Компания toshiba выпустила новый, сдвоенный mosfet для заряда мобильных устройств

Силовые MOSFET-транзисторы Toshiba Electronics – РадиоТовары

Благодаря новейшим разработкам компании Toshiba Electronics, новое поколение MOSFET транзисторов обладает лучшими характеристиками в своем классе.

Малое сопротивление канала, уменьшенный заряд затвора, а также усовершенствованная внутренняя структура корпусов позволяет добиться малых потерь на транзисторе и разработать надежное устройство с высоким КПД.

Данные электронные компоненты могут использоваться во всех устройствах, где требуется надежность, высокая эффективность, а также качество готового изделия.

Компания Toshiba Electronics предлагает на выбор широкий спектр MOSFET-транзисторов в корпусах от самых малых размеров 1×0.6mm SOT883 для поверхностного монтажа до TO-3P для сквозного монтажа, способных рассеивать до 400 Вт энергии.

Направление силовых транзисторов является фокусным в компании, и постоянное развитие технологий позволяет разрабатывать новые компоненты с улучшенными характеристиками. В качестве характерного примера стоит отметить высокоэффективные низковольтные MOSFET-транзисторы в корпусе DPAK+ и высоковольтные Super Junction MOSFET, сделанные по технологии DTMOS.

Преимущества MOSFET-транзисторов в корпусе DPAK+

Параметр	Корпус DPAK	Корпус DPAK+	Различие
Сопротивление корпуса	3 мОм	0,7 мОм	снижение на 77%
Допустимый ток	20 А	80 А	рост 400%
Тепловое сопротивление	3,125 °C/Вт	1,5 °C/Вт	снижение на 52%
Максимальная температура	150 °C	175 °C	увеличение на 25 °C

Разновидности MOSFET-транзисторов компании Toshiba:

Низковольтные n-канальные MOSFET-транзисторы с рабочим напряжением от 30 до 250В.

Изготавливаются в корпусах: DPAK, DPAK+, SOP Advance, TO-220, TO-220SIS, TO-220SM(W), TSON Advance.

Низковольтные p-канальные MOSFET-транзисторы с рабочим напряжением от 20 до 100В.

Производятся в корпусах: DPAK, DPAK+, SOP Advance, TO-220SIS, TO-220SM(W), TSON Advance.

MOSFET-транзисторы n-канальные с напряжением от 600 до 650В (технология DTMOS Super Junction).

Производятся в корпусах: D2PAK, DFN 8×8, DPAK, I2PAK, IPAK, TO-220, TO-220SIS, TO-247, TO-3P(N).

MOSFET-транзисторы n-канальные с напряжением от 800 до 900В.

Выпускаются в корпусах: TO-220SIS, TO-3P(N).

MOSFET-транзисторы n-канальные с напряжением от 800 до 900В.
Наименование	Корпус	Vdss, В	Id, А	Pd, Вт	Qg, нКл	Rds(on), Ом
TK10A80E	TO-220SIS	800	10	50	46	1,0
TK10J80E	TO-3P(N)	800	10	250	46	1,0
TK6A80E	TO-220SIS	800	6	45	32	1,7
TK7A90E	TO-220SIS	900	7	45	32	2,0
TK7J90E	TO-3P(N)	900	7	200	32	2,0
TK9A90E	TO-220SIS	900	9	50	46	1,3
TK9J90E	TO-3P(N)	900	9	250	46	1,3

MOSFET-транзисторы n-канальные с напряжением от 600 до 650В (DTMOS SUPER JUNCTION).
Наименование	Корпус	Быстрый диод	Vdss, В	Id, А	Pd, Вт	Qg, нКл	Rds(on), Ом
TK10A60W	TO-220SIS	Нет	600	9,7	30	20	0,38
TK10A60W5	TO-220SIS	Да	600	9,7	30	25	0,45
TK10E60W	TO-220	Нет	600	9,7	100	20	0,38
TK12A60W	TO-220SIS	Нет	600	11,5	35	25	0,3
TK12E60W	TO-220	Нет	600	11,5	110	25	0,3
TK14A65W	TO-220SIS	Нет	650	13,7	40	35	0,25
TK14A65W5	TO-220SIS	Да	650	13,7	40	40	0,3
TK14E65W	TO-220	Нет	650	13,7	130	35	0,25
TK14E65W5	TO-220	Да	650	13,7	130	40	0,3
TK14N65W	TO-247	Нет	650	13,7	130	35	0,25
TK14N65W5	TO-247	Да	650	13,7	130	40	0,3
TK16A60W	TO-220SIS	Нет	600	15,8	40	38	0,19
TK16A60W5	TO-220SIS	Да	600	15,8	40	43	0,23
TK16E60W	TO-220	Нет	600	15,8	130	38	0,19
TK16E60W5	TO-220	Да	600	15,8	130	43	0,23
TK16N60W	TO-247	Нет	600	15,8	130	38	0,19
TK16N60W5	TO-247	Да	600	15,8	130	43	0,23
TK17A65W	TO-220SIS	Нет	650	17,3	45	45	0,2
TK17A65W5	TO-220SIS	Да	650	17,3	45	50	0,23
TK17E65W	TO-220	Нет	650	17,3	165	45	0,2
TK17N65W	TO-247	Нет	650	17,3	165	45	0,2
TK20A60W	TO-220SIS	Нет	600	20	40	48	0,155
TK20N60W	TO-247	Нет	600	20	165	48	0,155
TK28N65W	TO-247	Нет	650	27,6	230	75	0,11
TK28N65W5	TO-247	Да	650	27,6	230	90	0,13
TK31A60W	TO-220SIS	Нет	600	30,8	45	86	0,088
TK31E60W	TO-220	Нет	600	30,8	230	86	0,088
TK31N60W	TO-247	Нет	600	30,8	230	86	0,088
TK31N60W5	TO-247	Да	600	30,8	230	105	0,099
TK31N60X	TO-247	Нет	600	30,8	230	65	0,088
TK35A65W	TO-220SIS	Нет	650	35	50	100	0,08
TK35A65W5	TO-220SIS	Да	650	35	50	115	0,095
TK35N65W	TO-247	Нет	650	35	270	100	0,08
TK35N65W5	TO-247	Да	650	35	270	115	0,095
TK39A60W	TO-220SIS	Нет	600	38,8	50	110	0,065
TK39N60W	TO-247	Нет	600	38,8	270	110	0,065
TK39N60W5	TO-247	Да	600	38,8	270	135	0,074
TK39N60X	TO-247	Нет	600	38,8	270	85	0,065
TK49N65W	TO-247	Нет	650	49,2	400	160	0,055
TK5A60W	TO-220SIS	Нет	600	5,4	30	10,5	0,9
TK62N60W	TO-247	Нет	600	61,8	400	180	0,04
TK62N60X	TO-247	Нет	600	61,8	400	135	0,04
TK6A60W	TO-220SIS	Нет	600	6,2	30	12	0,75
TK7A60W	TO-220SIS	Нет	600	7	30	15	0,6
TK7A60W5	TO-220SIS	Да	600	7	30	16	0,65
TK8A60W	TO-220SIS	Нет	600	8	30	18,5	0,5
TK8A60W5	TO-220SIS	Да	600	8	30	22	0,54
TK49N65W5	TO-247	Да	650	49,2	400	185	0,057
TK100L60W	TO-3P(L)	Нет	600	100	800	360	0,018
TK20J60W	TO-3P(N)	Нет	600	20	165	48	0,155
TK16J60W5	TO-3P(N)	Да	600	15,8	130	43	0,23
TK20J60W5	TO-3P(N)	Да	600	20	165	55	0,175
TK62J60W5	TO-3P(N)	Да	600	61,8	400	205	0,045
TK16J60W	TO-3P(N)	Нет	600	15,8	130	38	0,19
TK12J60W	TO-3P(N)	Нет	600	11,5	110	25	0,3
TK39J60W	TO-3P(N)	Нет	600	38,8	270	110	0,065
TK39J60W5	TO-3P(N)	Да	600	38,8	270	135	0,074
TK31J60W	TO-3P(N)	Нет	600	30,8	230	86	0,088
TK31J60W5	TO-3P(N)	Да	600	30,8	230	105	0,099
TK62J60W	TO-3P(N)	Нет	600	61,8	400	180	0,04

Источник: http://radiomehanik.ru/article_info.php?articles_id=14

Toshiba Electronics: DDTMOS IV MOSFET — новое поколение полевых транзисторов для силовой электроники на основе технологий Суперперехода (SJ) и Глубокой траншеи (DT)

Новый технологический процесс будет использован при производстве новейших 600-вольтовых MOSFET-транзисторов со сверхмалым сопротивлением в открытом состоянии, низкими потерями при переключении и меньшим «звоном».

Применение новой технологии Superjunction (SJ) компании Toshiba при производстве MOSFET-транзисторов для силовой электроники, основанной на разработанной раннее технологии DTMOS-IV, позволит создавать идеальные силовые ключи для основных источников питания, ламповых балластов и других силовых устройств, которые требуют сочетания высокого быстродействия, высокого КПД и низкого уровня электромагнитных излучений. Благодаря тому, что SJ MOSFET-транзисторы имеют сверхнизкое остаточное сопротивление в открытом состоянии по сравнению с кремниевыми приборами, они позволяют уменьшить размеры устройств на их основе, а также увеличить плотность монтажа без потерь мощности.

В результате новый технологический процесс DTMOS-IV компании Toshiba, который будет использован при производстве новейшего семейства быстродействующих, высокоэффективных 600-вольтовых силовых транзисторов, обеспечит создание приборов с уменьшенным на 40% сопротивлением открытого канала по сравнению с предыдущим поколением DTMOS-изделий при одинаковой площади кристалла. Это означает, что у разработчиков теперь есть выбор: либо использовать в своих устройствах 600-вольтовые MOSFET в корпусе TO-220SIS с остаточным сопротивлением всего лишь 0.065 Ом, либо аналогичные приборы в корпусе TO-3P(N) со значением сопротивления не менее 0.04 Ом. Кроме снижения сопротивления открытого канала, в новых DTMOS-IV-транзисторах компания Toshiba сможет минимизировать выходную ёмкость для эффективной работы на светоизлучающие приборы. Более того, специально подобранная ёмкость затвора способствует увеличению скорости нарастания управляющего напряжения dv/dt, а коэффициент качества RDS(ON)*Qg (сопротивление открытого канала х заряд затвора) — высокой эффективности переключения. Наконец, при малом значении соотношения dv/dt новая технология позволит избежать «звона» транзисторов в быстродействующих схемах.

Пример схемы полу-мостового AC/DC источника питания

Технология DTMOS-IV использует процесс заполнения глубокой траншеи в результате сужения бокового области суперперехода, что способствует оптимизации общей производительности. Первые MOSFETтранзисторы на основе технологии DTMOS-IV уже доступны в большом разнообразии корпусов: DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220SIS, TO-247, TO-3P(N) и TO-3P(L).

Отличительные особенности:

Низкое сопротивление открытого канала: RDS(ON) = 0.327 Ом (типовое) при использовании структуры SuperJunction: DTMOS
Легкое управление затвором
Улучшенный режим: остаточное напряжение Uth = 2.7…3.7 В (Uси = 10 В, Iс = 0.5 мА)

Область применения:

Импульсные источники питания

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

Веб страница Toshiba по транзисторам серии Super Junction MOSFET DTMOS IV (англ.)

Рубрика: Toshiba

Источник: http://www.ebvnews.ru/technical/toshiba/4308.html

Toshiba представила устройство для зарядки смартфона и одновременного бэкапа данных | CHIP Россия

Многие владельцы Android-смартфонов не делают резервные копии данных со своих устройств по банальной причине неудобства: ведь для этого нужно выбрать облачное хранилище, скачать приложение, произвести настройки, а другим просто лень подключать устройство к компьютеру и делать копию данных на локальное устройство. Так или иначе — все эти действия требуют некоторого времени, которого, как правило, и так не хватает. Было бы гораздо проще, если бы резервное копирование данных происходило так же просто, как… зарядка смартфона, например.

На выставке потребительской электронике IFA 2016 компания Toshiba воплотила эту мечту в реальность, чем поразила всех. В чем же интерес этого устройства, спросите вы.

С виду новинка, у которой еще даже названия нет, представляет собой обычную круглую площадку с блоком питания, напоминающую индукционную панель для зарядки мобильных гаджетов. Но нет.

Смартфон традиционно подключается к устройству по USB-кабелю, после чего начинает заряжаться и производит сопряжение с внутренним хранилищем (на 500 Гбайт или 1 Тбайт) устройства от Toshiba.

Огромный плюс устройства в том, что настроить его нужно всего один раз, после этого можете забыть о каких-либо сложностях бэкапа.

Теперь резервная копия будет актуализироваться каждый раз как вы ставите устройство на зарядку, и все ваши фотографии, видеоролики или рабочие документы не потеряются в случае выхода смартфона из строя или его потери.

Более того, с помощью этого инновационного устройства можно перенести все данные на новый смартфон.

А что, если вам нужна резервная копия с двух разных смартфонов? Никаких проблем! Новинка от Toshiba может распознавать разные устройства; при этом резервные копии будут создаваться в соответствующих папках внутреннего хранилища, а посмотреть их можно при подключении устройства к ПК, что тоже весьма удобно. Места на внутреннем накопителе предостаточно — в зависимости от модели, пользователю будет доступно 500 или 1000 Гбайт пространства, так что проблем с переполнением не возникнет.

Как мы уже говорили, кругленькая «док-станция» с размещенным на ней смартфоном на первый взгляд напоминает индукционную панель. Но ни о какой беспроводной зарядке или синхронизации данных «по воздуху» речь, увы, не идет. А хотелось бы.

Впрочем, безымянное устройство представленное компанией Toshiba — это все-таки прототип.

По словам производителя, новинка поступит в продажу только в первом полугодии 2017 года, так что время на доработку у инженеров еще предостаточно.

Источник: https://ichip.ru/toshiba-predstavila-ustrojjstvo-dlya-zaryadki-smartfona-i-odnovremennogo-behkapa-dannykh.html

Дорабатываем PowerBank 6×18650 Dual USB Output

$0,0

Обзор на этот Powerbank был написан мной около пяти месяцев назад. Так как он мне очень понравился и Li-Ion аккумуляторов 18650 у меня хватает, я купил еще два точно таких же.

За время их эксплуатации я практически не нашел недостатков, разве что короткий белый кабель microUSB, идущий в комплекте не очень хороший, при зарядке через него ток солидно падает и еще иногда в сумке сама случайно нажимается кнопка включения.

Эти недостатки не критичны: хороших кабелей у меня хватает а PowerBank имеет функцию автоматического выключения, когда к нему не подключена нагрузка, так что случайные включения не страшны. Ну и пластик корпуса не супер, дешевый на вид и на ощупь, зато прочный. Но чего можно хотеть от устройства за три доллара? Его и так продавали явно ниже себестоимости…

Почему же я решил доработать и без того неплохо работающее устройство? Просто я решил заменить аккумуляторы в одном из моих PowerBank-ов на более емкие, при этом не заметил что плата сдвинулась и пластиковый упор на одной из крышек уперся в маленькую микросхемку. Корпус плохо закрывался, я приложил усилие и… хруст и чип рассыпался в крошку. Это полностью моя вина. Хорошо что у меня есть еще два таких же PowerBank, хоть есть где посмотреть маркировку сломанной детали.

Сломанная деталь была с маркировкой B8205А и имела корпус SOT23-6. Это сдвоенный MOSFET защиты Li-Ion аккумулятора, управляемый контроллером DW01-P, который находится рядом.

Принцип работы точно такой же как в платах защиты аккумуляторов сотовых телефонов: два MOSFET включены встречно, контроллер не допускает разряда аккумулятора, отключая нагрузку и не допускает слишком сильного заряда, тоже разрывая цепь.

Также есть защита от КЗ и слишком большого тока.

Самое интересное, что рядом с раздавленным 8205А есть свободное место под еще один такой же корпус (фото с не раздавленного, чтобы было понятнее).

То есть, разработчики закладывали в плату установку двух корпусов, а экономичные китайские производители посчитали что хватит и одного, так дешевле. Раз должно быть два корпуса — нужно поставить два, китайская экономия может со временем вылезти боком.

Где же взять 8205А? Заказать в Китае и ждать 2 месяца? Ехать на радиорынок? Есть вариант проще, быстрее, а главное — абсолютно бесплатный. Раз контроллеры заряда аккумуляторов сотовых телефонов построены по этой же схеме и содержат эти MOSFET, там я их и буду брать.

У каждого наверняка найдется парочка ненужных аккумуляторов от старых телефонов, которые не жалко раскурочить.

У меня же в здании находится сервис-центр мобильных телефонов, я просто попросил у мастеров и они мне насыпали ведро неисправных и вздувшихся аккумуляторов с вполне исправными платами контроля.

Вот только аккумуляторы, что мне достались на халяву, имеют платы защиты полностью залитые пластмассой. Это хуже, раньше мне попадались аккумуляторы, в которых извлечь эти платы было совсем просто.

Ну да ладно, дареному коню, как говорится….

Отдираю платы защиты от Li-Ion банок. Пластмасса мягкая и легко режется ножом. Строгаю острым ножом прямо по контактным площадкам, как рубанком. Стружка хорошо снимается, пластик хорошо отходит от платы. Плата гладкая, на этой стороне совсем нет деталей, поэтому лезвие ножа ни за что не цепляется.

Затем подцепляю ножом пластик с другой стороны платы и просто отворачиваю в сторону.

Вот незадача, а MOSFET-то на этой плате другой, в восьминогом корпусе TSSOP-8L.

Собственно, это то же самое, но посадочные размеры отличаются. Ладно, поищем еще, я точно видел что были на этих платах 8205 в нужных мне корпусах.

Вскрываю вторую плату. Сразу видна разница: перавая плата была зеленая, вторая черная. И 8205А на ней такая как мне нужна — шестиногая. Странно, аккумуляторы вскрывал одной модели и из одной партии.

Вот черная.

Черные платы мне подходят. Продолжаю вскрытие.

Черные попадаются не так уж и часто, зеленых больше…

А еще иногда попадаются такие вот аккумуляторы…

Якобы NOKIA BL-5C. Плата защиты сделана вообще гениально…

Один конденсатор выполняет работу всех контроллеров, MOSFET-ов и т.п. Спасибо гениальным китайским друзьям.

Не удивительно что аккумулятор быстро стал «дутиком». Хорошо что без пожара обошлось и никто не пострадал.

Мне нужно были 4 черных платы. Наконец набирается нужное количество.

Теперь можно приступать к пайке.

Паять буду воздухом. Можно, конечно, обычным паяльником с тонким жалом. Это уж как кому удобнее. Готовлю инструменты. Приступим.

Припой на платах защиты легкоплавкий, чипы снимаются легко.

Паяются тоже без проблем.

Ставлю платы PowerBank-ов на места. Чтобы не повторять старых ошибок, подбираю винтики и фиксирую платы, чтобы не больше не сдвинулись.

Проверяю на включение — работают. Ставлю на зарядку. Ток заряда более 2А. Так как в PowerBank целых 6 элементов, это не так уж и много. Но и не мало. К сожалению, я не задокументировал каким был ток заряда с одним чипом 8205А, но точно могу сказать что меньше.

Я это сразу заметил, включив блоки на зарядку. В одном из моих зарядных устройств под нагрузкой больше 2А свистит высокочастотный трансформатор. Так вот, раньше, до доработки, эти PowerBank заряжались заметно медленнее (около 12-14 часов) и без свиста.

Теперь со свистом и быстрее (8-10 часов). Отдавали они 2А и раньше, я проверял. А больше мне не нужно, поэтому не могу сказать повлияла ли доработка на токи, которые PowerBank могут отдавать. В любом случае, хуже не стало, поэтому результат положительный.

И, что особенно приятно, доработка не стоила для меня ни копейки.

Жду ваших комментариев…

Источник: https://www.kupislonica.ru/dorabatyvaem-powerbank-6×18650-dual-usb-output/

Toshiba придумала, как утроить пробег электромобиля на одном заряде батарей

Компания Toshiba сообщила, что разрабатывает следующее поколение литий-ионных аккумуляторов SCiBTM (Super Charge ion Battery), предназначенных для электромобилей. В новых батареях будут использованы материалы, которые позволят удвоить емкость анода, значительно повысив энергетическую плотность.

Разработчики обещают сверхбыструю зарядку: электромобиль сможет перезарядиться всего за шесть минут и преодолеть после этого расстояние в 320 км. Эта дистанция в три раза больше той, на которую рассчитаны нынешние аккумуляторы.

По словам Осаму Хори (Osamu Hori), директора Центра корпоративных исследований и разработок Toshiba, новое поколение аккумуляторов найдет практическое применение в электромобилях уже в 2019 финансовом году, который в компании начнется 1 апреля 2019 г.

Новые материалы

Специально для следующего поколения SCiBTM разработчики подготовили анодный материал из оксида ниобий-титана. Это позволило удвоить емкость для хранения лития по сравнению с объемом анодов на основе графита, которые обычно используются в литий-ионных батареях.

Кроме того, оксид ниобий-титана гораздо менее подвержен осаждению металлического лития при сверхбыстрой зарядке или зарядке в условиях низких температур. Сейчас такое осаждение становится причиной внутреннего короткого замыкания и постепенного разрушения батареи.

Зарядившись за шесть минут, новые SCiBTM позволят преодолеть втрое большую дистанцию

В нынешнем поколении аккумуляторов Toshiba использует для изготовления анодов оксид литий-титаната.

По утверждению компании, такие аккумуляторы хорошо зарекомендовали себя в отношении безопасности, быстрой перезарядки и срока службы, благодаря чему нашли широкое применение в автопромышленности и способствовали популяризации электромобилей.

На основе этого опыта и был разработан проприетарный метод синтеза и дезорганизации кристаллов оксида ниобий-титана и более эффективного размещения ионов лития в кристаллической структуре.

Условия работы

К настоящему моменту Toshiba уже провела испытания прототипа нового аккумулятора емкостью 50 Ач. Тестирование подтвердило, что плотность энергии возросла вдвое при сохранении физического объема батареи.

При сохранении физического объема в новых SCiBTM в два раза возрастет энергетическая плотность

Кроме того, аккумулятор сохранил около 90% изначальной емкости после 5 тыс. циклов разрядки и зарядки. Сверхбыстрая перезарядка оказалась возможна при температуре -10°C, при этом она заняла всего десять минут.

Напомним, нынешние литий-титанатные SCiBTM, к производству которых Toshiba приступила в 2008 г., заряжаются на 90% за десять минут, могут служить до десяти лет и выдерживают более 15 тыс. циклов перезарядки. Их энергетическая плотность достигает 60-100 Втч/кг.

Источник: http://www.cnews.ru/news/top/2017-10-03_toshiba_utroit_distantsiyukotoruyu_elektromobil

Защита схем заряда/разряда одиночных и сдвоенных Li-ion аккумуляторов становится эффективнее благодаря высокопроизводительным FlipChip MOSFET-транзисторам

Читать все новости ➔

Компания ON Semiconductor, разработчик инновационных решений в области энергоэффективности, представила два новых MOSFET-транзистора, предназначенных для использования в смартфонах и планшетных компьютерах.

В этих устройствах они применяются в схемах контроля заряда и разряда Li-ion аккумуляторов.

Модели EFC6601R и EFC6602R позволяют инженерам уменьшить размеры схемы, улучшить ее эффективность и увеличить срок службы аккумуляторов.

Новые транзисторы предназначены для работы с одиночными и сдвоенными Li-ion батареями. Они полностью отвечают требованиям RoHS по содержанию вредных веществ и имеют наименьшее в отрасли значение сопротивления открытого канала (RDS(ON)).

Устройства доступны в компактных низкопрофильных корпусах типа LGA, что делает их идеальными для использования в условиях жестко ограниченного пространства, свойственных смартфонам и планшетным компьютерам. EFC6601R имеет максимальное напряжение исток-исток (VSSS) 24 В, а EFC6602R – 12 В.

Типовое напряжение управления затвором составляет 2.5 В. Оба транзистора построены по схеме с общим стоком и имеют встроенный защитный диод.

Схема внутренних электрических соединений транзисторов EFC6601R / EFC6602R

«Мы разрабатываем MOSFET-транзисторы для схем контроля заряда-разряда Li-ion аккумуляторов со времён появления этих батарей», – говорит Такаши Акиба (Takashi Akiba), директор подразделения МОП-компонентов SANYO Semiconductor компании ON Semiconductor. «Накопленные нами знания и опыт позволяют нам создавать устройства очень малых размеров, которые в свою очередь способствуют продлению срока службы аккумуляторов и увеличивают их эффективность».

В течение года компания ON Semiconductor планирует расширить модельный ряд MOSFET транзисторов в корпусах EFCP пятью новыми изделиями, которые дадут возможность разработчикам различных мобильных устройств сделать свои продукты более компактными и увеличить срок службы аккумуляторных батарей.

Отличительные особенности:

Напряжение управления затвором 2.5 В
Конфигурация с общим стоком
Защита от электростатических разрядо 2 кВ (модель человеческого тела, HBM)
Встроенный защитный диод
Не содержит галогенов

Получить техническую поддержку, заказать образцы и узнать условия поставок интересующей продукции можно в ООО «Гамма Плюс»

тел.: (812) 320-40-53
факс: (81378) 3-54-77
info@icgamma.ru
www.icgamma.ru

Возможно, Вам это будет интересно:

Постоянная ссылка на это сообщение: http://meandr.org/archives/13098

Источник: http://meandr.org/archives/13098

Зарядное устройство для Li-ion на ТР4056

Заказал на Ali лот из пяти модулей зарядных устройств на чипе TP4056 для Li-ion аккумуляторов (цена лота 68,70 руб, за модуль 13,74 руб, сентябрь 2015). Пришли на одной печатной плате, разделенные скрайбированием (надрезанием).

На печатке логотип kvsun — китайский производитель широкого спектра зарядок Li-ion аккумуляторов различных типоразмеров и применений.Статья в основном является компиляцией разрозненных данных интернета, с целью собрать все в одном месте.

Модуль основан на чипе TP4056 — контроллере зарядки Li-ion аккумуляторов со встроенным термодатчиком от NanJing Top Power ASIC Corp, это завершенное изделие с линейным зарядом по принципу постоянное напряжение/постоянный ток для одноэлементных литий-ионных аккумуляторов.

Чип от компании из Нанкина, провинция Цзянсу, Китай. Специализация — системы питания игрушек, телефонов, LCD, LCM. Основана в 2003 году.

Контроллер выполнен в корпусе SOP-8, имеет на нижней поверхности металлический теплосьемник не соединенный с контактами, позволяет заряжать аккумулятор током до 1000 ма (зависит от токозадающего резистора). Требует минимум навесных компонентов. По сути это более навороченная модификация их же чипа TP4054, у которого в свою очередь куча аналогов (MCP73831, LTC4054, TB4054, TP4054, SGM4054, ACE4054, LP4054, U4054, BL4054, WPM4054, IT4504, Y1880, PT6102, PT6181, VS6102, HX6001, LC6000, LN5060, CX9058, EC49016, CYT5026, Q7051). Кто тут кому аналог, судить не берусь.

Расположение выводов:

Описание выводов:

TEMP — подключение датчика температуры, встроенного в литий-ионную батарею. Если на выводе напряжение будет ниже 45% или выше 80% от напряжения питания, то зарядка приостановится. Контроль температуры отключается замыканием входа на общий провод.
PROG — Программирование тока зарядки (1.2к — 10к); Постоянный ток зарядки и контроль напряжения зарядки выбираются сопротивлением резистора, между этим пином и GND; Для всех режимов зарядки, зарядный ток может быть выведен из формулы:
GND — Общий;
Vcc — Напряжение питания, если ток потребления (ток зарядки батареи) становится ниже 30mA, контроллер уходит в спячку, потребляя от контакта BAT ~ 2mkA;
BAT — Подключение аккумуляторной батареи (ICR, IMR);
STDBY — Индикация окончания заряда (выход ОК, n-p-n), при слишком низком напряжении питания, или напряжении на входе ТЕМР не в диаппазоне — разомкнут;
- При подключенной батарее, в течении зарядки — разомкнут, по окончании — замкнут;
- При неподключенной батарее замкнут;
CHRG — Индикация зарядки (выход ОК, n-p-n), при слишком низком напряжении питания, или напряжении на входе ТЕМР не в диаппазоне — разомкнут;
- При подключенной батарее, в течении зарядки — замкнут, по окончании — разомкнут;
- При неподключенной батарее, кратковременно включается с периодом 1-4 сек;
CE — Управление зарядкой. При подаче высокого уровня микросхема находится в рабочем режиме, при низком уровне контроллер в состоянии сна. Вход TTL и CMOS совместим;

Процесс зарядки состоит из нескольких этапов:

Контроль напряжения подключенного аккумулятора (постоянно);
Зарядка током 1/10 от запрограммированного резистором Rprog (100мА при Rprog = 1.2к) до уровня 2.9 В (если требуется);
Зарядка максимальным током (1000мА при Rprog = 1.2к);
При достижении на батарее 4.2 В идет стабилизация напряжения на уровне 4.2В. Ток падает по мере зарядки;
При достижении тока 1/10 от запрограммированного резистором Rprog (100мА при Rprog = 1.2к) зарядное устройство отключается. Переход к п. 1

Контроллер имеет хороший профиль CC/CV и может быть адаптирован ко многим различным конфигурациям зарядки и типам Li-ion аккумуляторов. Номинальный зарядный ток может быть изменен подбором единственного резистора. Модуль представляет из себя небольшую платку (19 х 27 мм, рядом элемент ААА) с собранной схемой зарядного устройства.Схема практически идентична схеме из даташита, за исключением подключения термодатчика аккумулятора. На полученных модулях цвет светодиодов окончания зарядки другой, вместо зеленого — синий.Можно (если понадобилось) вывести вход термодатчика отдельным проводком, напаявшись на лапку и отрезав ее от GND. Или же подняв лапку над платой и напаявшись. Если же хочется без паяния, надо просто заказать там же другой модуль:Отличие только в компоновке и габаритах (37×15мм).

Описание:

Напряжение питания +4,5…+8,0 вольт (более 5,5 В не рекомендуется, чип перегревается);
Разьем Mini-USB на плате, для питания от USB-порта компьютера или универсального блока питания;
Ток заряда 1,0 Ампер (1000 мА), легко программируется изменением значения резистора Rprog (от 1,2k до 10k (по даташиту, на самом деле до ~30k));
Важно: источник питания (USB порт, USB адаптер, или др.) должен обеспечивать ток заряда с некоторым запасом. Не все порты USB могут обеспечить ток более 500 мА;
Напряжение окончания заряда аккумулятора: 4,2 вольта;
Светодиод индикации заряда;
Светодиод индикации окончания заряда;
Готовый модуль;
Миниатюрные размеры 19 х 27 мм;
Вес модуля 1,9 гр;

Тесты зарядки реальных аккумуляторов: Заявленная емкость 3400mAh:Очень хороший график CC/CV, немного затянуто падение СС, это увеличивает время зарядки, но аккумулятору от этого хуже не будет. Ток зарядки не достиг заявленных 1000мА. Возможно его ограничила температура самого контроллера. Контроллер сначала сильно разогревшись к концу зарядки остывает.Снижение напряжения питания до 4.5 В, увеличивает время зарядки и уменьшает температуру, но итоговое напряжение немного ниже.Увеличение напряжения питания действительно увеличивает температуру, но также и уменьшает ток. Когда чип перегревается, он уменьшает ток.То же, но использован небольшой алюминиевый радиатор на контроллере. И это действительно помогает, температура ниже, чем при питании от 5,0 В.Старый 16340 IMR аккумулятор от видеокамеры также был заряжен успешно. После окончания зарядки контроллер продолжает мониторинг напряжения аккумулятора. Ток, потребляемый схемой мониторинга 2-3 mkA. После падения напряжения до 4.0В, зарядка включается снова. При отключении и подключении аккумулятора, зарядка включится только если напряжение аккумулятора ниже 4.0В.

Внимание!!! Контроллер имеет одну особенность, не описанную в даташите. Он не содержит схемы защиты от переполюсовки батареи. В этом случае контроллер гарантированно выходит из строя из-за превышения максимального тока и теплового пробоя.

Но это только полбеды, контроллер пробивается накоротко, и на его выходе (батарее) появляется полное (!) входное напряжение.

Это особенно актуально для заряда пальчиковых аккумуляторов типа 18650.

При установке очень легко ошибиться с полярностью.

Можно купить и модули с защитой:

Кроме контроллера зарядки ТP4056 в него добавлены два чипа: DW01 (схема защиты) + ML8205A (сдвоенный ключ MOSFET).

Что эта схема добавляет в характеристики предыдущего модуля:

Встроенная защита окончания зарядки: 4,2 вольт (ТP4056 и так это делает);
Встроенная защита от короткого замыкания по выходу (ограничение на 3А);
Встроенная защита от глубокого разряда аккумулятора (+2,4 вольт);
Разьем Micro-USB на плате, в предыдущем Mini-USB;

К сожалению защитить от переполюсовки он надолго не сможет, ограничит ток на 3А. Для DW01 и ML8205A такой ток некритичен, ТP4056 быстро перегреется.

Чего хотелось достичь?

Ранее я заказал и описАл простую платку с DS1307Z и AT24C32 на борту.

Для резервного питания часов там заложен Li-ion аккумулятор LIR2032. Его подзарядка осуществляется постоянно, через резистор (1,8мкА), от питающего напряжения.

Хотя упоминаний об этом в инете нет, меня убедили, что такая схема зарядки быстро убивает аккумулятор. Данная зарядка бралась на замену резистору. Такая замена естественно дороже. Хотя если учесть цену данной платы (13,74 руб), плюсов будет больше.

Тестовая работа по подключению маломощного аккумулятора LIR2032 к зарядке на TP4056 была проведена здесь:

Автор изменил сопротивление токозадающего резистора с 1,2к на 33к, зарядный ток уменьшился до 45мА. По словам автора, зарядка разряженного аккумулятора занимает около часа.

Как это будет выглядеть в теории? Даташит на Li-MnO2 аккумулятор LIR2032 рекомендует зарядку номинальным током 20мА и напряжением 4,2В.

После падения тока до 4мА батарею можно считать полностью заряженной. Максимальный ток зарядки 35-45мА, в зависимости от производителя. Минимальное напряжение разряда аккумулятора до начала деградации ячейки 2,75В. Для аккумулятора гарантируется 500 циклов заряда/разряда с сохранением после них не менее 80% емкости.

В свою очередь контроллер Tp4056 не сможет обеспечить ток зарядки ниже 30мА, просто уйдет в сон. И ждать пока напряжение на аккумуляторе упадет до 2,75В тоже не будет, включит зарядку уже при падении до 4,0В. Таким образом он будет постоянно поддерживать аккумулятор на ~85-95% заряженным. Наверное это не оптимально для ячейки, но все же лучше, чем через резистор.

Источник: http://we.easyelectronics.ru/part/zaryadnoe-ustroystvo-dlya-li-ion–na-tr4056.html