р-n- переходом.
При напряжении Uзи = 0 сечение канала наибольшее, его сопротивление наименьшее и ток Iс получается наибольшим.
Ток стока Iс нач при Uзи = 0 называют начальным током стока.
Напряжение Uзи, при котором канал полностью перекрывается, а ток стока Iс становится весьма малым (десятые доли микроампер), называют напряжением отсечки Uзи отс
Полевой тразистор с изолированным затвором.
Полевой транзистор с изолированным затвором (МДП – транзистор) – это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика.
Принцип действия МДП – транзисторов основан на эффекте изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля.
Условное обозначения МДП – транзисторов приведены на рис. 6.
Рисунок 6 – Условное обозначение МДП – транзисторов:
а − со встроенным каналом n- типа;
б − со встроенным каналом р- типа;
в − с выводом от подложки;
г − с индуцированным каналом n- типа;
д − с индуцированным каналом р- типа;
е − с выводом от подложки
2.2. Характеристики и параметры полевых транзисторов
К основным характеристикам полевых транзисторов относятся:
· стокозатворная характеристика – это зависимость тока стока IС от напряжения на затворе UЗИ (рис. 2.4, а);
· стоковая характеристика – это зависимость IС от UСИ при постоянном напряжении на затворе (рис. 2.4, б)
IС = f (UСИ), при UЗИ = const.
Рис. 2.4. Характеристики полевых транзисторов с управляющим p-n переходом:а – стокозатворная (входная); б – стоковая (выходная)
Основные параметры полевых транзисторов:
· напряжение отсечки;
· крутизна стокозатворной характеристики. Она показывает, на сколько миллиампер изменится ток стока при изменении напряжения на затворе на 1 В (рис. 2.4, а)
QUOTE S=∆Ic∆Uзи , при UСИ = const,
;
· внутреннее (или выходное) сопротивление полевого транзистора (рис. 2.4, б)
, при UЗИ = const;
· входное сопротивление
.
Так как на затвор подаётся только запирающее напряжение, то ток затвора будет представлять собой обратный ток закрытого p-n перехода и будет очень мал. Величина входного сопротивления Rвх будет очень велика и может достигать 109 Ом.
Крутизна стокозатворной характеристики S (крутизна
характеристики полевого транзистора):
Обычно задается изн=0. При этом для транзисторов рассматриваемого типа крутизна максимальная. Для КП10ЗЛ S = 1,8…3,8 мА/В при иис = 10В, изн= 0, t = 20°С.
Внутреннее дифференциальное сопротивление Ruc диф
(внутреннее сопротивление)
Для КП10ЗЛ Ruc диф = 25 кОм при иис=10В, изи=0.
Коэффициент усилен
Источник: http://5fan.ru/wievjob.php?id=89403
Полевые транзисторы
Полевые транзисторы, называемые также униполярными или канальными, в отличие от биполярных имеют большое входное сопротивление. Полевые транзисторы подразделяются на полевые транзисторы с управляющим p-n переходом и с изолированным затвором.
Полевые транзисторы с изолированным затвором в свою очередь подразделяются на транзисторы со встроенным каналом и транзисторы с индуцированным каналом. Канал в полевых транзисторах может быть n или p типа. Канал – это область полевого транзистора, через которую протекают основные носители заряда. Величина тока в канале управляется электрическим полем. Транзисторы, как правило, имеют три вывода.
Вывод, от которого в канал приходят основные носители заряда, называется истоком. Вывод, к которому носители заряда приходят из канала, называется стоком. Вывод, на который подается управляющее напряжение относительно истока или стока, называется затвором. Название транзисторы получили вследствие особенностей работы.
Полевыми транзисторы называют потому, что управление током в выходной цепи транзистора осуществляется электрическим полем во входной цепи. Канальными транзисторы называют потому, что ток в выходной цепи транзистора протекает через его канал. Униполярными транзисторы называют потому, что в работе транзистора принимают носители одной полярности.
Условные обозначения полевых транзисторов приведены в начале этой главы. В условных обозначениях полевых транзисторов на принципиальных схемах стрелка направлена к каналу n-типа, или от канала p-типа. Индуцированный (наведенный электрическим полем) канал, обозначается пунктиром.
Рассмотрим принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n переходом с каналом n-типа (рис. 3.40а). Знаком плюс показана повышенная концентрация носителей заряда.
Области истока и стока делаются с повышенной проводимостью для того, чтобы уменьшить бесполезное падение напряжения на них. Повышенной проводимостью обладает и область затвора с целью увеличения запирающего слоя в сторону канала при увеличении управляющего напряжения.
В таких транзисторах управляющее напряжение прикладывается к p-n переходу затвор-исток в обратном направлении.
Если увеличивать напряжение между затвором и истоком в указанной полярности, то запирающий слой p-n перехода становится толще и площадь поперечного сечения канала уменьшается. Сопротивление канала постоянному току увеличивается и ток стока становится меньше.
Зависимость тока стока от напряжения затвор-исток при постоянном напряжении сток-исток называется стокозатворной характеристикой полевого транзистора.
Стоковая характеристика полевого транзистора для схемы включения транзистора с общим истоком – это зависимость тока стока от напряжения сток-исток при постоянном напряжении затвор-исток.
Проставим полярность подключения источников напряжения во входной и выходной цепях полевого транзистора с управляющим p-n переходом с каналом n типа для схемы включения транзистора с общим истоком (рис. 3.41). Мы знаем определения выводов транзистора и то, что p-n переход затвор-исток смещается в обратном направлении.
Следовательно, основные носители заряда электроны должны двигаться в соответствии с определением выводов транзистора от истока к стоку, т.е. снизу вверх. Чтобы электроны двигались в таком направлении необходимо в выходной цепи транзистора плюс источника питания подключить к стоку, минус к истоку.
Для смещения p-n перехода затвор-исток в обратном направлении необходимо к затвору подключить минус источника, а к истоку плюс. Стокозатворная характеристика полевого транзистора с управляющим p-n переходом с каналом n-типа для схемы включения транзистора с общим истоком приведена на рисунке 3.
42а, а стоковые характеристики на рисунке 3.42б.
На рисунке 3.40 б схематично показано устройство полевого транзистора с изолированным затвором со встроенным каналом n-типа. На затвор относительно истока такого транзистора можно подавать управляющее напряжение обеих полярностей.
Семейство стоковых характеристик данного транзистора приведено на рисунке 3.43 б, а на рисунке 3.43 а – одна из его стокозатворных характеристик.
При подаче на затвор относительно истока положительного напряжения в канал будут приходить электроны из областей стока, истока и кристалла p-типа и ток в цепи сток-исток будет увеличиваться. Такой режим работы называют режимом обогащения носителей заряда в канале.
При подаче на затвор относительно истока отрицательного напряжения канал транзистора обедняется основными носителями заряда и ток стока уменьшается. Этот режим работы транзистора называется режимом обеднения.
Транзисторы характеризуют рядом параметров. Начальный ток стока – это ток стока при напряжении между затвором и истоком равном нулю и напряжении сток исток равном или превышающем напряжение насыщения.
Напряжением насыщения называют напряжение сток-исток, начиная с которого ток стока практически не увеличивается при увеличении напряжения сток-исток при заданном напряжении затвор-исток. Ток утечки затвора – это ток затвора между затвором и остальными выводами транзистора, замкнутыми между собой.
Обратный ток перехода затвор-исток при разомкнутом выводе стока – это ток в цепи затвор-исток при заданном обратном напряжении между затвором и истоком и разомкнутом выводе стока.
Напряжение отсечки полевого транзистора – это напряжение затвор-исток для транзисторов с управляющим p-n переходом и транзисторов с изолированным затвором со встроенным каналом, при котором ток стока достигает заданного значения, обычно 10 мкА.
Пороговое напряжение полевого транзистора – это напряжение затвор-исток для транзисторов с изолированным затвором с индуцированным каналом (рис. 3.40в), при котором ток стока достигает заданного значения (рис. 3.44), обычно 10мкА.
При отсутствии напряжения между затвором и истоком ток в цепи сток-исток не протекает, т.к. один из p-n переходов оказывается включенным в обратном направлении.
При определенном напряжении затвор-исток в области, прилежащей к затвору, наступает инверсия проводимости и в цепи сток-исток появляется ток.
К предельным параметрам полевых транзисторов относятся: максимальный ток стока; максимально допустимые напряжения между выводами сток-исток, затвор-исток, затвор-сток; максимально допустимая мощность рассеяния; максимальная и минимальная температура окружающей среды.
Источник: http://ivatv.narod.ru/vvedenie_v_elektroniku/3_10.htm
Условные обозначения электрических параметров
На главную
Uкэ………………… постоянное напряжение коллектор-эмиттер
Uкэо,гр……………. граничное напряжение
Uкэо……………….. постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю
UкэR……………… постоянное напряжение коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
Uкэк……………….. постоянное напряжение коллектор-эмиттер при короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
Uкэх………………..
постоянное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении база-эмиттер
UкэR,и…………… импульсное напряжение коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
Uкэк,и…………….. импульсное напряжение коллектор-эмиттер при короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
Uкэх,и……………..
импульсное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении база-эмиттер
Uкэо,проб………. пробивное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю
UкэR,проб……… пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
Uкэк,проб……….
пробивное напряжение коллектор-эмиттер при короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
Uкэх,проб………… пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении база-эмиттер
Uкэ,макс………….. максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер
Uкэ,и,макс………
максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Uкб……………….. постоянное напряжение коллектор-база
Uкб, и…………….. импульсное напряжение коллектор-база
Uкбо, проб………… пробивное напряжение коллектор-база при токе базы, равном нулю
Uкб, макс………… максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
Uкб,и,макс…….. максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uэбо, проб……….. пробивное напряжение эмиттер-база при токе базы, равном нулю
Uэб………………… постоянное напряжение эмиттер-база
Δ Uбэ…………….. падение напряжения на участке база-эмиттер
Uэб,макс…………. максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
Uси………………. напряжение сток-исток
Uзи ………………. напряжение затвор-исток
Uип………………. напряжение исток-подложка
Uси,макс……….. максимально допустимое напряжение сток-исток
Uзи,макс……….. максимально допустимое напряжение затвор-исток
Uзс,макс……….. максимально допустимое напряжение затвор-сток
Uсп,макс……….. максимально допустимое напряжение сток-подложка
Uип,макс………. максимально допустимое напряжение исток-подложка
Uзп,макс……….. максимально допустимое напряжение затвор-подложка
Uзи пор…………. пороговое напряжение полевого транзистора
Uзи отс………….. напряжение отсечки
Uп…………………. напряжение литания
Iк…………………… постоянный ток коллектора
Iэ…………………… постоянный ток эмиттера
Iб………………….. постоянный ток базы
Iк,и………………… импульсный ток коллектора
Iэ,и………………… импульсный ток эмиттера
Iб,и ………………. импульсный ток базы
Iкр…………………. критический ток биполярного транзистора
Iк,нас ……………. постоянный ток коллектора в режиме насыщения
I,нас………………. постоянный ток базы в режиме насыщения
Iк,макс…………… максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iэ,макс…………… максимально допустимый постоянный ток эмиттера
Iб,макс………….. максимально допустимый постоянный ток базы
Iк,и,макс………… максимально допустимый импульсный ток коллектора
Iэ,и,макс………… максимально допустимый импульсный ток эмиттера
Iкбо………………. обратный ток коллектора
Iэбо………………. обратный ток эмиттера
IкэR……………….. обратный ток коллектор-эмиттер
Iс,макс ………….. максимально допустимый постоянный ток стока
Iс,ост……………… остаточный ток стока
Iз(пр),макс……… максимально допустимый прямой ток затвора
Iс,и,макс………… максимально допустимый импульсный ток стока
Iс нач …………….. начальный ток стока
Iз ут……………….. ток утечки затвора
Сг…………………… емкость генератора
Сэ………………….. емкость эмиттерного перехода
Ск………………….. емкость коллекторного перехода
С11 и………………. входная емкость полевого транзистора
С22 и…………………………… выходная емкость полевого транзистора
C12 и………………. проходная емкость полевого транзистора
Сзсо………………. емкость затвор-сток при отсоединенном выводе истока
Сзио……………….. емкость затвор-исток при отсоединенном выводе стока
f…………………….. частота
fгр…………………. граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером (ОЭ)
Кур………………… коэффициент усиления по мощности биполярного (полевого) транзистора
Кш.…………………. коэффициент шума биполярного (полевого) транзистора
Кнас………………. коэффициент насыщения
Кст U……………. коэффициент стоячей волны по напряжению
l…………………….. длина выводов
Р……………………. постоянная рассеиваемая мощность биполярного (полевого) транзистора
Рср………………… средняя рассеиваемая мощность биполярного (полевого) транзистора
Pи………………….. импульсная рассеиваемая мощность биполярного (полевого) транзистора
Рк………………….. постоянная рассеиваемая мощность коллектора
Рк,ср……………… средняя рассеиваемая мощность коллектора
Рвх…………………. входная мощность биполярного (полевого) транзистора
Рвх(по)…………. входная мощность в пике огибающей (средняя мощность однотонового сигнала с амплитудой, равной
амплитуде двухтонового сигнала в пике огибающей)
Рвых(по)………… выходная мощность в пике огибающей (средняя мощность однотонового сигнала с амплитудой, равной
амплитуде двухтонового сигнала в пике огибающей)
Рпад………………. мощность падающей волны СВЧ сигнала
Рмакс ……………. максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность биполярного (полевого) транзистора
Ри,макс…………..
максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного (полевого) транзистора
Рк,и,макс……….. максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора
Pк,ср,макс………
максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора
Q…………………… скважность
Zвх………………… входное полное сопротивление на большом сигнале
бrэ…………………. последовательное активное сопротивление эмиттера
Rк………………….. сопротивление в цепи коллектор-источник питания
Rбэ…………………. сопротивление в цепи база-эмиттер
R6………………….. сопротивление в цепи база-источник питания
Rн…………………. сопротивление нагрузки
Rr………………….. выходное сопротивление генератора при измеренениях
Rси…………………. сопротивление сток-исток полевого транзистора
Rси отк………….. сопротивление сток-исток в открытом состоянии
Rt…………………. тепловое сопротивление
Rт(п-к)…………. тепловое сопротивление переход-корпус
Rт, и(п-к)…….. импульсное тепловое сопротивление переход-корпус
Rт (п-с)………… тепловое сопротивление переход-среда
h21э………………… статический коэффициент передачи тока в режимах малого и большого сигналов
Т………………………. температура окружающей среды
Тк…………………. температура корпуса, для бес корпусных транзисторов -кристаллодержателя (подложки)
Тп………………….. температура р-п перехода
t в к л…………………. время включения
tвыкл……………… время выключения
tзд………………….. время задержки
tнр…………………. время нарастания
tрас………………… время рассасывания
tсп………………….. время спада
tи…………………… длительность импульса
tф…………………… длительность фронта импульса
Источник: http://www.trzrus.ru/termins.htm
ТРАНЗИСТОРЫ
Транзистор был изобретен в 50-х годах прошлого века, его появление произвело настоящий фурор – достаточно сказать, что его изобретатели получили Нобелевскую премию.
Здесь будут рассмотрены основные типы транзисторов, принцип их работы в объеме, соответствующем основам схемотехники, поскольку начинающим тонкости работы транзистора на электронно – молекулярном уровне, на мой взгляд, ни к чему.
Технология изготовления транзисторов определяет основные их типы:
Кроме того, каждый из перечисленных типов можно классифицировать по типу проводимости, определяемой материалами, комбинациями (сочетаниями) полупроводников, используемых при их производстве.
Биполярные транзисторы
Принцип действия, условные обозначения биполярного транзистора.
- Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника, называемых “база” (Б), “коллектор” (К), “эмиттер” (Э). Ток, протекающий через переход база – эмиттер (Iб) вызывает изменения сопротивления зоны эмиттер – коллектор, соответственно изменяется ток коллектора Iк, причем его значения больше нежели базового. Это основной принцип работы биполярного транзистора, его практические приложения рассмотрим позже.
- Поскольку материал транзистора полупроводник, то ток может протекать только в одном направлении, определяемом типом перехода. Соответственно этим определяется полярность подключения (тип проводимости) транзистора (прямая – p-n-p, обратная – n-p-n. Вот, собственно, вся теория, которая Вам первоначально необходима.
Полевые транзисторы
Полевой транзистор имеет несколько иную конструкцию. Замечу – это достаточно простой вариант, но для понимания принципа действия полевого транзистора вполне подходит.
Принцип действия, условные обозначения полевого транзистора.
- Выводы здесь называются “затвор” (З), “сток” (С), “исток” (И). Сток – исток соединены между собой зоной полупроводника, называемой каналом. Сопротивление этого канала зависит от величины напряжения, приложенного к затвору, значит ток, протекающий от истока к стоку (Iс) зависит от напряжения между затвором и истоком.
- В зависимости от проводимости кристалла различают полевые приборы с p каналом и n каналом.
Применение транзисторов
Область применения транзисторов определяется не только их типом, но также характеристиками конкретного прибора, однако можно выделить два основных режима работы:
- динамический – при нем любое входного сигнала вызывает соответствующее изменение выходного. Иначе этот режим называют усилительным.
- ключевой – при этом режиме транзистор или полностью открыт или полностью закрыт. В идеале, переходные процессы между этими состояниями должны отсутствовать. Ключевой режим позволяет применять транзистор для управления значительными нагрузками при сравнительно слабых управляющих сигналах.
© 2012-2018 г. Все права защищены.
Все представленные на этом сайте материалы имеют исключительно информационный характер и не могут быть использованы в качестве руководящих и нормативных документов
Источник: https://eltechbook.ru/tranzistor.html
Загрузка...