Транзисторы кп301 – кп312

Транзистор КП312А

Перечень и количество драгметаллов которые можно извлечь из транзистора КП312А.

Информация из справочников производителей. Справочник содержания драгметаллов (золота, серебра, платины и МПГ) в транзисторе с указанием его веса которые используются (или использовались) при производстве в радиотехнике.

Содержание драгоценных металлов в транзисторе КП312А.
Золото: 0,00399 грамм.
Серебро: 0,00097 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.
На основании информации: Из справочника Связь-Инвест.

Транзистор (англ. transistor), полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи.

Обычно используется для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов.

В общем случае транзистором называют любое устройство, которое имитирует главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде.

В полевых и биполярных транзисторах управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока.

Это усилительное свойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связь и т. п.). В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы (БТ) (международный термин — BJT, bipolar junction transistor).

Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника (логика, память, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. п.), где, напротив, биполярные транзисторы почти полностью вытеснены полевыми.

А теперь давайте поговорим о полевых транзисторах. Что можно предположить уже по одному их названию? Во-первых, поскольку они транзисторы, то с их помощью можно как-то управлять выходным током. Во-вторых, у них предполагается наличие трех контактов. И в-третьих, в основе их работы лежит p-n переход. Что нам на это скажут официальные источники?

Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, обычно с тремя выводами, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля.

Определение не только подтвердило наши предположения, но и продемонстрировало особенность полевых транзисторов — управление выходным током происходит посредством изменения приложенного электрического поля, т.е. напряжения. А вот у биполярных транзисторов, как мы помним, выходным током управляет входной ток базы.

Еще один факт о полевых транзисторах можно узнать, обратив внимание на их другое название — униполярные. Это значит, что в процессе протекания тока у них участвует только один вид носителей заряда (или электроны, или дырки).

Три контакта полевых транзисторов называются исток (источник носителей тока), затвор (управляющий электрод) и сток (электрод, куда стекают носители). Структура кажется простой и очень похожей на устройство биполярного транзистора. Но реализовать ее можно как минимум двумя способами. Поэтому различают полевые транзисторы с управляющим p-n переходом и с изолированным затвором.

Схема транзистора и схемы включения транзистора.

Любой усилитель, независимо от частоты, содержит от одного до нескольких каскадов усиления. Для того, чтобы иметь представление по схемотехнике транзисторных усилителей, рассмотрим более подробно их принципиальные схемы.

Транзисторные каскады, в зависимости от вариантов подключения транзисторов, подразделяются на:

1 Каскад с общим эмиттером (на схеме показан каскад с фиксированным током базы – это одна из разновидностей смещения транзистора). 2 Каскад с общим коллектором

3 Каскад с общей базой

Параметры транзисторов UКБО – максимально допустимое напряжение коллектор – база; UКБО и – максимально допустимое импульсное напряжение коллектор – база; UКЭО – максимально допустимое напряжение коллектор – эмиттер; UКЭО и – максимально допустимое импульсное напряжение коллектор -эмиттер; UКЭН – напряжение насыщения коллектор – эмиттер; UСИ max – максимально допустимое напряжение сток – исток; UСИО – напряжение сток – исток при оборванном затворе; UЗИ max – максимально допустимое напряжение затвор – исток; UЗИ отс – Напряжение отсечки транзистора, при котором ток стока дости-гает заданного низкого значения (для полевых транзисторов с р-n переходом, и с изолированным затвором); UЗИ пор – Пороговое напряжение транзистора между затвором и стоком, при котором ток стока достигает заданного низкого значения (для полевых тран-зисторов с изолированным затвором и п-каналом); IK max – максимально допустимый постоянный ток коллектора; IK max и – максимально допустимый импульсный ток коллектора; IC max – максимально допустимый постоянный ток стока; IC нач – начальный ток стока; IC ост – остаточный ток стока; IКБО – обратный ток коллектора; РК max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода; РК max т – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом; РСИ max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность сток – исток; H21Э – статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером; RСИ отк – сопротивление сток – исток в открытом состоянии; S – крутизна характеристики; fГР. – граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером;

КШ – коэффициент шума биполярного (полевого) транзистора;

Схемы включения транзистора

Для включения в схему транзистор должен иметь четыре вывода — два входных и два выходных. Но транзисторы всех разновидностей имеют только три вывода. Для включения трёхвыводного прибора необходимо один из выводов объединить, и поскольку таких комбинаций может быть только три, то существуют три базовых схемы включения транзистора:
Схемы включения биполярного транзистора

с общим эмиттером (ОЭ) — осуществляет усиление как по току, так и по напряжению — наиболее часто применяемая схема; с общим коллектором (ОК) — осуществляет усиление только по току — применяется для согласования высокоимпедансных источников сигнала с низкоомными сопротивлениями нагрузок;

с общей базой (ОБ) — усиление только по напряжению, в силу своих недостатков в однотранзисторных каскадах усиления применяется редко (в основном в усилителях СВЧ), обычно в составных схемах (например, каскодных).

Схемы включения полевого транзистора

Полевые транзисторы, как с p-n переходом (канальные), так и МОП (МДП) имеют следующие схемы включения:

с общим истоком (ОИ) — аналог ОЭ биполярного транзистора; с общим стоком (ОС) — аналог ОК биполярного транзистора;

с общим затвором (ОЗ) — аналог ОБ биполярного транзистора.

Схемы с открытым коллектором (стоком)

«Открытым коллектором (стоком)» называют включение транзистора по схеме с общим эмиттером (истоком) в составе электронного модуля или микросхемы, когда коллекторный (стоковый) вывод не соединяется с другими элементами модуля (микросхемы), а непосредственно выводится наружу (на разъем модуля или вывод микросхемы).

Выбор нагрузки транзистора и тока коллектора (стока) при этом оставляется за разработчиком конечной схемы, в составе которой применяются модуль или микросхема. В частности, нагрузка такого транзистора может быть подключена к источнику питания с более высоким или низким напряжением, чем напряжение питания модуля/микросхемы.

Такой подход значительно расширяет рамки применимости модуля или микросхемы за счет небольшого усложнения конечной схемы. Транзисторы с открытым коллектором (стоком) применяются в логических элементах ТТЛ, микросхемах с мощными ключевыми выходными каскадами, преобразователях уровней, шинных формирователях (драйверах) и т.

п.

Реже применяется обратное включение – с открытым эмиттером (истоком). Оно также позволяет выбирать нагрузку транзистора после изготовления основной схемы, подавать на эмиттер/сток напряжение полярности, противоположной напряжению питания основной схемы (например, отрицательное напряжение для схем с биполярными транзисторами n-p-n или N-канальными полевыми), и т.п.

Маркировка транзисторов – Цветовая и кодовая маркировка транзисторов.

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

Кодовая маркировка даты выпуска приборов Год Кодированное обозначение 1983 R 1984 S 1985 Т 1986 U 1987 V 1988 W 1989 X 1990 A 1991 В 1992 С 1993 D 1994 E 1995 F 1996 H 1997 J 1998 K 1999 L

2000 N

Месяц Кодированное обозначение Январь 1 Февраль 2 Март 3 Апрель 4 Май 5 Июнь 6 Июль 7 Август 8 Сентябрь 9 Октябрь 0 Ноябрь N

Декабрь D

Цветовая кодировка группы Группа Цветная точка сверху А Темно-красная Б Желтая В Темно-зеленая Г Голубая Д Синяя Е Белая Ж Темно-коричневая И Серебристая К Оранжевая Л Светло-табачная

М Серая

Цоколевка транзисторов

При подборе аналогов деталей по схемам, всегда возникает вопрос правильного их монтажа на печатной плате. Цоколевка (распиновка) транзисторов. Вот сейчас хочу описать и выложить на одной странице цоколевки (распиновки) всех отечественных транзисторов, чтобы Вас вопрос расположения ножек транзисторов не вводило в заблуждение.

Транзисторы справочник – корпуса транзисторов

транзисторы справочник – корпуса транзисторов

Принцип работы Транзистора

В настоящее время находят применение транзисторы двух видов — биполярные и полевые. Биполярные транзисторы появились первыми и получили наибольшее распространение. Поэтому обычно их называют просто транзисторами. Полевые транзисторы появились позже и пока используются реже биполярных.

Биполярными транзисторы называют потому, что электрический ток в них образуют электрические заряды положительной и отрицательной полярности. Носители положительных зарядов принято называть дырками, отрицательные заряды переносятся электронами.

В биполярном транзисторе используют кристалл из германия или кремния — основных полупроводниковых материалов, применяемых для изготовления транзисторов и диодов. Поэтому и транзисторы называют одни кремниевыми, другие — : германиевыми.

Для обоих разновидностей биполярных транзисторов характерны свои особенности, которые обычно учитывают при проектировании устройств.

куплю транзисторы, транзистор цена

Если у вас есть больше информации о трансформаторе КП312А сообщите ее нам мы бесплатно разместим ее на сайте.

Фото транзистор КП312А:

Транзистор виды электронных компонентов

Характеристики транзистор КП312А:

Купить или продать а также цены на транзистор КП312А (куплю транзисторы, транзистор цена):

Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже

Справочник содержания драгоценных металлов. Содержание вторичных драгоценных металлов (золота, серебра, платины, палладия и других ценных металлов) в автомобилях, средствах связи, приборах, реле, конденсаторах, радиостанциях, компьютерах, разъемах, розетках и т.д

Источник: https://affinage.org.ua/tranzistor-kp312a/

Транзистор полевой КП312

Цоколевка транзистора КП312

Описание

Малошумящие СВЧ эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных усилителях и преобразовательных каскадах СВЧ диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды
— 60…+100°С.

Параметры транзистора КП312

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог	КП312А	*SFE264, BF410C 1, BF410B 1, BF511 1, 2SK242 1*
КП312Б	*2SK11 3, 2SK12 3, 2SK15 3, 2SK49 3, 2SK92 3, BF410 1, КК3823 3, 2N4302 1, 2SK83 1**
Структура	—	C p-n переходом и n-каналом
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная).	PСИ, P*СИ, т max	КП312А	—	100	мВт, (Вт*)
КП312Б	—	100
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).	UЗИ отс, U*ЗИ пор	КП312А	—	2..8	В
КП312Б	—	0.8…6
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток.	UСИ max, U*ЗC max	КП312А	—	20; 25*	В
КП312Б	—	20; 25*
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное).	UЗИ max	КП312А	—	25	В
КП312Б	—	25
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный)	IС, I*С, И	КП312А	—	25	мА
КП312Б	—	25
Начальный ток стока	IС нач, I*С ост	КП312А	—	≤25	мА
КП312Б	—	≤7
Крутизна характеристики полевого транзистора	S	КП312А	15 В	4…5.8	мА/В
КП312Б	15 В	2…5
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком	C11и, С12и, С22и	КП312А	—	≤4; ≤1*	пФ
КП312Б	—	≤4; ≤1*
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзисторапри заданном напряжении сток-исток	RСИ отк, Kу. P, P*вых, ΔUЗИ	КП312А	400 МГц	≥2*	Ом, (дБ), (Вт),(мВ**)
КП312Б	400 МГц	≥2*
Коэффициент шума транзистора	Кш, Uш, Eш, Q**	КП312А	400 МГц	≤4	Дб, (мкВ), (нВ/√Гц), (Кл*)
КП312Б	400 МГц	≤6
Время включения транзистора	tвкл, tвыкл, F*р, ΔUЗИ/ΔT	КП312А	—	—	нс, (нс), (МГц), (мкВ/°C**)
КП312Б	—	—

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Источник: https://rudatasheet.ru/transistors/kp312/

Справочник молодого радиста © Издательство «Высшая школа»

Сохрани ссылку в одной из сетей:

Рис. 70. Схема включения полевого транзистора

Полевой транзистор с управляющим р-n-переходом (рис.

70) представляет собой кристалл полупроводника ПК электронной проводимости (n-типа) с двумя внешними токоотводами — истоком Ии стоком С, через которые проходит ток, создаваемый основными носителями заряда.

Между внешними токоотводами подключены нагрузка RHи источник постоянного Напряжения £с. Токоотвод И, через который в кристалл входят основные носители заряда, называют истоком, а токоотвод С, через который заряды выходят во внешнюю цепь, — стоком.

В основном кристалле полупроводника создана область противоположного типа проводимости — дырочной (р-типа), которая выполняет функции управляющего электрода и называется затвором 3. Между затвором и основным кристаллом возникает р-n-переход, а в самом кристалле создается узкий, канал К.

(n-типа) для движения основных носителей заряда — электронов. Сечение канала зависит от напряжения на затворе. Обычно к затвору подводится постоянное обратное напряжение смещения Е3(минус подключен к р-, а плюс — к n-области).

Между затвором и истоком подключают источник переменного напряжения сигнала Ucmsinwt, которое требуется усилить.

При отсутствии сигнала на входе основные носители заряда — электроны под действием ускоряющего поля дрейфуют в канале от истока к стоку, создавая ток в кристалле. Этот ток определяет-ся напряжением стока и сопротивлением канала, зависящим от его сечения.

Если одновременно с напряжением смещения Еэв цепь затвора подается переменное напряжение сигнала, результирующий потенциал на р-я-переходе изменяется U3= — Ea+Ucmsin wt.

При этом будет изменяться ширина p-n-перехода, что вызовет изменение сечения канала, а следовательно, и его проводимости. В результате напряжение сигнала модулирует сечение канала, управляя током в канале и нагрузке.

Таким образом, в полевых транзисторах с управляющим р-гс-переходом под действием поля внешнего источника изменяется сечение токопроводящего канала.

Транзисторы МДП с изолированным затвором (со структурой металл — диэлектрик — полупроводник) и МОП (со структурой металл — оксид — полупроводник) имеют один или несколько затворов, электрически изолированных от токопроводящего канала, который может быть встроенным или индуцированным. В приборах со встроенным каналом К (рис.

71) основой служит пластинка слаболегированного кремния р-типа проводимости. Области стока С и истока И, обладающие проводимостью я+-типа, соединены встроенным каналом — узкой слаболегированной областью кремния проводимостью n-типа. Затвор 3 представляет собой металлический слой, изолированный от канала тонким диэлектриком.

При подаче на затвор переменного напряжения сигнала происходит изменение проводимости канала и проходящего через него тока. Так, при отрицательном напряжении на затворе электроны вытесняются из области канала в объем полупроводника р-типа. Канал обедняется носителями заряда и его проводимость уменьшается.

При подаче на затвор положительного напряжения происходит обогащение канала электронами и его проводимость возрастает. Полевой транзистор с изолированным затвором в отличие от полевого транзистора с управляющим p-n-переходом может работать с нулевым, отрицательным или положительным смещением.

Другим важным преимуществом полевых транзисторов с изолированным затвором является большое (до 100 ГОм) входное сопротивление, которое определяется изолирующей прослойкой между затвором и истоком.

Кроме параметров режима, присущих биполярным транзисторам, полевые транзисторы характеризуются также следующим рядом параметров постоянного тока.

Рис. 71. Структура полевого МДП-транзистора с встроенным каналом

Ток утечки затвора IЗ.ут — ток в цепи затвора при заданном напряжении. Полевые транзисторы с управляющим р-я-переходом обычно имеют ток IЗ.ут, равный нескольким наноамперам, а с изолированным затвором — нескольким пикоамперам. Ток утечки затвора является неуправляемым током, который растет с увеличением температуры. Чем меньше этот ток, тем лучше качество транзистора.

Начальный ток стока Iс.нач, — ток в цепи стока при заданном напряжении на стоке и напряжении на затворе, равном нулю

Напряжение отсечки Uзи.0тс — напряжение на затворе при котором ток в цепи стока достигает заданного низкого значения (транзистор закрывается). В полевых транзисторах с индуцированным каналом ток в цепи стока появляется лишь при образовании канала при некотором пороговом напряжении на затворе UПОР

Параметрами режима малого сигнала являются следующие

Статическая крутизна S характеристики прямой передачи тока определяемая как отношение изменения тока в цепи стока к вызвавшему его изменению напряжения на затворе S=ДIc/ДU3 при

Обычно S=0,5+5 мА/В. Статический коэффициент усиления по напряжению ц=ДUс/ДUз ~ 25-100.

Выходное сопротивление Rвых=AUc/ДIc при U3=const, которое достигает десятков или сотен килоомов

Входное сопротивление RВХ=ДU3/ДI3 при Uc=const, которое достигает нескольких мегаомов и является преимуществом полевых транзисторов перед биполярными. В основном входное сопротивление определяется сопротивлением p-n-перехода, находящегося под постоянным обратным напряжением, при котором очень мал обратный ток затвора.

Входная емкость Сзи и проходная Ссземкость — емкости между затвором и истоком и стоком и затвором (обычно несколько пикофарад). Проходная емкость представляет собой часть барьерной емкости р-л-перехода (затвора).

Частотными параметрами полевых транзисторов является ъра* ничная частота fг — частота, при которой коэффициент усиления по мощности усилительного каскада превышает единицу и определяется крутизной и выходной емкостью транзистора

Рис. 72. Цоколевка (а), габаритные размеры (б) и условное изображение (в) полевого транзистора КП103

Кремниевые полевые транзисторы КШОЗ (Е, Ж, И, К, Л, М) имеют р-л-переход и канал р-типа и выпускаются в металлическом или пластмассовом корпусе (рис. 72, а — в) массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до +85 °С, Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 127.

Таблица 127

Параметры	Типы транзисторов
КП103Е	КП103Ж	КП103И	КП103К	КШОЗЛ	КП103М
Ток стока, мА	0,3 —	0,3 —	0,4-4	1 — 5,5	2,7-	3 — 12,
при Уси=	2,5	3,8	10,5
= 10 В и
(Лш=0 В
Крутизна ха- рактеристи- ки тока сто- ка, мА/В	0,4 — 2,4	0,5- 2,8	0,6 — 2,9	1 — 3	1,2- 4,2	1,3-4,4
Напряжение отсечки, В, При Uca = =10 В, Iс = = 10 мкА и Узи=0 В	0,4- 1,5	0,5 — 2,2	0,8-3	1,4 — 4	2 — 6	2,8-7
Суммарное на- пряжение	15	15	15	J5	17	17

Напряжение Uси *, В . ………., . 10

Ток затвора, нА, при UЭи = 10 В и Uси = 0 В . . . .20 Коэффициент шума, дБ, при Uзи=0 В, Uси = 5 В и

f=1 кГц……………… 3

Емкость, пФ, при Uси = 10 В и Uзи — О В:

входная ………. 20

проходная ….. ……. 8

Мощность рассеивания, мВт ……… 120

* Напряжение стока — отрицательное относительно истока, на затворе — положительное.

Кремниевые полевые транзисторы КП301Б представляют собой МОП-структуры с изолированным затвором 3 и индуцированным каналом р-типа и выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис.

73, а), с диапазоном рабочих температур от — 40 до +70 °С. Напряжение на стоке отрицательное относительно истока и подложки, на затворе — также отрицательное. Электрические параметры транзисторов приведены ниже.

Рис.73. Цоколевка и основные размеры кремниевых полевых транзисторов: а — КП301Б, б — КП302, в — КПЗОЗ, г — КП305, д — КП306 (КН350)

Ток стока, мА………….. 15

Начальный ток стока *, мкА……… 0,5

Крутизна характеристики*, мА/В, при Iс = 5 мА

и f=50 — 1500 Гц………….. 1

Ток затвора, нА, при Uся=0 В и Uзи=30 В … 0,3

Напряжение U3a, В……….. 30

Напряжение UСи, В……… . . . 20

Проходная емкость**, пФ, при f=10 МГц . , 1

Входная и выходная емкости **, пФ, при f=10 МГц…………….. 3,5

Коэффициент шума**, дБ, при f==100 МГц, Rг=

=l кОм…………….. 9,5

Мощность*** рассеивания, мВт, при TС=20°С . , 200

Ток порога*, мкА, при Uзи = 6,5 В…… 10

Пороговое напряжение*, В, при Iс = 0,3 мА … 4,2 Коэффициент усиления по мощности **, дБ, при

f=100 МГц и Rг=1 кОм . ………. 15

* При Uси = 15 В. ** При Uси = 15 В и Iс=5 мА.

*** При температуре среды 20 — 55 °С мощность, мВт, Р макс ** =200-1,5(7С — 20).

Кремниевые полевые транзисторы КП302 (А, Б, В) с р-n-пере-ходом и каналом n-типа выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 73, б), массой 1,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 70 до +100°С. Напряжение на стоке положительное относительно истока, а на затворе — отрицательное. Электрические параметры приведены в .табл. 128.

Таблица 128

Параметры	Типы транзисторов
КП302А	КП302Б	КП302В
Ток стока *, мА, при V си = 7 В и	3 — 24	18 — 43	33
Крутизна характеристики, мА/В, при UСи=7 В, Uзи=0 В и f=50 1500 Гц	5	7	— .
Напряжение отсечки, В, при UСи = = 7 В и Iс = 10 мкА	5	7	10
Ток затвора, нА, при Uзи = 10 В	10	10	10
Напряжение Uaa, В Сопротивление канала, Ом, при	10	10 150	12 100
Uси=0,2.В и Uзи=0 В

Напряжение Uси, В………… 20

Напряжение UC3, В……….. . 20

Емкость**, пФ, при Uси=10В и f=10МГц:

проходная ………. ….. .8

входная………….. . . 20

Ток затвора при прямом смещении, мА .*….. 6 Обратный ток перехода сток — затвор, мкА, при

U3C=20 В………………. 1

Мощность рассеивания***, мВт, при 7С=20°С . . . 300

* Для КП302В напряжение Uси =10 В.

** При Iс=3; 18; 33 мА соответственно для групп А, Б, В. *** При температуре среды 20 — 100 °С мощность, мВт, Pмакс =300-2 (Т с — 20).

Кремниевые полевые транзисторы КП303 (А — И) выпускают с p-n-переходом и каналом n-типа в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 73, в), массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85 °С. Напряжение на стоке положительное относительно истока, на затворе — отрицательное. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 129.

Таблица 129

Параметры	Типы транзисторов
КПЗОЗА	КПЗОЗБ	КП303В	КП303Г
Ток стока, мА, при UCи= = 10 В и Uзи = 0 В	0,5 — 2,5	0,5 — 2,5	1,5 — 5	3 — 12
Крутизна характеристики, мА/В, при Uси=10 В,	1 — 4	1 — 4	2-5	3 — 7
Uзи = 0 В и f=50- 1500 Гц
Напряжение отсечки, В, при Uсч=10 В и Iс = 10 мкА	0,5 — 3	0,5-3	1-4	До8
Ток затвора, нА, при Uзи = = 10 В и Uси=0 В	1	1	1	0,1
Продолжение
Параметры	Типы транзисторов
КП303Д	КП303Е	КП303Ж	КП303И
Ток стока, мА	3-9	5-20	0,3 — 3	1,5 — 5
при UCH=10 В и Uзи=0 В
Крутизна характеристики,	2,6	4	1 — 4	2 — 6
мА/В, при Uси=10 В,
Uзи=ОВ и f=50-1500Гц
Напряжение отсечки, В, при	До 8	До 8	0,3 — 3	0,5-2
Uси =10 В и Iс = 10 мкА
Ток затвора, нА, при Uзи =	1	1	5	5
=10В и Uси=ОВ
Напряжение Uзи, В , …	… . . 30
Напряжение Uси, В , …	25
Напряжение Uсз, В , …	30
Емкость, пФ: входная	6
проходная	2
Ток стока, мА	20
Мощность* рассеивания, мВт, при температуре среды,°С: от —40 до +25 …..	200
85 …….. . .	100

* При температуре среды от 25 до 85°С мощность, мВт, Р макс — =200 — 1,6(ГС — 25).

Кремниевые полевые транзисторы КП305 (А, Е, Ж, И), имеющие МОП-структуру с изолированным затвором и встроенным каналом n-типа, выпускают в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис.

73, г), массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до + 125°С. Напряжение на стоке положительное относительно истока, на затворе — отрицательное.

Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 130.

Учебное пособие
В учебном пособии раскрываются актуальные проблемы высшего образования: тенденции развития высшего образования в России, его содержание, технологии обучения, методы формирования системного профессионального мышления, подготовка широкопрофильного
Образовательная программа
Техническое творчество – наиболее многочисленная и интересная область детской, юношеской увлечённости. Ничто другое не составляет такого разнообразия, как деятельность с техникой в тех или иных направлениях, например, механика, электротехника,
Документ
Редакционная коллегия: д.и.н., профессор Кабытов П.С. (ответственный редактор), д.и.н., профессор Смирнов Ю.Н., д.и.н., профессор Дубман Э.Л. (зам. ответственного редактора), д.
Документ
Редакционная коллегия: д.и.н., профессор Кабытов П.С. (ответственный редактор), д.и.н., профессор Смирнов Ю.Н., д.и.н., профессор Дубман Э.Л. (зам. ответственного редактора), д.
Документ
Есть хорошая фраза из детского прошлого — ее любили повторять в молодости наши родители: «Кем бы я был, если бы не лез в дела своих друзей!» В текущий век индивидуализма и современной ему конфликтологии такие лозунги «не проходят»,

Источник: https://refdb.ru/look/2492482-p43.html