Компания spansion представила технологию hyperbus на базе флэш-памяти nor

HyperRAM: использование микросхемы с интерфейсом памяти HyperBus

Продолжаем знакомить читателей Хабра с «нестандартными» типами памяти для разработки электроники. В прошлый раз мы рассказывали о гибридном кубе памяти (HMC) и его подключении к FPGA, а в этой статье сфокусируемся на микросхемах памяти с интерфейсом HyperBus от Cypress, которые появились на рынке относительно недавно, в 2014 году.

Сейчас доступно две разновидности устройств: HyperRAM и HyperFLASH. HyperRAM — это псевдо-статическая память (DRAM + схема перезаряда в одном чипе), а HyperFLASH — это NOR-флэш-память с интерфейсом HyperBUS. Также доступны комбинированные чипы 2 в 1: HyperFLASH 512Mb + HyperRAM 64Mb.

Ценность современных решений заключается в малом числе сигналов, мелком футпринте, достаточно большой скорости работы и адекватной цене. Например, вот как компания Cypress (основной продвиженец HyperBUS) видит следующее поколение этих чипов памяти в автомобильной электронике в главе со своим контроллером:То есть Cypress предлагает всю внешнюю память заменять одним чипом.

И в целом это предложение не безосновательное, особенно для проектов с жесткими требования к размерам плат.

Несмотря на ряд преимуществ по сравнению с SRAM, DRAM и обычными FLASH, широкого внедрения HyperBUS решений пока не произошло, так как еще недавно — прошлом году — такие устройства поддерживались только одним микроконтроллером от Cypress (ну и FPGA, конечно).

Сейчас дело движется вперед и всё больше микроконтроллеров обеспечивает его поддержку.

Две недели назад, 5 декабря 2017 года, компания Cypress анонсировала включение интерфейса памяти HyperBus в стандарт xSPI (eXpanded SPI), разработку которого координирует JEDEC, комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции.

Стандарт xSPI определяет требования к совместимости высокопроизводительных последовательных интерфейсов, чтобы производители контроллеров и чипсетов могли разрабатывать универсальный контроллер памяти.

Включение интерфейса HyperBus в стандарт JEDEC xSPI должно упростить проектирование памяти на основе HyperBus и обеспечить большую гибкость в реализации функций мгновенного включения (insant on) при разработке электроники для автомобилей, промавтоматики и интернета вещей (IoT).

Микросхемы с интерфейсом памяти HyperBus очень перспективные, и мы спешим поделиться опытом их применения в одном из наших проектов.

Описание задачи

Прежде чем переходить к рассказу об интерфейсе поясним, в какой задаче он был применен. В очередной разработке мы должны были обеспечить вывод данных на внешнее устройство с минимальной латентностью и достаточно большой пропускной способностью. При этом места на плате не то чтобы нет, его совсем нет.

На платку размером со спичечный коробок требовалось уместить процессор с Линуксом на борту, плюс соответствующую обвязку, USB-контроллер, ПЛИС, который собственно обращается к памяти и выдает данные наружу, и еще кое-какую специфическую начинку. Естественно, все компоненты проходили жесткий отбор. В результате выбор микросхемы памяти пал на HyperRAM.

Параметры: количество сигналов для подключения к FPGA — 12; максимальная латентность — 36 нс; пропускная способность — 333 MБ/с; объем — 8 МБ; корпус —6x8x1.2 mm TF-BGA. Для сравнения: SRAM аналогичного объема потребует 35 линий, а SDRAM — и того больше.

При этом SRAM будет стоить на порядок больше, чем HyperRAM, а SDRAM потребует титанических усилий трассировщика и приведет к существенному удорожанию печатной платы. Требование к минимизации латентности не позволяло воспользоваться высокоуровневыми IP-модулями сторонних разработчиков (типа AVALONHyperBus с конвейеризацией и шедулингом).

В итоге наша задача сводилась к разработке специализированного IP-модуля для работы с HyperRAM. Разработка модуля проводилась на отладочной плате HyperMAX от devboards. Плата содержит два интересных устройства: HyperRAM и HyperFLASH от ISSI. Помимо этого плата напичкана разными плюшками, ориентированными на применение в автомобильной электронике.

Cтоит отметить, что имеющиеся на рынке IP-модули поддерживают работу с HyperBUS по интерфейсам AXI4 и AVALON, а также декларируют возможность исполнения программ софтварных процессоров непосредственно с HyperFLASH [например].Несколько слов об отладке HyperMAX (ревизия 1.1)Примеры проектов очень средненькие.

Проект для HyperRAM вообще с непонятной логикой выбора рабочей частоты. Вместо того чтобы прописать констрейны на RWDS, выставлена фиксированная задержка сигнала во входном буфере, и HyperRAM шаманским образом работает на частоте 116 МГц. На входные пины с SDR-буферами заведены DDR-сигналы. На стойку невозможно накрутить гайку, поскольку отверстие размещено вплотную к разъему.

На одном из разъемов на пин по схеме выведен GPIO-сигнал, а по факту его там нет. И это мы еще не все проверили. В общем, не смотря на то, что плату HyperMAX разработали немцы и стоит она ~300 евро, отладка сыровата. Но, как говорится, «при всем богатстве выбора другой альтернативы нет».Дальше опишем работу с микросхемой HyperRAM. Взаимодействие с HyperFLASH организовано аналогичным образом, но с некоторыми упрощениями.

Память HyperRAM

Микросхема HyperRAM — это высокоскоростная DRAM-CMOS-память, работающая по интерфейсу HyperBUS со встроенным механизмом перезарядки. Схема перезаряда работает, когда не осуществляется операций чтения/записи. В результате с точки зрения хоста, память выглядит статической и называется псевдо-статической памятью (PSRAM).

HyperBus — это DDR-интерфейс, который позволяет добиться высокой скорости чтения/записи при использовании малого числа сигналов. Данные передаются по 8-битной шине 16-битными словами за один такт. Все линии LV-CMOS-совместимы. Устройства выпускаются двух модификациях напряжения питания: 1,8 В и 3,0 В.

Согласно спецификации, интерфейс HyperBUS содержит обязательные и опциональные сигналы.
Основные сигналы интерфейса HyperBUS В нашем случае использовались только обязательные (см. рисунок выше):

• CS# — сигнал выбора устройства. Наличие сигнала выбора микросхемы позволяет объединять несколько устройств одной шиной с архитектурой мастер-слэйв.
• CK/CK# — синхросигнал. Устройства питаемые напряжением 3 В синхронизируются по одной линии CK на частотах не более 100 МГц, с питанием 1,8 В — дифференциальной парой CK/CK# на частотах до 166 МГц.
• DQ[7:0] — двунаправленная шина данных.
• RWDS — многофункциональный двунаправленный сигнал (Read Write Data Strobe).

Сигнал RWDS выполняет следующие функции:

• В начале транзакции драйвится памятью и указывает на требуемую латентность перед выдачей/запись данных: 0 — однократная задержка; 1 — двукратная задержка (initial read/write latency).
• В транзакциях записи в процессе выдачи данных драйвится хостом и маскирует байты, которые не должны быть изменены.
• В транзакциях чтения в процессе выдачи данных драйвится памятью и синхронизирует данные (source syncronous read data strobe).

О латентности и синхронизации будет сказано ниже.

Обмен данными с устройством происходит в виде транзакций: мастер ассертит чип-селект, подает синхросигнал, выдает управляющие байты, ожидает несколько тактов, обменивается данными, останавливает синхронизацию, деассертит чип-селект.

В первых трех тактах хост передает 6 управляющих байт транзакции (COMMAND-ADRESS или CA). Не вдаваясь в подробности, просто перечислим параметры:

• Тип транзакции: чтение или запись.
• Адресное пространство: память или управляющие регистры.
• Тип последовательности записи/чтения: линейная (linear) или пакетная (burst).
• Адрес начала обращения к памяти в столбцах и строках.

Поскольку ячейки памяти не могут быть перезаряжены в ходе транзакции обмена данными, накладываются ограничения на длительность одной транзакции (transaction duration) и задержки между ними (initial latency).

Одновременно с передачей CA память выставляет на линии RWDS индикатор латентности: сколько тактов нужно выждать, прежде чем выдать данные на запись, или получить данные на чтение. О значении количества тактов узнаем из управляющего регистра.

Это значение определяется памятью самостоятельно в зависимости от частоты тактирования. Если RWDS в «0» ожидаем требуемое количество тактов один раз, если в «1» — два раза.

Настройками регистров устройства можно установить, чтобы память всегда работала по двойному интервалу задержки, и задать количество тактов отличное от значения по умолчанию (но это значение не должно быть меньше исходного).

В транзакции записи после ожидания необходимого числа тактов хост выставляет на шину записываемые данные:

Транзакция записи

Данные захватываются памятью по обоим фронтам синхросигнала, соответственно выставление данных в выходной DDR-регистр происходит по клоку, сдвинутому на 270 градусов.

Сигнал RWDS в процессе передачи данных маскирует байты, которые не должны изменяться памятью в процессе записи.

При записи слова в управляющие регистры его необходимо выдавать сразу после СА без какой либо задержки.

В транзакции чтения данные выставляются памятью:

Транзакция чтения Изменение данных на шине синхронизируются обоими фронтами сигнала RWDS. Также следует не забывать, что выдаваемые памятью данные синхронизированы сигналом RWDS по фронту. В результате, для корректного чтения следует сдвигать RWDS на 90 градусов:
Задержка сигнала RWDS относительно сигнала данных Запись/чтение данных начинается с адреса, указанного в CA. Адрес с каждым принятым/выданным словом инкрементируется на 2. Транзакция завершается после останова синхросигнала и деассерта чип-селекта. Отметим несколько особенностей работы. Первое: при переходе адреса через максимальное значение, данные начинают выдаваться/записываться неопределенным образом. Поэтому не стоит обращаться к памяти транзакциями, которые переполняют счетчик адреса. Второе: микросхема ограничивает длительность транзакции, поскольку требуется периодическая перезарядка элементов памяти. Максимальные длительности зависят от температуры и приведены в спецификации. В самом жестком случае за одну транзакцию на скорости 166МГц можно прочитать/записать чуть более 300 байт. Устройство имеет два регистра: информационный и конфигурационный. Информационный регистр дает нам информацию о производителе и типе устройства (HyperRAM/HyperFLASH), количестве строк, столбцов и кристаллов устройства. Конфигурационный регистр позволяет конфигурировать выходной импеданс, длину пакета в режиме пакетного обращения к данным, тип латентности (постоянная/переменная), а также позволяет задать значение задержки и перевести устройство в режим низкого энергопотребления (Deep Power Down).

С первого взгляда может возникнуть вопрос: а как мне прочитать значение конфигурационного регистра с информацией о задержке, если эта задержка на момент чтения неизвестна? Для этого необходимо принять во внимание, что выдача данных синхронизируется памятью по линии RWDS. И, по сути, фактическое значение задержки нигде не учитывается, так как схема захвата данных — source-synchronous. А в транзакции записи, напротив, мы должны считать такты перед выдачей данных в зависимости от значения латентности и состояния сигнала RWDS.

Вот пример разбора значений конфигурационных регистров:

Выводы

Источник: https://habr.com/post/344966/

Spansion

выпускать. Судя по прежним заявлениям, это будет многослойная флеш-память 3D NAND. Технологию на производство 3D NAND компании XMC передаёт компания Spansion – это бывшее СП компаний AMD и Fujitsu. Spansion располагает технологией производства 3D NAND на основе ячейки с ловушкой…Comments.ua

Компания Spansion представила первую микросхему оперативной памяти с произвольным доступом, оснащенную интерфейсом HyperBus.InUkrnews

Компания Spansion представила две серии микроконтроллеров: FM4 S6E2DH и FM4 S6E2CCxxF/MB9BF568F.InUkrnews

Cypress Semiconductor и Spansion в первый день зимы объявили о подписании соглашения, предусматривающего слияние двух компаний путем объединения акций. Необлагаемая налогами сделка оценивается в…InUkrnews

ближайшие годы ожидается устойчивый рост рынка автомобильной электроники. Это вызывает интерес к нему со стороны производителей микросхем, включая Micron Technology, Spansion, Micronix International…InUkrnews

Компания Spansion объявила о выпуске семейства встраиваемых твердотельных накопителей e.MMC на базе флэш-памяти MLC NAND, предназначенных для потребительской электроники, коммуникационного и промышленного…InUkrnews

Интерфейс Spansion HyperBus Interface уже используют в своих однокристальных системах ведущие производители.InUkrnews

Около тысячи служащих будут переведены на работу в Nihon Spansion Limited.Tv.net.ua

Производитель NOR-памяти, компания Spansion анонсировала выпуск так называемого “акустического сопроцессора” (Acoustic Coprocessor), который представляет собой чип для работы с человеческим голосом.Tv.net.ua

Компания Spansion заявила о начале поставок образцов своих первых продуктов SLC NAND, выпущенных с использованием техпроцесса 40-нм класса и технологии плавающего затвора.Tv.net.ua

В линейку GL-S входят чипы емкостью от 128 Мбит до 2 Гбит, применение которых уже запланировано в широком спектре законченных решений в области потребительской электроники, автомобилестроении, телекоме и в индустриальных приложениях. Компьютерное Обозрение

проработавшей в ней более 30 лет. Ранее Маноха занимал исполнительные посты в NXP Semiconductors, AT&T Microelectronics, а также в компании Spansion, калифорнийском производителе флэш-памяти. Кроме того, Маноха связан с ATIC, которой не раз оказывал консультационную поддержку. Чиа Сун Хви появился…Tv.net.ua

В вердикте судьи Чарльза Буллока (Charles Bullock) обвинения в адрес Samsung признаны необоснованными. Этот судебный процесс был возбужден по искам Spansion, направленным в ITC в ноябре 2008 г., и обвиняющим ряд компаний в нарушении патентов на технологии флэш-памяти.Компьютерное Обозрение

стало известно о формировании еще одного партнерского объединения в данной отрасли. Соответствующие заявления прозвучали от представителей компаний Elpida Memory и Spansion. Как сообщается на сайте ixbt.com, что производители будут совместно разрабатывать технологии и выпускать чипы флэш-памяти на контрактной основе. В…ITUA.info

Предварительное решение ITC по первому из них должно быть принято в середине сентября 2010 г. Spansion требует запретить продажу в США продукции корейского вендора, нарушающей ее патенты, которая, по ее заявлению “обогащала и продолжает незаконно обогащать…Компьютерное Обозрение

Компания Spansion Japan собирается избавиться от производства 12-дюймовых заготовок NOR flash с объемом выпуска 30 тыс. пластин в месяц. Это дает повод…Компьютерное Обозрение

Банкротный американский производитель чипов памяти Spansion получил шанс избежать ликвидации компании.Tv.net.ua

Согласно iSuppli, недавние приобретения производителей DRAM Elpida и Micron свидетельствуют об их намерении предлагать полный ассортимент продуктов памяти, ориентируясь на быстро растущий рынок смартфонов. Отмечается, что средний объем интегрированной в смартфон DRAM, вырастет более чем в десять раз — со…Компьютерное Обозрение

Источник: http://news.meta.ua/metka:spansion/

Китайская память 3D NAND MLC выдерживает 3000 циклов перезаписи

Как мы сообщали ранее, на годовой конференции Flash Memory Summit 2018 исполнительный директор китайской компании Yangtze Memory Technologies (YMTC) Саймон Янг (Simon Yang) впервые представил свою страну на уровне доклада о разработке уникальной технологии производства флеш-памяти. Подробнее о технологии Xtacking мы рассказывали в соответствующей заметке. Сейчас же приведём ряд интересных фактов о работе YMTC и китайской памяти 3D NAND, которые стали известны в ходе доклада на FMS 2018.

Структура памяти 3D NAND компании YMTC на базе технологии Xtacking (YMTC)

В частности сообщается, что технология производства 3D NAND силами китайского производителя защищена более чем 500 патентами и патентными заявками. Для разработки технологии производства 3D NAND потребовались усилия свыше 1000 инженеров, два года работ и около $1 млрд.

При этом компания YMTC (первоначально это была компания XMC) имеет ряд лицензионных договоров с иностранными разработчиками.

Так, в 2014 году компания XMC, которая в 2016 году вошла в совместное предприятие YMTC с холдингом Tsinghua Unigroup, заключила лицензионные договора с IBM и Китайской академией наук (CAS).

Впрочем, ключевой для разработки 3D NAND лицензионный договор с компанией Spansion был заключён в 2015 году, хотя начало самостоятельной разработки многослойной NAND компания XMC запустила ещё в 2014 году. В 2015 году XMC выпустила опытный 9-слойный чип 3D NAND, а в 2016 году — опытный чип 32-слойной 3D NAND.

Сертификация производства 32-слойного 64-Гбит чипа 3D NAND MLC произошла ранее в этом году. Массовое производство микросхем стартует в четвёртом квартале этого года.

Для выпуска чипов предположительно будет использоваться 55-нм или 50-нм техпроцесс, с помощью которого 200-мм завод компании XMC (теперь он принадлежит СП YMTC) уже выпускает флеш-память NOR-типа.

Вопреки опасениям, высказанным в комментариях, китайская память 3D NAND MLC по устойчивости к перезаписи будет не хуже зарубежных аналогов. На этапе проверок доказана надёжность ячеек, составляющая не менее 3000 циклов перепрограммирования для каждой.

Также производитель сообщил о наращивании объёмов выпуска продукции без брака. Кстати, компания YMTC увезла с саммита награду как самый инновационный стартап 2018 года. Правда, мы бы воздержались называть стартапом компанию с запланированным объёмом инвестиций в районе $24 млрд.

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

Источник: https://3dnews.ru/973956

Принцип работы и устройство флеш-памяти

В этой статье мы с Вами поговорим о том, что положено в основу создания и по какому принципу работает устройство флэш-памяти (не путайте с USB флэш-накопителями и картами памяти).

Кроме этого, вы узнаете о ее преимуществах и недостатках перед другими типами ПЗУ (постоянно запоминающими устройствами) и познакомитесь с ассортиментом самых распространенных накопителей, которые содержат в себе флэш-память.

Основное достоинство этого устройства в том, что оно энергонезависимое и ему не нужно электричество для хранения данных. Всю хранящуюся информацию во флэш-памяти можно считать бесконечное количество раз, а вот количество полных циклов записи к сожалению ограничено.

У флэш-памяти перед другими накопителями (жесткие диски и оптические накопители) типа ПЗУ есть как свои преимущества, так и свои недостатки, с которыми вы можете познакомиться из таблицы расположенной ниже.

Тип ПЗУ	Преимущества	Недостатки
Жесткий диск	Большой объем хранимой информации.Высокая скорость работы.Дешевизна хранения данных (в расчете на 1 Мбайт).	Большие габариты.Чувствительность к вибрации.Тепловыделение.Шум.
Оптический диск	Удобство транспортировки.Дешевизна хранения информации.Возможность тиражирования.	Небольшой объем.Нужно считывающее устройство.Ограничения при операциях (чтение, запись).Невысокая скорость работы.Чувствительность к вибрации.Шум.
Флэш-память	Высокая скорость доступа к данным.Экономное энергопотребление.Устойчивость к вибрациям.Удобство подключения к компьютеру.Компактные размеры.	Ограниченное количество циклов записи.

Сегодня никто не сомневается в том, что флэш-память будет продолжать укреплять свои позиции в информационных технологиях, особенно в линейке мобильных устройств (КПК, планшеты, смартфоны, плееры). На основе флэш-памяти работают самые востребованные и популярные USB флэш-накопители и сменные карты памяти для электронных устройств (SD, MMC, miniSD…).

Карты памяти, как и USB накопители не стоят в стороне, а привлекают внимание потенциальных покупателей своим многообразием. От такого изобилия запоминающих устройств выигрывает только производитель, а потребитель испытывает ряд неудобств.

 Ведь всем нам знакомы такие ситуации, когда телефону нужна одна карта, КПК другая, фотоаппарату третья.  Такой ассортимент накопителей на руку производителям, потому что они извлекают из широкой эксклюзивной продажи большую выгоду.

Вот небольшой список распространенных накопителей с флэш-памятью:

• Compact Flash Type I (CF I)/Type II (CF II);
• Memory Styck (MS Pro, MS Duo);
• Secure Digital (SD);
• miniSD;
• xD-Picture Card (xD);
• MultiMedia Card (MMC).
• USB Flash Drive.

В одной из публикаций я писал о том как выбрать USB-флеш-накопитель, а о том как выбрать карту в формате SD (microSD, miniSD) читайте здесь.

Принцип работы флэш-памяти

Элементарной ячейка хранения данных флэш-памяти представляет из себя транзистор с плавающим затвором. Особенность такого транзистора в том, что он умеет удерживать электроны (заряд).

Вот на его основе и разработаны основные типы флэш-памяти NAND и NOR. Конкуренции между ними нет, потому что каждый из типов обладает своим преимуществом и недостатком.

Кстати, на их основе строят гибридные версии такие как DiNOR и superAND.

Во флэш-памяти производители используют два типа ячеек памяти MLC и SLC.

• Флэш-память с MLC(Multi-level cell – многоуровневые ячейки памяти)ячейки более емкие и дешевые, но они с большим временем доступа и меньшим количеством циклов записи/стирания (около 10000).
• Флэш-память, которая содержит в себе SLC (Single-level cell – одноуровневые ячейки памяти) ячейки имеет максимальное количество циклов записи/стирания(100000) и обладают меньшим временем доступа.

Изменение заряда (запись/стирание) выполняется приложением между затвором и истоком большого потенциала, чтобы напряженность электрического поля в тонком диэлектрике между каналом транзистора и карманом оказалась достаточна для возникновения туннельного эффекта. Для усиления эффекта тунеллирования электронов в карман при записи применяется небольшое ускорение электронов путем пропускания тока через канал полевого транзистора.

Чтение выполняется полевым транзистором, для которого карман выполняет роль затвора. Потенциал плавающего затвора изменяет пороговые характеристики транзистора, что и регистрируется цепями чтения. Эта конструкция снабжается элементами, которые позволяют ей работать в большом массиве таких же ячеек.

Теперь рассмотрим более подробно ячейки памяти с одним и двумя  транзисторами…

Ячейка памяти с одним транзистором

Если на управляющий затвор подать положительное напряжения (инициализация ячейки памяти) то он будет находиться в открытом состоянии, что будет соответствовать логическому нулю.

А если на плавающий затвор поместить избыточный отрицательный заряд (электрон) и подать положительное напряжение на управляющий затвор ,то он компенсирует создаваемое управляющим затвором электрическое поле и не даст образовываться каналу проводимости, а значит транзистор будет находиться в закрытом состоянии.

Вот так, наличие или отсутствие заряда на плавающем затворе точно определяет состояние открыт или закрыт транзистор, когда подается одно и тоже положительное напряжения на управляющий затвор.

Если мы будем рассматривать подачу напряжения на управляющий затвор, как инициализацию ячейки памяти, то по тому, какое напряжение между истоком и стоком можно судить о наличии или отсутствии заряда на плавающем затворе.

Таким образом получается своеобразная элементарная ячейка памяти, способная сохранять один информационный бит. Ко всему этому очень важно, чтобы заряд на плавающем затворе (если он там имеется) мог сохраняться там долго, как при инициализации ячейки памяти, так и при отсутствии напряжения на управляющем затворе. Только в этом случае ячейка памяти будет энергонезависимой.

Так каким же образом в случае необходимости на плавающий затвор помещать заряд (записывать содержимое ячейки памяти) и удалять его оттуда (стирать содержимое ячейки памяти) когда это необходимо.

Если используется метод инжекции горячих электронов, то на сток и управляющий затвор подается высокое напряжение, что придаст электронам в канале энергии, достаточной чтобы преодолеть потенциальный барьер, который создается тонким слоем диэлектрика, и направить (туннелировать) в область плавающего затвора (во время чтения на управляющий затвор подается меньшее напряжение и эффект туннелирования не происходит).

Чтобы удалить заряд с плавающего затвора (выполнить стирания ячейки памяти) на управляющий затвор подается высокое отрицательное напряжение (около 9 В), а на область истока подается положительное напряжение. Это приводит к тому, что электроны туннелируют из области плавающего затвора в область истока. Таким образом происходит квантовое туннелирование Фаулера – Нордхейма (Fowler – Nordheim).

Наверно вы уже поняли, что транзистор с плавающим затвором это элементарная ячейка флэш-памяти.  Но ячейки с одним транзистором имеют некоторые недостатки, основным из которых является плохая масштабируемость.

Так как при создании массива памяти, каждая ячейка памяти (то есть транзистор) подключается к двум перпендикулярным шинам. Управляющие затворы подключаются к шине, которую называют линией слов (Word Line), а стоки соединяют с шиной, ее называют битовой линией (Bit Line).

В следствии чего в схеме находится высокое напряжение и при записи методом инжекции горячих электронов все линии – слов, битов и истоков нужно разместить на большом расстоянии друг от друга. Это даст нужный уровень изоляции, но отразится на ограничении объема флэш-памяти.

Еще одним недостатком такой ячейки памяти является присутствие эффекта избыточного удаления заряда с плавающего затвора, а он не может компенсироваться процессом записи. В следствии этого на плавающем затворе образуется положительный заряд, что делает неизменным состояние транзистора и он всегда остается открытым.

Ячейка памяти с двумя транзисторами

Двухтранзисторная ячейка памяти, это модифицированная однотранзисторная ячейка, в которой находится обычный КМОП-транзистор и транзистор с плавающим затвором. В этой структуре обычный транзистор выполняет роль изолятора транзистора с плавающим затвором от битовой линии.

Имеет ли преимущества двухтранзисторная ячейка памяти? Да, ведь с ее помощью можно создавать более компактные и хорошо масштабируемые микросхемы памяти, потому что здесь транзистор с плавающим затвором изолируется от битовой линии.

Ко всему прочему, в отличии от однотранзисторной ячейки памяти, где информация записывается методом инжекции горячих электронов, в двухтранзисторной ячейки памяти для записи и стирания информации используется метод квантового туннелирования Фаулера – Нордхейма.

 Такой подход дает возможность снизить напряжение, которое необходимо для операции записи. Забегая наперед скажу, что двухтранзисторные ячейки применяются в памяти со структурой NAND.

Устройство флэш-памяти с архитектурой NOR

Тип этой памяти является источником и неким толчком в развитии всей EEPROM. Ее архитектура была разработана компанией Intel в далеком 1988 году. Как было написано ранее, чтобы получить доступ к содержимому ячейки памяти (инициализировать ячейку), нужно подать напряжение на управляющий затвор.

Поэтому разработчики компании все управляющие затворы подсоединили к линии управления, которая называется линией слов (Word Line). Анализ информации ячейки памяти выполняется по уровню сигнала на стоке транзистора. Поэтому разработчики все стоки транзисторов подсоединили к линии, которая называется линией битов (Bit Line).

Архитектура NOR получила название благодаря логической операции ИЛИ – НЕ (в переводе с английского NOR).  Принцип логической операции NOR заключается в том, что она над несколькими операндами (данные, аргумент операции…) дает единичное значение, когда все операнды равны нулю, и нулевое значение во всех остальных операциях.

В нашем случае под операндами подразумевается значение ячеек памяти, а значит в данной архитектуре единичное значение на битовой линии будет наблюдается только в том случае , когда значение всех ячеек, которые подключены к битовой линии, будут равны нулю (все транзисторы закрыты).

В этой архитектуре хорошо организован произвольный доступ к памяти, но процесс записи и стирания данных выполняется относительно медленно. В процессе записи и стирания применяется метод инжекции горячих электронов. Ко всему прочему микросхема флеш-памяти с архитектурой NOR и размер ее ячейки получается большим, поэтому эта память плохо масштабируется.

Структура шести ячеек NOR Flash

Флеш-память с архитектурой NOR как правило используют в устройствах для хранения программного кода. Это могут быть телефоны, КПК, BIOS системных плат…

Устройство флэш-памяти с архитектурой NAND

Данный тип памяти был разработан компанией Toshiba. Эти микросхемы благодаря своей архитектуре применяют в маленьких накопителях , которые получили имя NAND (логическая операция И-НЕ). При выполнении операция NAND дает значение нуль только, когда все операнды равны нулю, и единичное значение во всех других случаях.

Как было написано ранее, нулевое значение это открытое состояние транзистора.

В следствии этого в архитектуре NAND подразумевается, что битовая линия имеет нулевое значение в том случае, когда все подключенные к ней транзисторы открыты, и значение один, когда хотя бы один из транзисторов закрыт.

Такую архитектуру можно построить, если подсоединить транзисторы с битовой линией не по одному (так построено в архитектуре NOR) , а последовательными сериями (столбец из последовательно включенных ячеек).

Данная архитектура по сравнению с NOR хорошо масштабируется потому, что разрешает компактно разместить транзисторы на схеме. Кроме этого архитектура NAND производит запись путем туннелирования Фаулера – Нордхейма, а это разрешает реализовать быструю запись нежели в структуре NOR. Чтобы увеличить скорость чтения, в микросхемы NAND встраивают внутренний кэш.

Как и кластеры жесткого диска так и ячейки NAND группируются в небольшие блоки. По этой причине при последовательном чтении или записи преимущество в скорости будет у NAND.

Но с другой стороны NAND сильно проигрывает в операции с произвольным доступом и не имеет возможности работать на прямую с байтами информации.

 В ситуации когда нужно изменить всего несколько бит, система вынуждена переписывать весь блок, а это если учитывать ограниченное число циклов записи, ведет к большому износу ячеек памяти.

Структура одного столбца NAND Flash

В последнее время ходят слухи о том, что компания Unity Semiconductor разрабатывает флэш-память нового поколения, которая будет построена на технологии CMOx.

Предполагается, что новая память придет на смену флеш-памяти типа NAND и преодолеет ее ограничения, которые в памяти NAND обусловлены архитектурой транзисторных структур. К преимуществам CMOx относят более высокую плотность и скорость записи, а также более привлекательную стоимость.

В числе областей применения новой памяти значатся SSD и мобильные устройства. Ну, что же правда это или нет покажет время.

Чтобы более детально донести до Вас всю необходимую информацию я разместил видео ролик по теме.

P.S. Объяснить простым языком технический материал людям которые не представляют как построена архитектура компьютера… очень сложно, но я надеюсь у меня это получилось. Для полной и достоверной информации в этой статье я частично использовал учебную литературу. Надеюсь эта статья была для вас полезной, познавательной и легкой к восприятию. На этом все. Пока!

Источник: https://hobbyits.com/princip-raboty-i-ustrojstvo-flesh-pamyati/

Spansion представляет первый в мире гигабитный модуль флэш-памяти NOR

Первые образцы изготовлены по 90-нанометровой технологии MirrorBit™

Spansion LLC объявила о предоставлении клиентам первых образцов одномодульных гигабитных устройств флэш-памяти для встроенных систем. Новые гигабитные модули, изготовленные по 90-нанометровой технологии MirrorBit™ GL, на сегодня обладают рекордной удельной емкостью среди одномодульных устройств флэш-памяти NOR. Они могут применяться для хранения данных и исполняемого кода в разнообразных встроенных системах, таких как автомобильные системы навигации, устройства связи, игровые устройства и промышленные роботы. Гигабитные модули MirrorBit GL – первые устройства, изготовленные по 90-нанометровому процессу MirrorBit, запущенному Spansion в прошлом месяце.

Гигабитные устройства MirrorBit GL входят в ту же линию продукции, что единственные в мире 512-мегабитные модули флэш-памяти NOR.

Перевод технологии MirrorBit на 90-нанометровый производственный процесс и удвоение плотности флэш-памяти NOR позволили Spansion снизить стоимость компонентов, поскольку теперь разработчики встроенных систем могут обойтись одним одномодульным устройством вместо нескольких независимых устройств или дорогих многослойных устройств с несколькими модулями низкой емкости. Благодаря тому что новинка продолжает существующую линию устройств, клиентам Spansion будет предельно просто перейти на новые модули, поскольку это не потребует никаких изменений в архитектуре уже разработанных встроенных систем.

Простота перехода на новые устройства флэш-памяти NOR Spansion™
Выпуском нового гигабитного устройства компания Spansion расширила богатый ассортимент своей продукции емкостью от 1 мегабита до 1 гигабита.

Вся новая продукция совместима с модулями предыдущих поколений (вплоть до 2-мегабитных) на уровне программного интерфейса, аппаратного интерфейса и посадочных мест, что позволяет устанавливать их в старые платы и сокращает стоимость внедрения до минимума.

Гигабитные модули MirrorBit GL на уровне аппаратного интерфейса и посадочного места совместимы со всеми устройствами MirrorBit GL-M (230-нанометровые), MirrorBit GL-A (200-нанометровые) и MirrorBit GL-N (110-нанометровые), а также с более старыми устройствами Fujitsu и AMD LV вплоть до тех, что производились по процессу 320 нм. Физическое исполнение модулей отвечает требованиям стандартов JEDEC.

Технические характеристики и преимущества гигабитных модулей MirrorBit™ GL ™
Гигабитные модули Spansion MirrorBit относятся к семейству Spansion GL, в котором сегодня выпускаются модули емкостью от 16 до 512 мегабит. Рабочее напряжение гигабитных модулей MirrorBit GL составляет 3,0 В (Vcc), скорость произвольного доступа при чтении – 110 нс, скорость последовательного доступа при чтении – 25 нс, емкость страничного буфера – 8 слов.

Гигабитные модули MirrorBit GL позволяют либо выполнять код непосредственно с флэш-памяти, либо копировать его с высокой скоростью в оперативную память. Температурный диапазон – от -40 до +85 градусов Цельсия.

Гигабитные модули MirrorBit GL основаны на архитектуре NOR, которая гарантирует отсутствие плохих секторов, устраняет необходимость в проверке четности ECC и поддерживает стандартный параллельный интерфейс.

Эти модули позволяют значительно упростить структуру и снизить стоимость встроенных систем.

Высокий уровень безопасности
Для приложений, предъявляющих особые требования к защите, немаловажно то, что в мегабитных модулях MirrorBit GL поддерживается технология улучшенной защиты секторов ASP (Advanced Sector Protection). Технология ASP позволяет разработчикам надежно защитить программные алгоритмы и параметры 64-разрядным ключом.

Защита может устанавливаться индивидуально для каждого сектора с кодом или данными. Помимо этого, модулям можно присваивать электронные серийные номера (ESN). Номера ESN удобно применять для удаленной идентификации устройств, управлением уровнем обслуживания и ведения журнала доступа для последующей тарификации.

Эти средства защиты помогают обезопасить устройства от вредоносного кода и вирусов, а также несанкционированного доступа.

Ассортимент, цены и регионы
В настоящее время Spansion поставляет образцы модулей MirrorBit GL емкостью 1 Гбит отдельным клиентам. Массовое производство должно начаться в конце четвертого квартала.

Модулям MirrorBit GL емкостью 1 Гбит присвоен кодовый номер S29GL01GP. Модули будут выпускаться в 56-контактных корпусах TSOP и в 64-контактных усиленных корпусах BGA.

Ориентировочная цена – 18,50 доллара за штуку в партиях по 10000 штук.

Решения Spansion™ для встроенных систем
Spansion предлагает разработчикам встроенных систем широчайшую гамму устройств флэш-памяти с рабочим напряжением 5, 3 и 1,8 В емкостью от 1 Мбит до 1 Гбит в корпусном исполнении и в исполнении KGD (Known Good Die). В богатом ассортименте устройств и конфигураций флэш-памяти Spansion, насчитывающем несколько сотен наименований, каждый клиент сможет найти оптимальное решение для своих задач.

Модули флэш-памяти высокой плотности производятся по технологии MirrorBit или технологии транзисторов с плавающим затвором и могут работать в режимах Page Mode и Burst Mode.

Для повышения производительности приложений, код которых хранится в модуле памяти, в режимах Page Mode и Burst Mode может применяться режим синхронного чтения и записи.

Кроме того, новая линия продукции Spansion с интерфейсом SPI (Serial Peripheral Interface) позволяет сделать встроенные системы еще более компактными, сократить их энергопотребление, повысить надежность и снизить стоимость разработки.

О технологии MirrorBit™
Новаторская технология MirrorBit, разработанная Spansion, отличается высокой плотностью и низкой стоимостью изготовления флэш-памяти по сравнению с традиционной технологией на основе плавающего затвора.

Технология MirrorBit предусматривает изготовление модулей памяти на непроводящей основе, при этом процессе производства на 40% меньше операций, требующих высокой точности, по сравнению с технологией плавающего затвора, что позволяет значительно повысить плотность памяти с одновременным снижением стоимости производства.

Фирменная 90-нанометровая технология Spansion™ MirrorBit станет базой для дальнейшего развития надежной, высокопроизводительной и недорогой флэш-памяти высокой плотности для беспроводных устройств и встроенных систем.

Помимо гигабитных модулей GL, о выпуске которых было объявлено сегодня, Spansion ведет разработку гигабитных модулей архитектуры MirrorBit ORNAND™. Первые модули MirrorBit ORNAND будут предназначены для беспроводных устройств.

Источник: http://www.eham.ru/news/detail/spansion-predstavlyaet-pervyj-v-mire-gigabitnyj-modul-flesh-pamyati-nor_1884

Spansion: лидер рынка микросхем памяти nor

Spansion:

лидер рынка памяти NOR

Интервью с Джозефом Хэрейнером (Josef Harreiner), менеджером по работе с дистрибьюторами в Центральной и Восточной Европе и странах СНГ.

Йозеф Харрайнер (Josef Harreiner), менеджер по работе с дистрибьюторами в Центральной и Восточной Европе и странах СНГ

—Расскажите, пожалуйста, о вашей компании.

— Spansion — это совместное предприятие Fujitsu и AMD. В 1993 году производство флэш-памяти было выделено в отдельный бизнес, и несколько заводов этих компаний были переданы Spansion.

Первоначально оно называлось FASL — Fujitsu-AMD Semiconductor Limited. Затем в 2005 году совместное предприятие было переименовано.

Сегодня компания является мировым лидером в области производства флэш-памяти по технологии NOR.

—Какие еще компании являются ведущими игроками в данном сегменте?

— Микросхемы флэш-памяти обычно разделяют на две больших группы — NOR и NAND. В секторе NOR Spansion является однозначным лидером. Если объединить эти группы и говорить про флэш-память вообще, то компанией № 1 в мире будет Samsung.

Компания Spansion занимается только NOR-направлением, поэтому в общем мы занимаем второе место, являясь при этом безусловным лидером в своем секторе рынка. Второе место в NOR-секторе — у Intel, третье — у STMicroelectronics.

Распределение долей здесь следующее: Spansion — 30,4%, Intel — 22%, ST — 16%.

— Кто основной потребитель этой продукции? Компьютерная отрасль?

— Мы выделяем в нашей компании бизнес-единицы по направлениям использования. Первая группа — беспроводные технологии, это мобильные устройства, сотовые

телефоны и т. д. Вторая — CSГО-направле-ние, куда входят все индустриальные применения, включая и автомобильное производство, телекоммуникации, автоматику и даже такие изделия, как сет-топ-боксы (приставки для приема цифрового телевещания).

Третья — это массовые устройства хранения информации, в частности SIM-карты высокой плотности. Первые две группы являются для нас основными, они составляют почти 99% всего бизнеса, а третья группа создана недавно — в середине прошлого года, поэтому объемы продаж еще несущественные.

Но этот рынок подает определенные надежды. В первых двух группах половина — это сотовые телефоны: довольно большой бизнес для нас. Сегодня почти в каждом мобильном телефоне вы найдете нашу флэш-память.

При этом, наиболее интересное направление для нас — это CSID, здесь можно выделить три крупные группы — автомобильная, телекоммуникации и бытовые изделия, такие как цифровые телевизоры, цифровые телевизионные приставки и т. д.

— Какова динамика мирового рынка микросхем памяти?

— В прошлом году наш оборот составил $2,6 млрд. В настоящий момент это порядка $22 млрд. Рост здесь происходит, в основном, за счет флэш-памяти высокой емкости, которая используется в любых применениях, где нужно хранить большие объемы информации, будь то графика, звуковые и видеофайлы.

Мы единственная компания, которая производит всю возможную линейку — от емкости в 1 Мбит до 1 Гбит в монолитном исполнении, то есть на одном кристалле.

Флэш-память, которая используется в мобильных устройствах, как правило, имеет напряжение питания 1,8 В, наиболее распространено напряжение 3,3 В, а некоторые заказчики, например, производители автомобильной электроники, до сих пор требуют для своей продукции обеспечить питание 5 В, и мы производим микросхемы по всем технологиям.

Сильная сторона Spansion состоит в том, что мы производим продукты с длинным жизненным циклом. Например, 1-Мбит па-

мять сделана 14 лет назад, и производят ее до сих пор. Для многих заказчиков это очень важно, и они закладывают в состав устройства то, в чем будут уверены. То есть мы, таким образом, сочетаем гибкость и возможность одновременно производить в течение длительного времени старые продукты, и быть лидерами в инновационной области, производя самые передовые изделия с высокой емкостью.

Каким образом нам удается это совмещать? Мы используем две технологии. В прошлом одна из них называлась «технология с плавающим затвором». Это довольно сложная структура, подверженная всевозможным ошибкам при ее создании: здесь много таких мест, где может возникнуть дефект. Мы создали технологию, которую назвали MirrorBit.

В обычной ячейке хранится 1 бит информации, в ячейке MirrorBit хранится 2 бита.

— Расскажите, пожалуйста, о технологии Higher Density.

— Сейчас SIM-карты имеют емкость по отношению к классическим в тысячу раз больше — до 128 Мбайт и, как правило, включают в себя флэш-память и процессорное ядро. Технология Higher Density позволяет интегрировать процессорную часть на одном кристалле.

— Мировой рынок памяти сконцентрирован?

— 10 лет назад на этом рынке было множество игроков, но почти все они сейчас ушли, остались 3 больших игрока в секторе NOR — это Intel, Spansion и ST.

Samsung здесь пока еще не очень значима, но имеет все ресурсы и намерения тоже войти в этот сегмент. Есть еще несколько маленьких компаний с ограниченным набором продуктов.

«У подножия пирамиды» — несколько компаний, в основном азиатских, с продукцией очень низкого качества, низкой емкости и низкой ценой.

— Что вы думаете о совместном предприятии Intel и STMicroelectronics?

— На первом этапе для нас это очень хороший шанс. До создания этого СП и у Intel, и у ST была возможность при продаже своих процессоров продавать в нагрузку свою же флэш-память. Теперь совместное предприя-

рынок

15

тие отделяют от основных компаний. Сейчас Spansion и новое предприятие начинают играть на одном и том же поле, бороться одним и тем же оружием.

Обе эти компании были вторым поставщиком друг для друга, поэтому заказчик всегда имел возможность, заложив в свою разработку флэш-память, покупать либо у 1Пе1, либо у ST и иметь более стабильную ситуацию.

Теперь если они закладывают эту архитектуру, эту разводку, то заказывают фактически один канал поставки на одного поставщика, то есть рискуют. И еще у нас есть информация, что это новое совместное предприятие будет концентрироваться на рынках беспроводной связи.

Пока мы не можем ничего определенного сказать о стратегии новой компании, но с большой долей вероятности можно утверждать, что они снимут с производства старые флэш-микросхемы маленькой емкости.

— То есть получится, что только у вас останутся эти микросхемы, или в ту нишу сразу же пойдут небольшие компании?

— Конечно, такие компании попытаются этим заняться, но у них не будет высокого качества продукции и широкой номенклатуры. Поэтому мы считаем, что у нас есть все шансы доминировать в этой области.

Но в течение нескольких лет, если это совместное предприятие заработает, конкуренция серьезно обострится.

Однако в ближайшие годы мы ожидаем, что эта связка потеряет некоторую долю рынка, которая станет нашей.

— Последние 10 лет, в связи с развитием технологии, стоимость 1 Мбайт памяти непрерывно падает, причем быстро. Что будет дальше? Сохранится ли эта тенденция, или мы выйдем на какую-то площадку?

— Здесь есть два рынка. Первый — старые продукты малой емкости. Цена на них будет более или менее стабильной. Второй — микросхемы высокой емкости, начиная с 64-128 Мбит. В этой области заказчики, к сожалению, ожидают постоянного снижения цен.

Поэтому приходится быть настолько же динамичными, насколько таким является рынок, и каждые 2 года производить перевод продуктов на новые технологические нормы, чтобы уменьшить площадь кристалла и иметь возможность снижать цену так, как этого ожидает рынок.

Мы надеемся, что снижение цены в ближайшие 2 года будет менее динамичным, чем оно было в предыдущие годы. И когда производителей будет меньше, возможно, будет немного легче обуздать бесконтрольное падение цен.

Мы считаем, что когда появится совместное предприятие Ме1 и ST, они постараются стабилизировать или поднять цены. Хороший шанс и для нас стабилизировать цены и прекратить их падение. Заказчики ожидают, что мы будем предлагать им постоянно новые технологии, новые устройства и при этом будем настолько же динамично снижать цену, что не совсем совместимо с инвестици-

ями. На это все нужны деньги, и необходимо еще зарабатывать. Мы сейчас строим новую фабрику, чтобы увеличить производственные мощности, стоимость достаточно высока. Прибыльное ли это дело? Нет, многие теряют деньги.

— Не будет ли сегмент малоемкостной памяти в конце концов «убит» появлением контроллеров с флэш-памятью? Ведь сейчас флэш уже на борту.

— Технологически флэш-память и логическое ядро не очень хорошо совмещаются в одном кристалле. В любом случае, когда делается встроенная флэш-память, она получается всегда более дорогой, чем отдельная.

— Если смотреть по кристаллу — то да. Но его нужно монтировать, для него необходимо место на плате и так далее.

— Поэтому где-то посередине между двумя крайностями есть точка компромисса, которая зависит от конкретного применения, где аргументы либо в одну, либо в другую сторону перевешивают.

Но мы не производим технологического усовершенствования 1- и 2-мегабайтных кристаллов, они выпускаются по той же технологии, что и раньше. Мы начинаем вкладывать в разработку новых уменьшенных версий только начиная с 4 Мбит. Снимать их мы не планируем, но и развивать тоже.

Например, автомобильные заказчики до сих пор покупают 4-Мбит и 5-В флэш-микросхемы. И до тех пор пока они покупают, и это прибыльно для Spansion, мы будем продолжать их производить.

— Ведущие компании — производители электронных компонентов — вкладывают очень большие деньги в разработки, на это уходит до 10-15% оборота. Какова ситуация у вас?

— Примерно в тех же рамках. В прошлом году было инвестировано $400 млн в разработки. Сейчас мы переходим со 110 на 90 и на 65 нм, дальше планируется — на 45 и 32 нм.

— С какого периода?

— В 2008 году на 65 нм, в 2009 году — на 45, в 2010 году — на 32 нм. То есть следующий шаг происходит примерно каждый год.

—Все производство идет на собственных фабриках Spansion?

— 90%. Мы также сотрудничаем с TSMC, но только как фаундри для кристаллов. То есть пластины частично заказываются там, но потом возвращаются на корпусирование. И это при пиковом потреблении, когда собственных мощностей недостаточно.

Что касается нашего производства, то у нас одна фабрика находится в Остине (США) и одна в Японии — 100% принадлежат Spansion, еще две фабрики — это совместное предприятие с Fujitsu, здесь производятся старые продукты, а также мы построили новую фабрику для производства 300-мм пластин.

Это современная и мощная фабрика, производство начнется в конце этого года.

— Производители флэш-памяти исповедуют идеологию производства на собствен-

ных фабриках в отличие от других производителей полупроводников, которые достаточно часто или полностью производят свои изделия по аутсортингу, так?

— Отличие в том, что техпроцесс производства флэш-памяти уникален и отличается от стандартного производства тех же контроллеров.

— Производители флэш-памяти больше производители, чем разработчики.

— Флэш-память очень просто разработать, но непросто производить. Довести разработку до массового производства — это основная задача.

— Поговорим о работе Spansion в нашей стране. Значительного количества приложений, особенно требующих очень мощных микросхем памяти, на российском рынке не существует. Чему в России вы будете уделять особое внимание?

— Российский рынок развивается весьма динамично, мы постоянно видим открывающиеся новые возможности или можем предсказать их появление для нас. Например, внедрение цифрового телевидения и необходимость в большом количестве телевизоров и телевизионных цифровых приставок, или для того, чтобы обеспечить массу людей Интернетом и модемами.

Это уже достаточно мощные направления, которые могли бы нас заинтересовать. Мы ожидаем в течение следующих лет в вашей стране развития традиционных рынков — например, автомобильного. С учетом небольшой миграции с того, где сейчас используется флэш-память, в сторону дополнительных устройств.

Это, например, навигация приборной панели или устройства развлечения в автомобиле и конверторы цифрового телевидения. Плюс все стандартные промышленные нишевые применения, которые есть и будут всегда. И, конечно, будут создаваться новые.

Поэтому нам чрезвычайно важно в этот момент присутствовать на российском рынке и правильно действовать в период динамичного развития. Наше присутствие здесь в данный момент определит наше участие в развивающихся видах бизнеса в будущем.

Если до этого вся высокотехнологичная продукция для потребителя приходила из Юго-Восточной Азии, сейчас все больше российских компаний имеет возможность составить им серьезную конкуренцию. И еще одно замечание: несколько лет назад мы наблюдали исход производства из Западной Европы на Восток, в такие страны, как Венгрия.

Потом мы наблюдали переход в Юго-Восточную Азию, сейчас мы видим иногда обратные попытки. Ситуация такова, что продукция, которую необходимо выпускать большими тиражами и очень дешево, останется в Юго-Восточной Азии.

Если требуется качество, надежность, какие-то другие критерии или если существуют какие-то ограничения, то можно выбрать страны Восточной Европы и Россию. ■

Источник: https://cyberleninka.ru/article/n/spansion-lider-rynka-mikroshem-pamyati-nor